存储器编码方法与装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器编码方法，可用以减少存储器损耗而延长存储器使用寿命，该方法包括以下步骤：Ａ．接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；Ｂ．统计该多个二进制码中为该第一二进制码和该第二二进制码至少其一的数量；Ｃ．当该第二二进制码的数量超过该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及Ｄ．将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程，并编程一用以于读取检核的反转标识位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器编码
，有关于一种存储器编码的方法与装置，特别是指一种关于浮栅(Floating Gate)闪存编码的方法。
技术介绍
近年来，随着便携式电子产品的日益增加，快闪(Flash)存储器 的技术及市场应用也日益成熟扩大。这些便携式电子产品。这些便携 式电子产品例如数字相机、移动电话、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA)、游戏机、随身听、可编程IC、数字电视等，皆已大 量采用闪存作为其数据储存或暂存空间。闪存是一种非易失性存储器(Non-Volatile Memory),其运作原理 是通过改变晶体管或存储单元的阈值电压(ThresholdVoltage)来控制 栅极通道的开关以达到存储数据的目的，使储存在存储器中的数据不 会因为电源中断而消失。 一般而言，评估闪存的实用效能不外乎容量、 存取速度、耗电量、与使用寿命(以重复写入的次数计)等等。随着 近年微縮工艺的进步，闪存的容量增加、存取速度增加、与耗电量的 减低皆获得大幅度的进展，只有存储器的使用寿命上相关技术的进展 相对较少，然而对许多消费电子产品例如可录放的数字电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器编码方法，该存储器具有多个存储单元，其特征在于，该方法包括以下步骤：　Ａ、接收多个二进制码，其中该二进制码包括表示需进行编程的一第一二进制码与表示不需进行编程的一第二二进制码；　Ｂ、统计该多个二进制码中为该第一二进制码 和该第二二进制码至少其一的数量；　Ｃ、当该第二二进制码的数量超过该多个二进制码全部数量的一半时，反转该多个二进制码；以及　Ｄ、将该存储器中的存储单元对应于该第一二进制码的部分进行编程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈泳旭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]