本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括下列步骤：形成一底部绝缘层于一基板上；形成二叠层结构于底部绝缘层上；各个叠层结构包括多个栅极层、多个栅极绝缘层、一顶部绝缘层及一导电掩模层。各个电荷捕捉结构包括多个第一介电...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。在一实施例中，制造半导体元件的方法包括提供一基板。方法更包括于基板上形成具有第一高度的阵列区、具有大于第一高度的第二高度的周围区、及分隔阵列区与周围区的边界区。方法更包括形成多个交替的绝缘及导电层...

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括多个含硅导电层是相互平行地垂直叠层于基板上。多条串行选择线位于含硅导电层上方，并沿第一方向延伸。多条串行垂直于含硅导电层和串行选择线，且电性连接至串行选择线。多条位线位于串行选择在...

本发明公开了一种静电放电保护装置，包括多个压降元件、阻抗元件、驱动电路与箝制电路。所述多个压降元件相互串联在第一配线与节点之间，并用以界定一启动电压。当来自第一配线的讯号大于启动电压时，所述多个压降元件响应于来自第一配线的讯号而将第一配...

本发明公开了一种存储元件，其包括基材、第一电极层、间隙壁、存储层以及第二电极层。其中，基材具有一个凹室。第一电极层位于凹室之中，具有一个由凹室开口暴露于外的上表面。间隙壁覆盖一部分上表面，以在此上表面上定义出一接触区。存储层形成于接触区...

本发明公开了一种用于三维与非门闪存的存储器装置及其操作方法，该存储器装置包括多个存储单元的复数串行。多个导电条带的多个叠层包括作为这些串行中的多条第一串行选择线的多个第一上条带、作为这些串行中的多条第二串行选择线的多个第二上条带，以及作...

本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置的制造方法包括下列步骤。形成二堆叠结构于一基板之上。各个堆叠结构包括多个栅极层、多个栅极绝缘层及一顶部绝缘层；形成一电荷捕捉结构及一通道层，该电荷捕捉结构包括多个第一介电层及多个第二介...

本发明是有关于一种降低记忆体临界电压的方法、非挥发性记忆体的擦除操作方法、及使用该方法的非挥发性记忆体，可用以改善非挥发性记忆体的低临界电压擦除状态正确性。在此方法中，从非挥发性记忆体的多个记忆胞，根据一第一电压与一第二电压选择至少一记...

本发明公开了一种页缓冲器电路及其操作方法，该页缓冲器电路包含多个页缓冲器，这些页缓冲器包含第一页缓冲器。第一页缓冲器用以加载第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲器的输入数据。第一页缓冲器也用以对应第一缓冲器的输入数据及至少一邻近页缓冲...

本发明公开了一种存储器装置及应用其上的方法，该存储器装置包括多个页缓冲器以及控制电路。多个页缓冲器当中不同页缓冲器耦接至存储器阵列的多个位线当中多个不同位线。控制电路响应于一编程指令，经由这些页缓冲器同时设定多个不同目标电压至这些不同位...

本发明公开了一种存储器电路及其操作方法，存储器电路包括存储单元阵列，此存储单元阵列包括多个存储单元的区块。存储器电路包括一控制器，控制器包括用以对此些区块中多个被选区块执行多个编程序列的逻辑单元。编程序列包括编程/验证周期的模式。存储器...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置的制造方法包括：形成一半导体材料条，具有一存储器区域、一第一接触着陆区区域以及一在存储器区域与第一接触着陆区区域之间的开关区域；形成一存储器层于存储器区域中的条的表面上；形成多个存储单...

本发明公开了一种用于执行错误侦测协议的存储器装置及方法。该存储器装置用以执行错误侦测协议。存储器装置包含存储器阵列及第一输入端。第一输入端接收对应于命令周期期间的控制讯号。存储器装置还包含第二输入端，在命令周期期间接收访问控制讯号，并在...

本发明公开了一种垂直型三维存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括存储器单元的一区块，存储器单元包括多个水平有源线的一叠层以及多个垂直切面，这些水平有源线例如是反及(NAND)串行通道线，垂直切面是被水平有源线所穿过并环绕水平有源线，以...

本发明公开了一种半导体装置，包括形成于基板中的金属氧化物半导体及双极性结结构。金属氧化物半导体结构包括第一区域、第二区域、第三区域及第四区域。第一、二与四区域为第一导电型，为金属氧化物半导体结构的漏极区域、漏极电极与源极区域。第二区域的...

本发明公开了一种半导体结构。半导体结构包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一场氧化层、一栅极结构以及一金属层。第一掺杂区具有一第一导电型。第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的一第二导电型。场氧化层位于第一掺杂区上。栅极结构...

本发明是有关于一种接垫结构，包括多个阶梯结构。阶梯结构设置于基底上。各阶梯结构包括相互交替堆叠的多个导体层以及多个介电层。相邻两个阶梯结构借由共用导体层与介电层而彼此相连且沿第一方向平行排列。相邻两个阶梯结构中的一者包括高度沿第二方向逐...

本发明公开了一种布局图案以及包含布局图案的掩模。布局图案包括多个主要图案以及至少一辅助图案。主要图案相互平行且沿第一方向延伸。辅助图案位于最外侧的两个主要图案之间并连接所述两个主要图案，且以第二方向排列。第二方向与第一方向不同。

本发明公开了一种存储器阵列及其操作方法。存储器阵列包含排列成多个列与行的多个存储单元(cell)，其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至此些行的各自的行，多个字线是排列而垂直于此些记忆字符串，各字线被连接至该存储单元...

本发明公开了一种单胞多位式的存储器及其操作方法，该单胞多位式的存储器包括多个实体页面，每一实体页面具有N个可寻址的页面p(n)。由逻辑实施多个可选择程序操作以将被寻址的页面编程。由逻辑选择所述多个可选择程序操作中的一者以利用表示特定实体...