半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底；在上述基底上形成材料层，上述材料层具有开口；在上述基底上以及上述开口的侧壁上形成第一防护材料层；以及对上述第一防护材料层进行处理，以形成第二防护材料层。上述第二防护材料层的第一表面具有不同于上述第二防护材料层的第二表面(内部)的性质，上述第一表面位于上述第二防护材料层中相对远离上述材料层的一侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体元件的集成化，为了达到高密度以及高效能的目标，在制造半导体元件时，倾向形成向上叠层的结构，以更有效利用晶圆面积。因此，具有高深宽比(high aspect ratio)的半导体结构或开口经常出现在小尺寸元件中。在制造上述元件时，为了防止接触窗侧壁产生漏电流，通常会在开口(接触窗开口)的侧壁上形成防护层。然而，在形成防护层之后，在形成防护层时所使用的反应气体，会在开口中形成凝结物。一旦开口的底部的凝结物无法完全被移除而残留下来成为凝结缺陷(condensation defect)将会阻挡后续的刻蚀工艺，使得开口底部的防护层无法完全移除，因而导致盲孔或是造成良率下降。因此，在深宽比高的半导体结构中，如何将防护层形成于开口的侧壁上，避免防护层残留在开口的底部的表面上，为当前所需研究的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体元件的制造方法，其可有效地将防护层形成于具有高深宽比的半导体结构的开口的侧壁上，避免防护层残留在开口的底部的表面上。本专利技术提供一种半导体元件的制造方法。上述半导体元件的制造方法包括以下步骤。提供基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一材料层，该材料层具有一开口；在该基底上以及该材料层的该开口的侧壁上形成一第一防护材料层；以及对该第一防护材料层进行一处理，以形成一第二防护材料层，该第二防护材料层的一第一表面具有不同于该第二防护材料层的一第二表面的性质，该第一表面位于该第二防护材料层中相对远离该材料层的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一材料层，该材料层具有一开口；在该基底上以及该材料层的该开口的侧壁上形成一第一防护材料层；以及对该第一防护材料层进行一处理，以形成一第二防护材料层，该第二防护材料层的一第一表面具有不同于该第二防护材料层的一第二表面的性质，该第一表面位于该第二防护材料层中相对远离该材料层的一侧。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该第二防护材料层为一复合层，该复合层包括：一第一层，位于该材料层的该开口的侧壁上；以及一第二层，位于该第一层上，其中，该第一层的厚度相同于该第二层。3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该第二防护材料层为一复合层，该复合层包括：一第一层，位于该材料层的该开口的侧壁上；以及一第二层，位于该第一层上，其中，该第一层的厚度不同于该第二层。4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该第二防护材料层的材料包括氮化硅、氮氧化硅或其组合。5.根据权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中该第二防护材料层的材料更包括富硅二氧化硅、掺硼二氧化硅、掺磷二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：裘元杰，洪士平，陈光钊，陈彦儒，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71