本发明公开了一种用以产生可变码长的极化码的方法及装置，该方法包含：产生用于延伸极化码的产生器矩阵，接收包含K个讯息位和N+q-K个冻结位的一输入向量；以及使用该产生器矩阵转换该输入向量为包含N+q个编码位的一输出向量。延伸极化码包含标准...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。存储元件包括多个位线组、多个串选择晶体管栅极、多个电荷储存层以及多个接触窗插塞。多个位线组配置于基底上，每一组位线组包括在第一方向排列的多条位线，每一位线沿第二方向延伸。每一串选择晶体管栅极与两组位...

本发明公开了一种三维存储器结构及其制造方法。此种三维存储器结构包括多个串行、多条第一导线、多条第二导线及多条第三导线。串行平行配置。第一导线配置于串行之上。第一导线的中央部分垂直于串行。第二导线配置于第一导线之上。第二导线连接第一导线的...

本发明公开了一种存储器元件，包括具有多个导电层的多层叠层结构。与基材直交的多个柱状体，每一柱状体包含多个串连存储单元，位于此柱状体与这些导电层的交叉点上。多条串行选择线位于这些导电层上方。多条位线位于这些串行选择线上方，这些柱状体排列于...

本发明是有关于一种以具有薄导电层的半镶嵌工艺来制作字线的方法、形成半导体元件的方法及记忆体元件.可以用来制作无串焊的字线，其可以在字线的间隔小于40纳米时，维持记忆胞的关件尺寸，通过在制作工艺中使用薄导电保护层来保护储存层，并在后续工艺...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底，基底具有正面与正面相反侧的背面。分别在正面与背面上形成第一材料层，且第一材料层对于基底具有第一应力。分别在正面与背面的第一材料层上形成第二材料层，且第二...

本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置具有导电层的多层堆叠。每个垂直排列位向的柱状体包括串联连接的存储单元，存储单元位于柱状体与导电层的交叉点。串选择线(SSLs)于导电层之上通过，柱状体与串选择线的每个交叉点分别定义出柱状体的一个选...

本发明公开了一种存储器元件的制作方法，包括下述步骤：首先于基材上形成多层叠层结构(multi-laver stack)；然后，图案化多层叠层结构，以形成沿着第一方向延伸的多条沟道，藉以定义出多个脊状多层叠层；其中，每一个脊状多层叠层至少...

本发明公开了一种设置于一基底上的存储器结构。该存储器结构包含：多个字线、具有多条第一导电体的第一位垫、第一介电层、第一位线、多个导电岛，以及多个串行选择导线。字线沿第一方向平行设置于基板上。第一导电体与第二方向平行，其中这些第一导电体均...

本发明公开了一种存储装置及其制造方法，该存储装置包括以一绝缘材料分隔开的多个导电条叠层；存储装置还包括多个导电条的至少一底层、多个中间层及一顶层；一参考导体设置于导电条的底层与一基板之间的一层中，参考导体以一绝缘材料层电性绝缘于基板，并...

本发明提供了一种存储元件及其制造方法。该存储元件包括基底、第一掺杂区、多个复合结构、多个字线以及电荷储存层。第一掺杂区位于基底表面。多个复合结构位于第一掺杂区上。每一复合结构包括两个半导体鳍状结构以及介电层。每一半导体鳍状结构包括第二掺...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。这种半导体结构包括一基板、多个叠层、一势垒层-捕捉层-隧穿层结构、多个通道层、一第一绝缘材料及一介电层。叠层形成于基板上。这些叠层分别包括一组交替叠层的导电条及绝缘条、及形成于其上的一第一串行选择...

本发明公开了一种相变化存储器的写入方法及读取方法。相变化存储器具有多个存储单元。写入方法包括以下步骤。施加至少一加压脉冲以老化此些存储单元的至少其中之一。施加一起始脉冲至相变化存储器的所有的存储单元，以提高各个存储单元的阻抗。施加一侦测...

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法。这种存储器结构包括一基板及一电阻。基板具有一沟道。电阻设置于该沟道中。电阻包括一主体及二连接部。主体包括一底部及二顶部。底部位于沟道中，顶部彼此分开地位于底部上。连接部分别位于二顶部上。连接部的电...

本发明提供了一种存储元件及其制造方法。该存储元件包括多个堆叠结构、多个第一阶梯状接触窗以及多个第二阶梯状接触窗。多个堆叠结构于第一方向延伸，且包括第一半导体层与第二半导体层，其中第二半导体层位于第一半导体层上方。多个第一阶梯状接触窗于第...

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，存储器结构包括垂直栅极非易失性NAND阵列，其包括多个垂直叠层的NAND串的非易失性存储器单元、正交地配置在多个垂直叠层的NAND串上面的多条字线，以及电性耦接至多条字线的多个垂直行的导电栅极材料...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。存储元件包括基底、多个半导体条状结构、第一掺杂区、多个第二掺杂区、多个第一接触窗以及多个第二接触窗。每一半导体条状结构沿着第一方向延伸。第一掺杂区包括多个第一部分与第二部分。每一第一部分位于所对应的...

本发明公开了一种存储器元件的修补方法以及其应用元件，其中存储器元件的修补方法包括下述步骤：首先提供含至少一个存储页的存储器元件，此存储页具有多个存储单元串行。之后提供一重复性图案来遮蔽这些存储单元串行的至少二者，并将被遮蔽的存储单元串行...

本发明公开了在此提供一种存储器结构及其制造方法。这种存储器结构包括一基板、多个叠层、多个存储器层、一导电材料及多个导线。叠层位于基板上。叠层通过多个沟槽彼此分离。叠层分别包括交替堆栈的多个导电串线及多个绝缘串线。存储器层分别共形覆盖叠层...

本发明公开了一种电阻式存储器元件及其制造方法，该电阻式存储器元件包括一底部电极，具有通孔的一图案化介电层形成于底部电极上，一势垒层形成于通孔的侧壁和底表面上为一衬里，一环形金属层形成于势垒层的侧壁和底表面上，以及一环形金属氧化物形成于环...