本发明公开了一种用于写入数据的方法及设备与储存媒体，该写入数据的方法，用于写入数据至一永久(persistent)储存装置之中，该方法包括：将储存在暂时储存装置的多个数据条目(data entry)组合成一个数据单位，该数据单位的大小等...

本发明公开了一种具有一个或多个区块的多个存储单元的三维阵列。区块包括多个层，这些层包括多个半导体条，这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且，多个选择栅...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。这种半导体结构包括一基板、多个叠层、多个存储器层、多个通道层、及多个连接部。叠层设置于基板上。叠层分别包括交替叠层的导电层及绝缘层。存储器层分别设置于叠层的侧壁上。通道层分别设置于存储器层上，通道...

本发明公开了一种半导体元件的制造方法。于基底上形成堆栈层。图案化堆栈层，以形成沿着第一方向延伸的多个堆栈结构，相邻的两个堆栈结构之间具有沿着第一方向延伸的沟道，每一沟道具有多个宽部和多个窄部。宽部沿着第二方向的最大宽度大于窄部沿着第二方...

本发明的实施例有关于半导体元件及制造半导体元件的方法。制造半导体元件的方法包括提供基板以及形成多层于基板之上。多层包括交替的多个第一组成材料层及多个第二组成材料层。所述方法还包括形成伸长支柱。此伸长支柱由基板的至少一顶面延伸。

本发明公开了一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板、一第一芯片、一第一介电层、一介电封装层及至少一第一导孔。第一芯片设置于基板上。第一芯片具有一第一着陆区。第一介电层设置于第一芯片上。介电封装层将第一芯片及第一介电层封...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、多个导电层和多个绝缘层、一第一垂直存储结构和一第二垂直存储结构以及一绝缘沟道(isolation trench)。导电层和绝缘层形成于基板上，其中导电层与绝缘层是交错设置(i...

本发明公开了一种存储器。存储器包括由多个堆叠、多个导电垂直结构、多个存储元件、多个导线及一控制电路。所述堆叠由多个导电条带所组成。所述导电垂直结构正交于所述堆叠。存储元件位于所述堆叠与些导电垂直结构的侧表面的交会点的邻接区域。所述堆叠包...

本发明提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括一存储器阵列和一逻辑单元连接于存储器阵列上。存储器阵列包含有多个用来存储阵列数据的分页，以及多个额外阵列，分别对应这些分页，用来存储额外数据。逻辑单元被建构来接收一读取指令，并在一...

本发明公开了一种对存储器装置进行编程的方法，包括以下步骤：执行一插入编程，包括：在一第一时段对一第一存储单元编程，并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证；在一第三时段对一第二存储单元编程，并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验...

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法。存储器元件包括一多层堆栈结构(multi-layer stacks)以及一阶梯状开口。其中，多层堆栈结构具有相互堆栈的多个绝缘层和多个导电层。阶梯状开口沿第一方向延伸，将一部分的绝缘层和一部分的导...

本发明涉及存储元件及其制造方法。该存储元件包括基底、第一堆叠结构以及多个第二堆叠结构。基底具有第一区与第二区。第一堆叠结构位于第一区的基底上。第二堆叠结构位于第二区的基底上。第一堆叠结构的侧壁与第二堆叠结构的侧壁分别为凹凸表面。

本发明是有关于一种在移除控制栅极期间使用流动材料以形成字线端的半导体装置及其制造方法。该记忆体装置包括多个浮动栅极与控制栅极。在施用一流动材料于记忆体装置后，至少一控制栅极被移除，可以防止在移除控制栅极时，基板受到损伤。本发明还提出了一...

本发明提出一种集成电路，包含彼此耦接的可编程控制元件与电路。电路用于对可程序元件执行编程‑验证(program‑verify)操作，包含：(i)编程操作与验证操作的初始周期，以及(ii)在初始周期后，于可编程控制元件的存储单元电阻值不在...

本发明公开了一种制造半导体装置的方法。该方法包含：准备包含多个凸起部形成在一基板上的一晶圆；这些突起部向上突起在基板的一表面并且具有从基板的表面上测量的一高度。此方法更包含决定代表相邻的突起部之间的间隔的分布的一间隔分布，以及基于高度和...

本发明公开了一种存储器电路及其操作方法，主要涉及在非易失性存储器阵列上进行擦除操作的方法以及低延迟时间的暂停擦除操作。此非易失性存储器阵列，包括多个存储单元区块，且每一这些存储单元区块包括多个存储单元区段。此方法包括针对一擦除指令以辨识...

本发明公开了一种具有内埋层的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：具有第一电性的基板、具有第二电性且形成于基板中的高电压阱、形成于高电压阱中的漂移区，以及具有第一电性的内埋层，其中内埋层形成于高电压阱之下且垂直地对准漂移区。

本发明公开了一种数字温度补偿振荡器电路及其控制方法，该振荡器电路包含一温度计、一电流镜阵列及一振荡器。温度计产生代表一温度的一温度码。电流镜阵列耦接数字温度计以接收温度码，并基于温度码以产生一电流。振荡器耦接电流镜阵列以接收电流镜阵列产...

本发明提供了一种半导体存储装置，包括多个扩散区域对。扩散区域对包括第一与第二扩散区域，每一扩散区域包括一位线晶体管对的源极及漏极区域及与各个扩散区域对接触的多个位线晶体管栅极对，位线晶体管对包括一第一位线晶体管及一第二位线晶体管。位线晶...

本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包括一存储器控制器与一非易失性存储器。非易失性存储器耦接到存储器控制器并储存一映射表与一日志表。该存储器控制器用以将一数据及该数据的一逻辑地址写到该非易失性存储器，并从非易失性存储器的映射表加载相...