应用于可程序化电阻式存储材料的感测电路制造技术

本发明专利技术揭露的存储单元感测方法是包含选择一存储单元。施加至存储单元的一第一偏压诱发存储单元中的第一反应。施加至存储单元的一第二偏压诱发存储单元中的第二反应，该第二偏压是与第一偏压不同。该方法包含根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值，以决定储存在存储单元的资料值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于根据可程序化电阻式存储材料的高密度存储装置的读取/感测电路，包含类似以硫属化物为基础的材料及其它材料的相变化材料，及此电路的操作方法。
技术介绍
例如硫属化物材料及相似材料的相变化材料的可程序化电阻式存储材料，能由适用于集成电路实施程度的电流的施加，引起非晶态与结晶态之间的相变化。 一般非晶态的特征为具有较一般结晶态高的电阻，其可轻易感知以指示资料。所述特性有益于使用可程序化电阻材料以形成非挥发性存储器电路，其可随机存取及写入。 此处称为重置或程序化的自非晶态变化至结晶态通常是一较低电流操作，其中电流会加热该材料而引起状态间的转换。此处称为重置的自结晶态变化至较高度的非晶态一般是一较高电流操作，其包含一短高电流密度脉冲以熔化或崩溃结晶结构，其后该相变化材料快速冷却，冷却相变化程序及使至少一部份相变化材料在非晶态中稳定化。 相变化存储器中，资料是由引起非晶态与结晶态之间的相变化材料的主动区中的转换而储存。图1是具有低电阻设定(程序化)状态100及高电阻重置(擦除)状态102的两个状态的一的存储单元的图，其中两者之间具有非重叠的电阻范围。 低电阻设定状态100的最高电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元的感测方法，该方法包含：选择一存储单元；施加至存储单元的一第一偏压以诱发存储单元中的一第一反应；施加至存储单元的一第二偏压以诱发存储单元中的一第二反应，该第二偏压与第一偏压不同；及根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值，决定一储存在存储单元的资料值。

【技术特征摘要】
US 2008-9-12 12/209,920一种存储单元的感测方法，该方法包含选择一存储单元；施加至存储单元的一第一偏压以诱发存储单元中的一第一反应；施加至存储单元的一第二偏压以诱发存储单元中的一第二反应，该第二偏压与第一偏压不同；及根据该第一及第二反应之间的差值与一预定参考值，决定一储存在存储单元的资料值。2. 如权利要求l所述的存储单元的感测方法，其中，该施加一第一偏压包含施加一第一电压至该存储单元以诱发存储单元中的一第一电流；该施加一第二偏压包含施加一第二电压至该存储单元以诱发存储单元中的一第二电流，该第二电压与第一电压不同；及该决定储存在存储单元的资料值包含根据该第一及第二反应之间的一差值与一预定参考值来决定该资料值。3. 如权利要求2所述的存储单元的感测方法，其中该决定储存在存储单元中的资料值，还包含根据该存储单元中的该第一电流，设定一感测节点至一第一感测电压；及根据该存储单元中的该第二电流，设定该感测节点至一第二感测电压。4. 如权利要求3所述的存储单元的感测方法，其中该设定一感测节点至一第一感测电压的步骤包含电性耦接一串联安排的一第三电压及一 电阻负载元件至该感测节点，及根据该存储单元中的该第一 电流提供一第三电流通过该串联安排；及该设定该感测节点至一第二感测电压的步骤包含电性耦接串联安排的一第三电压及一电阻负载元件至该感测节点，及经由根据该存储单元中的该第二电流提供一第四电流通过该串联安排。5. 如权利要求4所述的存储单元的感测方法，其中该第三电流与该第一电流成比例；及该第四电流与该第二电流成比例。6. 如权利要求3所述的存储单元的感测方法，其中该决定在存储单元中的资料值，还包含根据该第一感测电压设定一电压于一第一电容器；根据该第二感测电压设定一电压于一第二电容器；根据设定于该第一 电容器的电压与设定于该第二电容器的电压之间的差值耦接一 电压至一感测放大器的一第一输出；及根据该感测放大器的该第一输出的该电压与一施加至该感测放大器的一第二输出的预定参考电压之间的差值产生该感测放大器的一输出信号，该输出信号是指储存在该存储单元中的该资料值。7. 如权利要求6所述的存储单元的感测方法，其中假如该存储单元是在一程序化状态，则该感测放大器的该输出信号包含一第一输出电压，及假如该存储单元是在一重置状态，则该感测放大器的该输出信号包含一...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，马克拉莫瑞，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]