三维储存器元件及其操作方法技术

一种三维储存器（３Ｄ？ｍｅｍｏｒｙ）由多层储存器构成。各层储存器包括ｍ条字线、ｎ条位线以及多数起始开关层。其中ｍ，ｎ为自然数。起始开关层由硫族化合物材料构成。在字线ｉ、字线ｉ＋１以及位线ｊ、位线ｊ＋１所围的区域中有两个起始开关层Ｃｉ，ｊ＋１以及Ｃｉ＋１，ｊ，而在字线ｉ＋１、字线ｉ＋２以及位线ｊ、位线ｊ＋１所围的区域中无起始开关层。其中，ｉ为奇数且１≤ｉ≤ｍ－１；ｊ为自然数且ｊ＝１～ｎ－１；上述起始开关层Ｃｉ，ｊ＋１表示连接字线ｉ与位线ｊ＋１的起始开关层；以及上述起始开关层Ｃｉ＋１，ｊ表示连接字线ｉ＋１与位线ｊ的起始开关层。各起始开关层与所连接的字线与所连接的位线构成一储存器内核。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种储存元件，且特别是有关于一种不需存取晶体管(access transistor)的。
技术介绍
典型的储存单元包括一导向元件(steering element)，其例如为一个或多个晶体 管(晶体管即为电晶体，以下皆称为晶体管)，用来存取(access)每一个储存单元。该存取 晶体管也可以是二极管(二极管即为二极体，以下皆称为二极管)，其提供存取储存单元的 位线(bit line)的字线(word line)。尤其是为了读写储存单元的资料，该存取晶体管可 充当用于字线到位线的存取通闸(pass gate)。例如，动态随机存取储存器(DRAM)、快闪储 存器(flash memory)，静态随机存取储存器(SRAM)、传统的硫族化合物(chalcogenide)储 存器、欧式记忆体(ovonic unifiedmemory，0UM)或者相变随机存取储存器(phase-change random accessmemory， PCRAM)需要晶体管或者PN 二极管作为导向元件或者寻址元件 (addressing element)。在DRAM中，该导向元件是晶体管且资料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维储存器，由多层储存器构成，其特征在于各层储存器包括：ｍ条字线，其中ｍ为自然数；ｎ条位线，其中ｎ为自然数；多数个起始开关层，由硫族化合物材料构成，其中仅在字线ｉ、字线ｉ＋１以及位线ｊ、位线ｊ＋１所围的区域中有两个起始开关层Ｃ↓［ｉ，ｊ＋１］以及Ｃ↓［ｉ＋１，ｊ］，其中ｉ为奇数，１≤ｉ≤ｍ－１；ｊ为自然数，ｊ＝１～ｎ－１；上述起始开关层Ｃ↓［ｉ，ｊ＋１］表示连接字线ｉ与位线ｊ＋１的起始开关层；上述起始开关层Ｃ↓［ｉ＋１，ｊ］表示连接字线ｉ＋１与位线ｊ的起始开关层；各起始开关层与所连接的字线与所连接的位线构成一储存器内核，各储存器内核具有一低电压值的第一起始电压和一高电压值的第二起始电压，该...

【技术特征摘要】
US 2004-9-24 10/948,891一种三维储存器，由多层储存器构成，其特征在于各层储存器包括m条字线，其中m为自然数；n条位线，其中n为自然数；多数个起始开关层，由硫族化合物材料构成，其中仅在字线i、字线i+1以及位线j、位线j+1所围的区域中有两个起始开关层Ci，j+1以及Ci+1，j，其中i为奇数，1≤i≤m-1；j为自然数，j＝1～n-1；上述起始开关层Ci，j+1表示连接字线i与位线j+1的起始开关层；上述起始开关层Ci+1，j表示连接字线i+1与位线j的起始开关层；各起始开关层与所连接的字线与所连接的位线构成一储存器内核，各储存器内核具有一低电压值的第一起始电压和一高电压值的第二起始电压，该第一起始电压对应于该起始开关层的一第一储存状态，该第二起始电压对应于该储存器的一第二储存状态；当该字线与该位线之间的电压值为该第一起始电压时，该起始开关层被选通并处于该第一储存状态，当该字线电极与该位线之间的电压值为该第二起始电压时，该起始开关层被选通并处于该第二储存状态，当该字线与位线浮置时，该起始开关层处于非选通状态。2. 根据权利要求1所述的三维储存器，其特征在于其中所述的字线包括一金属材料或 者一类金属材料。3. 根据权利要求1所述的三维储存器，其特征在于其中所述的位线包括一半导体材料 或硅化物。4. 根据权利要求3所述的储存器内核，其特征在于其中所述的半导体材料包括硅。5. 根据权利要求1所述的三维储存器，其特征在于其中所述的起始开关层可用以提供 于一非易失性储存器。6. 根据权利要求1所述的三维储存器，其特征在于其中所述的第一储存状态表示为状 态l，所述的第二储存状态表示为状态O。7. —种在三维储存器中存取储存器内核的方法，该三维储存器由多层储存器构成，各 层储存器包括m条字线，其中m为自然数； n条位线，其中n为自然数；多数个起始开关层，由硫族化合物材料构成，其中仅在字线i、字线i+1以及位线j、位 线j+l所围的区域中有两个起始开关层Ci,j+1以及Ci+1,j， 射i为奇数，l《i《m-l ; j为自然数，j = 1 n-l ;上述起始开关层Ci, j+1表示连接字线i与位线j+l的起始开关层； 上述起始开关层Ci+1, j表示连接字线i+1与位线j的起始开关层； 各起始开关层与所连接的字线与所连接的位线构成一储存器内核，各储存器内核具有 一低电压值的第一起始电压和一高电压值的第二起始电压，该第一起始电压对应于该起始 开关层的一第一储存状态，该第二起始电压对应于该储存器的一第二储存状态；当该字线与该位线之间的电压值为该第一起始电压时，该起始开关层被选通并处于该 第一储存状态，当该字线电极与该位线之间的电压值为该第二起始电压时，该起始开关层 被选通并处于该第二储存状态，当该字线与位线浮...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈逸舟，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]