本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：一基板；一第一字线垫(word line pad)，形成于该基板上；以及一第二字线垫，形成于该基板上；其中一间距(space)位于该第一字线垫和该第二字线垫之间，该间距包括一第一...

本发明公开了一种具有埋层的半导体装置，该半导体装置，包括一基板、一高电压阱、一源极区域、一漏极区域以及一埋层，基板具有一第一导电类型，高电压阱具有一第二导电类型，并设置于基板之中，源极区域设置于高电压阱之中，漏极区域设置于高电压阱之中，...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括一基板、至少一第一叠层结构以及至少一第二叠层结构。第一叠层结构设置于基板上，且包括多个交错叠层的金属层与氧化层。第二叠层结构设置于基板上并邻接于该第一叠层结构，且包括多个交错叠层的半...

本发明公开了一种非易失性存储单元及其控制方法。该非易失性存储单元具有一半导体基材、一多层叠层结构。此叠层结构包括位于一浮栅上方的一电荷捕捉层、一上方导体层以及一控制电路。通过在电荷捕捉介电层上施加比第二电荷密度还大的电荷密度，来使写入操...

本发明提供了一种半导体装置。该半导体装置包括第一金氧半导体结构、第二金氧半导体结构以及双极结结构。第一金氧半导体结构包括第一漏极区、第一通道区以及第一源极区，依次沿第一方向排列。第一金氧半导体结构还包括漏极电极，形成于第一漏极区之上且电...

一种电子装置，包括耦接于一存储器装置的一处理器，经由一数据总线在该数据总线上接收及传送位。该处理器用以传送一信息以及传送表明该存储器装置的一操作模式的一第三位，该信息包括表明控制该数据总线的一第一位、表明识别存储器装置的一地址的地址位以...

本发明为一种存储器装置与其相关的抹除方法。该存储器装置包含多个存储区块以及一控制器。该等存储区块包含：至少一第一存储区块与至少一第二存储区块。由控制器执行的抹除方法包含以下步骤：依序于一第一期间及一第二期间对该等存储区块中的至少一第一存...

本发明公开了一种与非门阵列的操作方法。与非门阵列包括由数个存储单元所组成的数个区块。存储单元的一个区块包括数个串行。一通道侧电压可以施加至数个通道线。一控制电压可以施加至此些第一串行选择开关的一已选择子集合此些第二串行选择开关的末端可以...

本发明公开了一种改良非易失性存储器的数据保留与读取性能的方法与装置。在一实施例中，提供一种控制一非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一存储器单元阵列，该存储器单元阵列中的各存储器单元包括一可编程浮接栅。该方法包括编程该非易失性存储...

本发明提供了一种半导体元件的制造方法。首先，于阻障层上形成介电层。接着，于介电层中形成第一开口。第一开口裸露出部分阻障层。继而，于第一开口的底部的阻障层上形成保护层。保护层的中央部分的厚度大于边缘部分的厚度。然后，以保护层为掩模，移除部...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在一基板上形成交错的绝缘层以及导电层的起始堆叠、辨识用于起始堆叠的多个位线位置以及字线位置，其中包括一第一位线位置以及一第一字线位置、自起始堆叠形成第一位线位置中的位线的垂直排列，此位线的垂直排...

本发明公开了一种存储器及其操作方法，该存储器是一与非门阵列，操作存储器的方法即操作与非门阵列的方法。与非门阵列包括由存储单元所组成的数个区块。一区块包括数个与非门串行。与非门串行具有位于数的第一串行选择开关及第二串行选择开关之间的通道线...

本发明公开了一种用以决定刻蚀于晶圆内的接触孔洞的接触边缘粗糙度的方法、装置、系统与计算机程序产品。根据本发明，提供一种方法包括以下步骤：取得对应于一接触孔洞的图像数据，基于至少部分图像数据决定一孔洞轮廓；孔洞轮廓可用以描述自接触孔洞的参...

本发明公开了一种存储元件，可配置来做为一种三维与非门快闪存储器，包括多个导电条带叠层，其又包括具有侧壁的多个偶数叠层与多个奇数叠层。叠层中部分的导电条带可配置来做为字线。多个数据储存结构配置于偶数叠层与奇数叠层的侧壁上。介于导电条带的相...

本发明公开了一种具有金属层的半导体装置及其制造方法，该种半导体装置包括基板、高压阱、源极阱、源极区、隔离层及金属层。基板具第一导电型，高压阱形成于基板中并具第二导电型，源极阱形成于高压阱中并具第一导电型，源极区形成于源极阱中，隔离层形成...

本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包含多个存储器单元及耦接至存储器单元的控制电路。控制电路用以：提供一第一编程电压至该些存储器单元；以一中间位准验证电压验证该些存储器单元，以依据该些存储器单元是否未到达或已到达该中间位准验证电压而...

本发明公开了一种存储器元件的接触窗结构及其制造方法，存储器接触窗结构包括一沟道，位于与层状的导电及绝缘层相邻之处，此些层内衬于沟道的侧边与底部。移除沟道的一部分，以暴露出一表面，在此表面中的一层上方被提供至导电层的电连结。

本发明公开了一种具应用程序信息感知的数据处理方法以及系统，该数据处理系统包括储存装置、接口模块以及排程器。接口模块经由第一数据路径发送非优先次序化要求，并经由第二数据路径传递应用程序的应用层信息。排程器耦接至第一及第二数据路径，其分别依...

本发明公开了一种三维垂直栅极半导体结构与半导体元件及其制造方法，该方法包括下列步骤：提供基板；形成多个层于基板之上，这些层包括交替的第一绝缘材料层及第二绝缘材料层；确认形成位线及字线的位置；在已确认的位线位置及字线位置之外，移除层的至少...

本发明公开了一种具有金属保护层的可变电阻式存储器及其制造方法。存储单元的制造方法包括：于一存取装置上形成一绝缘层，其次是形成通过绝缘层的通孔以暴露第一存取装置端子以及第二存取装置端子。接着形成延伸通过通孔的第一层间导体以及第二层间导体。...