本发明公开了一种半导体电荷储存装置结构及其制造方法。该电荷捕捉装置包含一半导体衬底其具有一表面区域，此半导体衬底具有一第一导电型态。一电荷捕捉材料覆盖于该半导体衬底的该表面区域之上且与其连接，该电荷捕捉材料具有一第一介电常数及一第一电荷...

本发明公开了一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法。该制造方法是由一结构开始，一般包含介电填充材料，并具有导线形成在其较低的部位上，以及一牺牲层形成于其上表面之上。在该填充材料中形成二极管，每一二极管具有与该导线相同导电类型的一轻掺...

本发明的一较佳实施例提供了一种俘获式非易失存储单元，其包括有一个其上被形成有一Ｎ＋源极与一Ｎ＋漏极的Ｐ型半导体基底、一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道。一个第一绝缘层、一个非传导式电荷陷获层、一个第二绝缘层、以及一个栅极被依序形成在该...

本发明公开了一种用于刻蚀相变化材料层的方法，其包括以下步骤：提供相变化材料层；以及对所述相变化材料层执行第一刻蚀工艺；用刻蚀剂来执行所述刻蚀工艺，所述刻蚀剂包括氟化物为基础气体，所述氟化物为基础气体的浓度高达所述刻蚀剂总体积的８５％。

一种带隙设计的ＳＯＮＯＳ元件结构，其用于具有各种ＡＮＤ架构的设计来执行源极侧注入编程方法。ＢＥ－ＳＯＮＯＳ元件结构包含分隔氧化物，其安置在覆盖氧化物－氮化物－氧化物－氮化物－氧化物堆栈的控制栅极与覆盖栅极氧化物的次栅之间。在第一实施例中...

本发明是有关于一种半导体装置及其制造方法。该制造方法是先提供半导体基材（如裸硅），并在半导体基材上形成介电层。藉由移除部分介电层，可在介电层中提供开口。共形的第一导电层是形成于介电层与开口上，共形的第二导电层是形成于第一导电层上，共形的...

本发明是有关于一种半导体元件结构，其包含一基板及一图案化层。该图案化层经图案化而具有设置在基板上的开放区及密集区。该图案化层包含在密集区中的一第一图案，邻接于该开放区，及一第二图案。该第一图案具有一第一底部宽度。第二图案具有第二底部宽度...

本发明公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具 有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体 层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存 结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此...

本发明公开了一种半导体装置的数据元件及其制造方法。该方法包括下列步骤：首先，提供第一导体及第二导体。接着，提供导电层；然后，通过等离子体氧化工艺将部分的导电层形成为数据储存层；数据储存层是位于第一导体及第二导体之间。

本发明公开了一种存储器读取方法及存储器，存储器包括一存储单元，此存储单元包括一第一半单元及一第二半单元。存储器读取方法包括下列步骤。施加一第一电压于存储单元以判断第一半单元的阈值电压是否高于一特定值。若第一半单元的阈值电压高于特定值，施...

本发明公开了一种多芯片封装体的测试方法及测试电路。该多芯片封装体包含至少一存储芯片，该存储芯片包含多个存储单元。该方法包含：于该存储单元上进行一正常读取操作，以检查自该存储单元读取的数据是否与该多个存储单元中的预设数据相同；及于该存储单...

本发明公开了一种存储器编程方法及存储器，存储器包括多列存储单元，每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第ｎ列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程，ｎ为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程，则...

本发明公开了一种存储器元件及其操作方法。存储器元件可包括：第一掺质类型的源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域包括第一半导体材料；第二掺质类型的本体区域，本体区域介于源极区域和漏极区域之间，本体包括第二半导体材料；至少在本体区域之上的栅...

本发明公开了一种数据编程与读取方法及应用其的单次可编程存储器。一种方法，用以对存储器进行数据编程，存储器包括多个制造端定义存储区块、多个使用者定义存储区块及信息存储区块。方法包括下列的步骤。首先取得编程数据及编程地址对应指向存储器中的使...

本发明公开了一种位线电压产生器及其控制方法，该位线电压产生器包含一增强放电偏压源及一开关单元。该开关单元包含一箝位晶体管，栅极连接于该增强放电偏压源，漏极接收一电压；一开关晶体管，栅极接收一控制信号，漏极连接于该箝位晶体管的源极，源极连...

本发明披露集成电路存储单元及非易失性存储单元，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，...

本发明披露非易失性存储单元及具有非易失性存储单元的存储器阵列，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一...

本发明公开了一种存储器阵列的操作方法。此操作方法包括进行一编 程操作。在进行编程操作时，施加一第一电压至该存储单元阵列的一位线， 并施加一第二电压至该存储单元阵列的多条字线，以同时编程该位线所对 应的所选的多个存储单元。

一种非易失性存储元件的操作方法。此存储元件包括衬底、栅极、绝缘层、一电荷储存层与多层穿隧介电结构。衬底具有二源／漏极区，通过沟道区分隔。栅极，设置于衬底上。绝缘层设置于该沟道区上。电荷储存层，设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储...

本发明公开了一种存储装置、位线预充电电路及位线预充电方法。该存储装置包括：一存储单元；一箝位晶体管，具有一第一端、一第二端及一控制端，该箝位晶体管耦合于该存储单元；一反相器，具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接于箝位晶体管的第二端，...