本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多个位线层以及多个支撑结构。各位线层沿着第一方向与第二方向所定义的平面延伸。各位线层具有沿着第一方向延伸的多条位线，且各位线具有交替配置的多个宽部与多个窄部。支撑结构位于相邻的位线层的对...

本发明公开了一种控制传送至半导体机台的方法、装置及系统，该控制传送至半导体机台的方法包括：于一半导体机台处理一第一承载体的晶片以进行一处理步骤、于一预定检查时间检查一第二承载体的一位置以得到一检查结果。预定检查时间为处理步骤结束前的一预...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。方法可包括以自对准四重图案化步骤图案化阵列和周边区、并提供以此结合的图案化步骤制作而成的半导体装置。

一种半导体元件，该半导体元件包括基底、介电层、多个第一阻挡层、多个第二阻挡层和多个导体层；其中，介电层位于基底上；第一阻挡层位于介电层中；第二阻挡层位于介电层中，且位于第一阻挡层上；导体层位于介电层中，导体层与第一阻挡层和第二阻挡层连接...

本发明提供了一种闩锁测试装置与方法，且所述闩锁测试方法包括下列步骤：执行设定操作，以依据测试区间设定基准测试值，并利用基准测试值设定触发脉冲与预设误差值；利用触发脉冲测试待测晶圆中的测试芯片，并判别测试芯片是否处于闩锁状态；依据判别结果...

本发明公开了一种半导体元件，包括：基底、具有第一导电型的阱区、具有第二导电型的场区、具有第一导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。阱区位于基底中。场区位于阱区中。第一掺杂区位于场区的第一侧的阱区中。第二掺杂区位于该场区中，其...

本发明提供了一种具有阻抗漂移的非易失性存储器单元与参考单元的集成电路。在该集成电路中，阻抗漂移可由更新非易失性存储器单元与参考单元而解决。方法之一包括，进行编程操作且在该编程操作之后，条件得到满足，则进行该更新。存于参考单元内的参考阻抗...

本发明公开了一种以金属氧化物作为基底的存储器元件及其制造方法，尤其是具有以偏压等离子体氧化工艺所制造的金属氧化物为基底的记忆储存材料的存储器元件，此偏压等离子体氧化工艺可改良存储器单元与顶部电极之间的接口，使操作时具有更均匀的电场，可提...

本发明公开了一种存储器装置及其编程方法，所述存储器装置的编程方法包括下列步骤：在第一期间内，将来自共源极线的第一电压传送至第一与第二存储单元串的第一端，并浮接第一与第二存储单元串的第二端；以及，在第二期间内，浮接第一与第二存储单元串的第...

本发明提供了一种半导体元件。该半导体元件包括：栅极结构、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的多个第二掺杂区、具有第一导电型的第三掺杂区以及具有第二导电型的多个第四掺杂区。栅极结构位于基底上。第一掺杂区位于栅极结构的第一侧的基底中...

本发明提供了改善的半导体存储器元件及制造此类半导体存储器元件的方法。该半导体存储器元件中，栅极结构包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个...

本发明公开了一种半导体结构的形成方法。所述方法包括下列步骤。首先，在位于一埋层上的一缓冲层上形成一叠层，此一叠层由交替的多个导电层和多个绝缘层构成。接着，形成穿过叠层及一部分的缓冲层的一第一开口。此后，在第一开口的一侧壁上形成一间隔物。

本发明公开了一种电路与形成该电路的方法，其中描述的形成电路的方法包括：于基板上利用半导体材料形成半导体材料层，以及形成层间导体接触半导体材料层。此半导体材料层可为薄膜层。于位于半导体材料层之上的层间绝缘体之中刻蚀开口，以于半导体材料层上...

本发明公开了一种导体插塞及其制造方法，导体插塞包括基底、第一介电层、阻挡层、第二介电层、导体层以及衬层。基底具有导体区。第一介电层、阻挡层以及第二介电层依序配置于基底上，其中至少一开口贯穿第一介电层、阻挡层以及第二介电层。此外，开口具有...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。该方法是于基底上形成彼此分隔的至少二个叠层结构与其上的至少二个硬掩模图案。于基底上形成图案化掩模层，图案化掩模层具有开口，所述开口裸露出硬掩模图案的部分顶面及叠层结构之间的部分基底。以图案化掩模层...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基板、一底部绝缘层、二叠层结构、一电荷捕捉结构以及一通道层。底部绝缘层设置于基板上。叠层结构设置于底部绝缘层上。叠层结构包括多个半导体层与绝缘层、一顶部绝缘层及一高掺杂半导体层。...

本发明提供了一种装置和方法以在编程非挥发性存储器时降低位线干扰。该方法包含：提供包含一组存储单元的非挥发性存储器装置；发射编程电压跨越该组存储单元的每一个；侦测每一存储单元的临界电压；基于每一存储单元侦测到的至少一临界电压辨识该组存储单...

一种集成电路包括含有记忆晶体管的立体NAND存储器阵列、多条位线，不同的位线耦接至立体NAND存储器阵列的不同部位，以及位于半导体叠层中的多个晶体管对。半导体叠层中的不同层包括多个晶体管对中的不同的晶体管对。每一个晶体管对包含第一晶体管...

本发明公开了一种存储器装置与其操作方法，该存储器装置的操作方法包括下列步骤：执行编程操作以将原始数据写入至存储器装置中的第一存储器阵列；验证第一存储器阵列中的原始数据，并依据验证结果而决定是否产生写入讯号；依据原始数据产生错误校正码，并...

本发明公开了一种用于控制非挥发性存储器编程的装置。非挥发性存储器包括至少一区块(block)。区块被分割成数个物理区段(physical section)。各个物理区段包括数个存储单元(memory cell)。装置包括一控制器(con...