一种存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置通过电绝缘层自存储材料的实体分离以建立高电阻状态且通过电绝缘层的至少一部分再合并至存储材料中以建立低电阻状态来编程及擦除。编程及擦除的实体机制包含移动结构空位以形成空隙及／或掺杂材料与主体材料的分离，以沿电极之间的电极间电流路径形成由空隙及／或介电掺杂材料构成的电绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于可编程电阻存储器装置以及操作此存储器装置的方法。
技术介绍
许多电子系统需要非易失性存储器，其在高温下具有非常长的保持时间，且又可 重写以用于更新储存于其中的程序代码(code)及数据。然而，没有多少存储单元技术可满 足此两种要求。可通过以适合于集成电路中所实施的电平(level)施加电流来致使基于相变的 存储材料(如基于硫族化合物的材料及类似材料)在非晶相与结晶相之间变相。在现有的相变存储器中，通过施加电流来储存数据，所述电流对相变材料进行加 热，以致使主动区域在非晶相与结晶相之间转变。因为相变作为加热的直接结果而发生， 所以当主动区域成分由于装置所暴露的环境条件而自非晶相移位至结晶相(或反之亦然) 时，具有相变存储元件的存储单元可能遭受电阻漂移。举例而言，主动区域已复位(reset)至大体上非晶状态的相变存储单元随着时间 的过去可在主动区域中形成结晶区域的分布。若结晶区域连接而形成穿过主动区域的低电 阻路径，则当读取存储单元时，将检测到较低电阻状态，且导致数据误差。见Gleixner的 「Phase Change MemoryReliability」，第22本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包括：一存储单元，包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一存储材料的本体；以及一电路，将一偏压配置施加至该存储单元，该偏压配置包括：一第一偏压配置，引起一电绝缘层自该存储材料的本体分离出的一分离现象，以建立一高电阻状态；以及一第二偏压配置，引起该电绝缘层的至少一部分再合并至该存储材料的本体中，以建立一低电阻状态。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李明修，陈介方，施彦豪，朱煜，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]