用以测定椭圆环绕式栅极闪存的电性质的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种改善的三维非易失性存储器装置及其相关的方法。在一个实施例中，提供了一种三维非易失性存储单元串列。该串列包括一中心，沿着串列的轴延伸，该中心于垂直该轴的平面具有一椭圆形横截面；以及多条字线，每一条字线设置环绕一部分的中心，这些字线沿着该轴隔开，且每一条字线对应存储单元其中之一。在各种实施例中，定义至少一操作参数以改善三维非易失性存储器装置的操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例是有关于半导体装置，特别是，用以测定环绕式栅极(GATE-ALL-AROUND，GAA)闪存的电性质的方法。
技术介绍
闪存装置可以典型地被分类成或非门(NOR)或与非门(NAND)闪存装置。这样的闪存装置可以三维架构的形式在彼此间的顶部堆叠存储单元或层。在垂直NAND串中，由于非完美的过程(non-perfect processes)(例如使用非正交的刻蚀角＜90°的过程)，故每一层具有不同的直径。至于与圆形存储单元相关的三维NAND闪存，一个完美的圆柱型孔或圆形存储单元可以提供在每一个区段中具有相等的电性质的高度对称结构。然而，过程变异仍然可能造成非圆形形状。由于非完美的过程，沿着一串列难以得到均匀的孔，故从顶部存储单元到底部存储单元的电性质可能因为非圆形而极为不同。各种模型已经被提出以分析GAA存储器性质，包括电流-电压(I-V)性质以及在一理想的圆形形状上瞬时的编程/抹除。据此，有必要在本领域中提供有关于非易失性存储器装置的电性质的测定，非易失性存储器装置例如是具有对应非圆形结构的GAA结构的三维NAND装置。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供用以测定对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维快闪存储单元串列，其特征在于，该串列包括：一中心，沿着该串列的一轴延伸，该中心于垂直该轴的一平面具有一椭圆形横截面；多条字线，各该字线设置环绕一部分的该中心，该些字线沿着该轴隔开，且各该字线对应于该些存储单元其中之一。

【技术特征摘要】
2015.05.14 US 62/161,332;2015.10.13 US 14/881,3501.一种三维快闪存储单元串列，其特征在于，该串列包括：一中心，沿着该串列的一轴延伸，该中心于垂直该轴的一平面具有一椭圆形横截面；多条字线，各该字线设置环绕一部分的该中心，该些字线沿着该轴隔开，且各该字线对应于该些存储单元其中之一。2.根据权利要求1所述的三维快闪存储单元串列，其特征在于，该串列包括：一第一存储单元，于垂直该轴的一第一平面具有一第一椭圆形横截面，该第一椭圆形横截面定义一第一主要轴和一第一次要轴；以及一第二存储单元，于垂直该轴的一第二平面具有一第二椭圆形横截面；该第二椭圆形横截面定义一第二主要轴和一第二次要轴；其中：该第一存储单元和该第二存储单元为相邻的存储单元，且至少该第一主要轴和该第二主要轴为不同或该第一次要轴和该第二次要轴为不同。3.根据权利要求1所述的三维快闪存储单元串列，其中该中心包括：沿着该轴延伸的一通道区；一隧穿层环绕该通道区；一捕捉层环绕该隧穿层；以及一阻隔层环绕该捕捉层。4.根据权利要求1所述的三维快闪存储单元串列，其中该中心具有一外表面，该外表面定义对于垂直该轴的该平面的一角度小于90°。5.根据权利要求3所述的三维快闪存储单元串列，其中各该字线环绕一部分的该阻隔层。6.根据权利要求1所述的三维快闪存储单元串列，其中各该存储单元的至少一电性质被模拟为具有圆形横截面的一个相对应的结构的该电性质。7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中该至少一电性质为电压分布、漏极至源极电流、能量转移以及电场至少其中之一。8.一种用以改善包括具有一环绕式栅极结构的多个存储单元的一三维非易失性存储器装置的效能的方法，其特征在于，该方法包括：测定该些存储单元至少其中之一的至少一操作参数，测定该至少一操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：程政宪，李致维，古绍泓，吕文彬，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71