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本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，半导体元件的制造方法包括以下步骤：提供基底；在上述基底上形成材料层，上述材料层具有开口；在上述基底上以及上述开口的侧壁上形成第一防护材料层；以及对上述第一防护材料层进行处理，以形成第二防护材料层。上述...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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