存储器编码方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器编码方法，可用以减少存储器损耗而延长存储器使用寿命，该方法包括以下步骤：Ａ．接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；Ｂ．统计该多个二进制码中为该第一二进制码和该第二二进制码至少其一的数量；Ｃ．当该第二二进制码的数量超过该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及Ｄ．将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程，并编程一用以于读取检核的反转标识位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器编码
，有关于一种存储器编码的方法与装置，特别是指一种关于浮栅(Floating Gate)闪存编码的方法。
技术介绍
近年来，随着便携式电子产品的日益增加，快闪(Flash)存储器 的技术及市场应用也日益成熟扩大。这些便携式电子产品。这些便携 式电子产品例如数字相机、移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA)、游戏机、随身听、可编程IC、数字电视等，皆已大 量采用闪存作为其数据储存或暂存空间。闪存是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory),其运作原理 是通过改变晶体管或存储单元的阈值电压(ThresholdVoltage)来控制 栅极通道的开关以达到存储数据的目的，使储存在存储器中的数据不 会因为电源中断而消失。 一般而言，评估闪存的实用效能不外乎容量、 存取速度、耗电量、与使用寿命(以重复写入的次数计)等等。随着 近年微縮工艺的进步，闪存的容量增加、存取速度增加、与耗电量的 减低皆获得大幅度的进展，只有存储器的使用寿命上相关技术的进展 相对较少，然而对许多消费电子产品例如可录放的数字电视等需要短 时间进行大量数据存取的情况，其产品寿命往往取决于存储器的使用 寿命。例如目前市面上热门的暂停电视(PauseTV)，由于系统不知道 使用者会在什么时候按下暂停键，因此其需要不断将每个播放过的广 播电视画面写入至其内部的闪存，然而闪存通常没有系统中其它元件 长寿。过去延长存储器寿命常见的方法不外乎增加闪存容量，或将数据 传送的位率降低，即刻意大幅降低数据存取速度以延长存储器的使用 时间，然而这些方式皆会造成闪存效能的大幅降低。4为了进一步提高闪存的使用寿命，同时避免上述常用方法所造成的效能的降低，专利技术人本着孜孜矻矻及精勤修习的求好精神，复以累积多年之专业知识与制造设计经验相互辅佐，历经多方巧思及试作后，而成就此一 「存储器编码方法」的实用专利技术。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种存储器编码方法及其装置，可用以减少存储器损耗，延长存储器使用寿命而提高存储器稳定性。根据本专利技术的构想，提出一种存储器编码方法，对于具有多个存储单元的一存储器，包括以下步骤A、接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；B、统计该多个二进制码中为该第一二进制码和该第二二进制码至少其一的数量；C、当该第二二进制码的数量超过该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及D、将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程，并包括编程一用以于读取检核的反转标识位。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中步骤B是通过一加法器(adder)来实现的。较佳地，本专利技术所提供第存储器编码方法，其中该二进制码以一分页为单位。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中该存储器为一闪存。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中该存储器为一浮栅(Floating Gate)闪存。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中将存储器中的存储单元进行编程是指将该存储单元的阈值电压由一第二阈值电压调整为一第一阈值电压。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，进一步包括以下步骤:E、将该存储器中的存储单元对应于该第二二进制码的部分进行编程；以及F、将该存储器中已编程的存储单元进行一擦除程序。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中步骤F的该擦除程序是将该存储单元的阈值电压由一第一阈值电压调整为一第二阈值电压。根据本专利技术的构想，提出另一种存储器编码方法，对于具有多个存储单元的一存储器，该方法包括以下步骤a、接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；b、统计该第一二进制码与该第二二进制码之中至少其一的数量；C、当该第一二进制码的数量少于该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及d、将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中步骤d进一步包括编程一用以于读取检核的反转标识位。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中步骤b是通过一加法器(adder)来达成。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中该二进制码以一分页为单位。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中该存储器为一闪存。较佳地，本专利技术所提供的存储器编码方法，其中该存储器为一浮栅闪存。根据本专利技术的构想，提出一种存储装置，其包括一加法器、 一比较器、以及一编码器，其中该加法器用以统计该集合的数据位需编程的数量，该比较器用以将该集合的数据位需编程的数量与该集合的数据位总数的一半作比较，该编码器则是当该集合的数据位需编程的数量未达该集合的数据位总数的一半时，用以反转该集合的数据位，使该经反转的集合中有超过半数的数据位需要编程。较佳地，本专利技术所提供的存储装置，其中该比较器包括XOR逻辑栅和XNOR逻辑栅其中之一。较佳地，本专利技术所提供的存储装置，其中该存储器为一浮栅闪存。根据本专利技术的构想，提出又一种存储器编程方法，包括以下步骤 A)、接收一集合的数据位；B)、统计该集合的数据位需被编程的数量； C)、若在该集合的数据位需被编程的数量未达该集合的数据位总数的 一半，则反转该集合的数据位，使该经反转的集合中有超过半数的数 据位需被编程；以及D)、针对需要编程的数据位进行编程。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中步骤D)进一步 包括编程一用于读取检核的反转标识位。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中该数据位的编程 是指将该数据位输入一存储器的存储单元。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中将该数据位输入 该存储器的存储单元是指将对应该数据位的存储单元编程为一第一阈 值电压。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其更包括E)将该集 合中尚未编程的数据位进行编程；以及F)将该存储器中对应该集合的 所有存储单元进行一擦除程序。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中步骤F)的擦除程 序是将该存储器中对应该集合的数据位的所有存储单元编程为一第二 阈值电压。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中该存储器为一快 闪(Flash)存储器。较佳地，本专利技术所提供的存储器编程方法，其中该存储器为一浮 栅(Floating Gate)闪存。附图说明图1是本专利技术的存储器编码方法及装置的第一实施例示意图。 图2是本专利技术的存储器编码方法及装置的第二实施例示意图。 图3是存储器循环时间和该其使用寿命的关系示意图。主要元件符号说明10:存储器的数据写入程序11:输入一分页数据位13:统计该分页中需编程数据位的数量15:比较该分页中需编程数据位数量与不需编程数据位数量 17:反转该分页数据位 19:进行编程20:存储器的数据擦除程序21:将该分页中尚未编程的数据位进行编程23:擦除程序30:存储装置 31:加法器33:比较器 35:编码器37:执行器 41:输入端具体实施例方式本专利技术将可由以下的实施例说明而得到充分了解，使得熟习本技 艺之人士可以据以完成之，然本专利技术之实施并非可由下列实例而被限 制其实施型态。请参考本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器编码方法，该存储器具有多个存储单元，其特征在于，该方法包括以下步骤：　Ａ、接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；　Ｂ、统计该多个二进制码中为该第一二进制码 和该第二二进制码至少其一的数量；　Ｃ、当该第二二进制码的数量超过该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及　Ｄ、将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泳旭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]