一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法技术

本发明专利技术公开一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法，非挥发虚拟接地存储器阵列，其可储存两位信息于存储器半导体存储单元中，此非挥发虚拟接地存储器阵列具有一非导电的电荷捕捉介电质，例如氮化硅，其置于至少一电性绝缘层之上，例如是氧化物。存储器阵列的位线可传送正电压至阵列的存储单元的源极／漏极区。一种方法其包括阵列的存储单元的电洞注入抹除，以降低存储单元的临界电压至低于存储单元的初始临界电压的值。电洞注入包括降低临界电压以减少第二位效应，因此可以扩大介于位于已程序化与未程序化临界电压间的操作区间。程序化与读取步骤则可减少在阵列中的存储单元的漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非挥发闪存半导体装置，其可在电力已经从包含 非挥发存储单元的装置被移除时，不中断地储存信息。特别的是，本专利技术是有关于一种使用在一虚拟接地(VG)阵列中之具两位的每一存储单元的 非挥发存储器半导体。而且，本专利技术是有关于程序化在此虚拟接地阵列中 每一存储单元具有两位之非挥发存储器半导体的方法。由于每个存储单元 的双倍存储器密度，其通常被称为多阶闪存，本专利技术可提供一更佳能力的 虚拟接地阵列。本专利技术同时影响非发挥性半导体装置的操作区间，其 允许具两位的每一存储单元的非挥发存储器半导体装置可以更有效的被 使用。本专利技术也可在提供某多个抹除、程序化与读取方法而解决在虚拟接 地阵列中之漏电流问题。
技术介绍
多阶或多位快闪存储单元提供了在没有浪费更多空间下增加储 存于一存储器装置的数据量。反之，单一位存储单元仅可储存两种状 态开启(on)或关闭(off)(典型地标示为0与1)， 一存储单元具有n个位，且使用二进制编码可以储存到2n的状态。 因此，两位存储单元可在四个连续的状态(00 、 01 、 10 与11)中储存数据，且其确实比单独只有0或1的状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法，包括：　该存储器阵列包括：　一半导体基底；　一第一源极／漏极；　一第二源极／漏极；　一井区，位于该第一源极／漏极与该第二源极／漏极之间；　多个存储单元，配置于该 半导体基底上，且位于该第一源极／汲极与该第二源极／漏极之间，每一该多个存储单元包括位于该井区上之至少一氧化层以及位于该至少一第一氧化层的一电荷储存层；　多个字符线，分别连接至该多个存储单元其中之一；以及　多个位线，与该多个存储单 元的该第一源极／漏极与该第二源极／漏极作电性通讯；　该方法包括：　施加一...

【技术特征摘要】
US 2008-9-19 12/233,9041.一种存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法，包括该存储器阵列包括一半导体基底；一第一源极/漏极；一第二源极/漏极；一井区，位于该第一源极/漏极与该第二源极/漏极之间；多个存储单元，配置于该半导体基底上，且位于该第一源极/汲极与该第二源极/漏极之间，每一该多个存储单元包括位于该井区上之至少一氧化层以及位于该至少一第一氧化层的一电荷储存层；多个字符线，分别连接至该多个存储单元其中之一；以及多个位线，与该多个存储单元的该第一源极/漏极与该第二源极/漏极作电性通讯；该方法包括施加一井区参考电压至该多个存储单元的该井区；施加一抹除电压至该多个字符线；以及施加一位线参考电压至该多个位线。2. 如权利要求1所述的存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法， 其特征在于，该多个字符线的该抹除电压为14伏特至20伏特的直流电压。3. 如权利要求1所述的存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法， 其特征在于，该多个存储单元包括配置于该电荷储存层之上的至少一第二 氧化层。4. 如权利要求1所述的存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法， 其特征在于，该多个存储单元包括配置于该电荷储存层之下的至少一第二 氧化层。5. 如权利要求4所述的存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法， 其特征在于，该抹除电压为负14伏特至负20伏特的直流电压。6. 如权利要求1所述的存储器阵列中的非挥发存储单元的运作方法， 其特征在于，还包括一程序化方法，该程序化方法包括施加该井区参考电压至该井区；施加一程序化电压至与一欲程序化存储单元相对应的该多个字符线 其中之一；施加一字符线关闭电压至该存储器阵列中非与该欲程序化存储单元 对应之该多个字符线；施加一存储单元位程序化电压至与该欲程序化存储单元之被选定的 该第一或第二源极/漏极一端所对应的该多个位线，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]