本发明公开了一种半导体结构。此种半导体结构包括：一基板；一第一掺杂区、一第一阱及一第二掺杂区，形成于基板中；多个第一重掺杂区，形成于第一掺杂区中；多个导电体及多个介电质，形成于基板上并介于第一重掺杂区之间；一第二重掺杂区，形成于第一阱中...

本发明提供了一种基板处理方法。该基板处理方法用于显影工艺后的基板，其步骤如下:利用第一喷嘴于基板上持续提供液体，液体与基板之间具有接触角；利用第二喷嘴于液体中持续提供气体，以移除部分液体，暴露部分基板的表面。其中，第一喷嘴沿着第一方向延...

本发明公开了一种隔离结构及其制造方法。隔离结构包括缓冲层和包覆层。缓冲层位于基底的沟道中。包覆层位于沟道中且环绕包覆缓冲层，其中缓冲层未裸露出来且未与沟道接触，且缓冲层的材料与包覆层不同。

本发明公开了一种存储元件及其操作方法。存储元件包括基底、多个字线以及多个虚拟字线。所述字线以及所述虚拟字线位于基底上。每一虚拟字线的至少一侧与字线相邻。至少一字线以及至少一虚拟字线形成一群组。所述存储元件的操作方法包括以下步骤。选择至少...

本发明公开了提供一种读取数据的存储器及其数据读取及写入方法，该存储器包含数据端口、第一存储器及第二存储器。数据端口包含并联设置的B个传输器，在一频率的上升缘及下降缘传送数据。第一存储器包含第一数据总线，第一数据总线包含N条线并联的传送N...

本发明提供了一种存储器装置，具有分开的(divided)参考线结构，支持在包含多个区块的NAND存储器中的子区块抹除。该多个区块中的各区块耦接至一组Y参考线，其中Y为2或更大。该多个区块中的各区块包括一单一参考选择线(reference...

本发明公开了一种存储器装置、传输数据至存储器装置的方法，以及可执行该传输方法的非易失性计算机可读式储存媒体。存储器装置包含：一输入/输出接口，用于接收信号与输出信号。其中，该输入/输出接口是于一频率周期内，或是在一频率周期的上升缘或下降...

本发明提供一种写入电流脉冲驱动器以及产生写入脉冲的方法。写入电流脉冲驱动器包含：参数存储器，存储一组用以辨识写入电流脉冲的特性的参数；以及驱动器电路，用以在输出节点上产生写入电流脉冲，写入电流脉冲具有一前边缘、一后边缘以及一在前边缘与后...

本发明实施例提供了一种改进的三维存储单元、阵列、装置及/或类似物以及其方法。该三维存储单元包括一第一导电层与一第三导电层。第三导电层与第一导电层分离。三维存储单元还包括一通道导电层。通道导电层连接第一导电层与第三导电层。通道导电层、第一...

本发明提供了一种具有栅极结构的半导体元件及其制作方法。该半导体元件，包括一基板、一高压阱、一高压掺杂区、一漏极区、一源极区、一第一栅极结构及一第二栅极结构。基板具有第一导电型。高压阱具有第二导电型且配置于基板中。高压掺杂区具有第一导电型...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一叠层结构、一刻蚀阻挡结构、多个存储结构以及一第一填充切槽。基板具有一凹槽。叠层结构具有一水平延伸区及一垂直延伸区，垂直延伸区沿凹槽的一侧壁延伸，其中叠层结构包括多个导电层和...

本发明提供了一种操作存储装置的方法，该存储装置包括一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个可编程电阻存储元件。通过施加多个编程脉冲至存储单元，以于N个电阻值指定范围中建立电阻值位准，借此编程阵列中的该些存储单元以存储数据，其中各电阻值指定...

本发明公开了一种存储器电路及其操作方法。存储器电路包括一预充电单元以及一感测单元。预充电单元用于在一预充电时期的期间，充电金属位线。感测单元用于在预充电时期的期间，感测一存储单元的一状态，存储单元耦接于金属位线。

本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括M个阵列区及N个接触区。M为等于或大于2的整数。N为等于或大于M的整数。阵列区分别耦接至接触区中的至少一者。接触区分别包括一个阶状结构及多个接触元件。该阶状结构包括交替叠层的多个导电层和多个...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：具有第一导电型的基底、两叠层、具有第二导电型的第一掺杂区、非晶化前注入区以及具有第二导电型的第二掺杂区。两叠层位于基底上，其中各叠层包括介电层以及导体层。介电层位于基底。导体层位...

本发明公开了一种存储装置的操作方法。一种存储装置的操作方法包括如下所述地写入存储装置。首先，提供数据。这些数据包括多个编码。计算所述编码各自的数目。接着，根据所述编码各自的数目产生一对应规则。在对应规则中，所述编码各对应至依序由低至高排...

本发明是有关于一种记忆体，该记忆体包括一记忆体阵列，其具有部署在阵列区块区域中的多个行与列的阵列区块，阵列区块包括排列在行与列中的子阵列的记忆胞，字元线沿着此些列被部署在一图案化栅极层中,而包括位元线的一个或多个图案化导体层沿着此些行被...

本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括N个阵列区及分别耦接至该N个阵列区的N个页缓冲区。N为等于或大于2的整数。该N个阵列区分别包括由多个存储单元构成的一个三维阵列。存储单元具有在三维阵列的一水平存储单元平面上的二相邻存储单元之...

本发明公开了一种存储器及其制作方法，该存储器元件包括第一绝缘层、第二绝缘层、隔离层、浮置栅电极、控制栅电极、通道层以及隧穿氧化层。第二绝缘层邻接第一绝缘层，且与第一绝缘层平行，并与第一绝缘层定义出层间空间。隔离层位于层间空间之中，并且与...

本发明公开了一种输出电路，包括：一输出开关，包含一栅极、一漏极及一阱极，该输出开关的该漏极耦接至一外部I/O总线；一阱控制电路，具有一阱极耦接至该输出开关的该阱极，以维持该输出开关的一阱电压不低于一第一电压及一第二电压的较大者；一栅控制...