本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括图案化多层堆栈结构、半导体覆盖层、存储材料层以及通道层。图案化多层堆栈结构位于基材上，具有至少一条沟道，以定义出多个脊状多层叠层，其中每一个脊状多层叠层至少包括一导电条带。半导体覆盖...

本发明公开了一种可调式镜射比率的电流镜，包括一电流源、一镜射电路、一回馈电路及一可调整元件。电流源用以产生一参考电流；镜射电路具有一第一节点及一第二节点，第一节点用以使一第一镜射电流通过，第二节点用以使一第二镜射电流通过；回馈电路耦接至...

本发明公开了一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在基底上形成第一材料层。在第一材料层上形成第二材料层。在第二材料层上形成掩膜层。以掩膜层为掩膜，进行第一蚀刻工艺，移除部分第二材料层，裸露出第一材料层，并形成第一图案层及第二图案层。以掩...

本发明提供了一种半导体元件的制造方法，其包括以下步骤：在基底上形成鳍状结构，相邻的鳍状结构问具有开口；形成导体材料层，覆盖鳍状结构并填满开口；图案化导体材料层及鳍状结构，以形成网状结构，该网状结构具有在第一方向延伸的第一条状物与在第二方...

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括叠层结构、多个第一盖层以及多个第二盖层。叠层结构位于基底上。叠层结构包括相互交替叠层的多个第一导体层以及多个介电层。第一盖层分别位于第一导体层的侧壁上。第二盖层分别位于介电层的侧壁上。

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。存储元件包括基底、多个叠层结构、多个导体柱、多个电荷储存层以及多个第三导体层。叠层结构位于基底上，叠层结构沿着第一方向排列且沿着第二方向延伸，其中每一叠层结构包括多个第一导体层和多个介电层沿着第三方...

本发明提供了一种具有晶界切换的存储器装置及用于制造其的方法。该存储器装置包括在插在第一电极及第二电极之间的晶团材料。晶团材料包括埋在非结晶基体中的纳米晶粒。在操作期间，相变化反应发生在晶团材料中的晶粒间边界处，使得能降低操作功率。

本发明提供具有多个大型通孔(例如是位于接合衬垫之下)的半导体元件，以增加通孔的开口区域比例、增加通孔刻蚀率、并避免金属层间介电层碎裂及对集成电路造成损害。通孔被定义为位于金属层间介电层中介于被隔离的一导电底基层及一导电顶部层之间的一大型...

本发明公开了一种可变电阻式存储器、及其操作方法与操作系统。操作方法包括以下步骤。分别操作一写入电压及一写入电流为一第一预定电压值及一第一预定电流值。施加写入电压及写入电流至可变电阻式存储器的一存储单元。若存储单元的一读取电流未落入一预定...

本发明提供了一种非挥发性存储元件及其制造方法。在一些实施例中，非易失性存储元件包括基材、由多个非易失性存储单元组成的立体阵列及多个垂直通道。立体阵列包括由多个绝缘层彼此分开的多个导电层，导电层包括顶层及一或多个底层，顶层包括n个串列选择...

本发明公开了一种GaSbGe相变化存储器材料、基于该相变化存储器材料的高密度存储器装置及该高密度存储器装置的制造方法。该相变化存储器材料包括GaxSbyGez，其中Ga原子百分比x在20％至45％的范围内、Sb原子百分比y在25％至40...

本发明公开了一种存储装置与其操作方法，所述存储装置的操作方法包括下列步骤：对存储装置中的与非门存储阵列进行操作程序；响应于暂停信号中断操作程序，并记录与非门存储阵列的状态以取得中断数据；响应于恢复信号恢复操作程序，并依据中断数据进行操作...

本发明的实施例提供了一种改善的三维非易失性存储器装置及其相关的方法。在一个实施例中，提供了一种三维非易失性存储单元串列。该串列包括一中心，沿着串列的轴延伸，该中心于垂直该轴的平面具有一椭圆形横截面；以及多条字线，每一条字线设置环绕一部分...

本发明提供一种存储器的制造方法。在层间导体的阵列上形成绝缘层，蚀刻绝缘层以定义对应阵列中第一层间导体的第一开口，其中蚀刻停止于第一层间导体的第一上表面。在第一上表面上形成金属氧化层。沉积与金属氧化层以及第一开口的表面共形且接触的第一阻挡...

本发明公开了一种存储器装置与其读取方法，存储器装置包括：多个导电叠层结构，包括至少一串选择线、多条字线与至少一接地选择线；多个存储器单元，形成于这些导电叠层结构之内；多条位线，形成于这些导电叠层结构之上；以及至少一奇共同源极线，与至少一...

本发明公开了一种相变存储器元件的修复方法，此修复方法包括下述步骤：首先，提供至少一个存储单元，使此存储单元包含具有偏移(shift)电流-电阻特性函数的相变存储材料。接着，对相变存储材料施加一回复应力(healing stress)，使...

本发明公开了一种存储器装置，具有多个导电层的多层堆栈结构，其中每一个导电层被分割成彼此分离的字线，且每一条字线定义一区块的存储单元。垂直走向的多个柱状体，每一个柱状体包括多个串联连接的存储单元，位于柱状体与导电层的交叉点上。多条串选择线...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底；在上述基底上形成材料层，上述材料层具有开口；在上述基底上以及上述开口的侧壁上形成第一防护材料层；以及对上述第一防护材料层进行处理，以形成第二防护材料层。...

本发明公开了一种环绕式栅极垂直栅极存储器结构和半导体元件及其构建方法，该构建方法包括：在基板上形成一多层结构，使多层结构具有交错叠层的多个第一绝缘材料层和导电材料层；识别用来形成位线和字线的位线位置和字线位置；移除多层结构在被识别的位线...

本发明公开了一种具有三维NAND存储器的电容器的集成电路及其制造方法，该集成电路包括具有导电串叠层的三维NAND存储器阵列以及具有电容器端子串叠层的电容器。导电串叠层中的多条导电串以及电容器端子串叠层中的多条电容器端子串相对于基板共享多...