本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括：第一导电条带、第一存储层、第一导电柱状体、第一介电层以及第一导电插塞。第一导电条带沿第一方向延伸。第一存储层沿第二方向延伸，并邻接第一导电条带，且与第一导电条带重叠，而在第一存储...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，存储器装置具有各种黏合层厚度的受覆盖接垫结构，存储器装置制造方法包含形成底黏合层在一穿孔中，穿孔是形成在隔离层中；形成一底导电塞在底黏合层中；形成一顶黏合层在底黏合层及底导电塞上；形成一顶导电塞在...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该方法包括：在基底上形成多个鳍状结构，上述鳍状结构之间具有沟道；以及进行循环工艺至少2次。上述循环工艺包括：沉积工艺以及刻蚀工艺。沉积工艺是在上述沟道中填入第一导体材料层，上述第一导体材料层覆盖上...

本发明公开了一种半导体结构与掩模。半导体结构形成于基底上，其包括第一区与第二区；第一区包围第二区；第一区具有第一图案密度；而第二区具有第二图案密度，其中第一图案密度小于第二图案密度；第二区包括中央区与边界区；中央区具有第一临界尺寸；边界...

本发明公开了一种有源元件及应用其的高压半导体元件，该高压半导体元件包括一基板、一第一阱具有第一导电态并白基板的表面向下延伸、多个有源元件是彼此相距地形成于基板上，且相邻的有源元件通过一绝缘物而彼此电性绝缘。一有源元件包括一扩散区域掺杂第...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、多个鳍状结构、多个导体衬层、电荷储存层、多个第一导体层以及多个填充柱。鳍状结构位于基底上，相邻两个鳍状结构之间具有沟道。导体衬层位于基底上。每一导体衬层覆盖鳍状结构的部分侧壁及...

本发明公开了一种三维半导体元件及其制造方法，该三维半导体元件包括：具有包括N个梯级的一阶梯区域的一基板，其中N为大于或等于1的整数；具有多层结构叠置于基板的一叠层，且多层结构包括有源层与绝缘层交错于基板上，叠层包括多个次叠层形成于基板上...

本发明公开了一种存储器装置与其操作方法，该操作方法包括：决定该存储器装置的一操作状态；当决定该存储器装置操作于一第一操作状态时，施加一重设脉冲至该存储器装置；当决定该存储器装置操作于一第二操作状态时，施加该重设脉冲与至少一第一递增式脉冲...

本发明提供了一种3D半导体存储器中的LC模块的布局设计配置，其避免大的段差高度。此布局设计配置建立绝缘/导电层对，其中邻近的对在高度上的差异不超过两个绝缘/导电层对的厚度。

本发明公开了一种电阻式随机存取存储器单元及其制造方法，是有关于一种以金属氧化物为基础的存储器装置及其制造方法，且特别是有关于一种存储器装置，其具有以金属氧化合物为基础的数据储存物质，其制造方法是利用粗糙度调整工艺，包括在底电极表面形成存...

本发明提供了一种功率源电路及其驱动方法。该功率源电路，包括：一功率供应输入管脚，接收一芯片外供应电压，该芯片外供应电压具有一可变电流；一芯片上功率源，由该芯片外供应电压供电，并提供一调控电流；一存储器阵列；以及一组一个或多个电路，耦接至...

本发明提供了一种存储器结构。该存储器结构包括一绝缘层、一第一电极层以及一第一阻障层。绝缘层具有一凹室。第一电极层形成于凹室内，且第一电极层具有一第一上表面。第一阻障层形成于绝缘层与第一电极层之间，且第一阻障层具有一第二上表面。第二上表面...

本发明公开了一种存储器操作方法及相关的存储器装置，该存储器操作方法包括以下步骤：对存储单元施加第一读取电压；当第一读取电压无法读取存储单元的数据时，对存储单元施加第二读取电压。该存储器装置包括：一存储器阵列，包括至少一存储单元以储存数据...

本发明提供了一种使用包电平状态值和包状态电路的存储器。其中，一种集成电路存储器包含存储器阵列，包含多条数据线。缓冲器结构耦接到多条数据线，包含多个存储元件用以对数据线存储多个位电平状态值。存储器包含逻辑，用以根据缓冲器结构中的存储元件的...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括多个叠层结构以及介电层。所述叠层结构配置于基底上。所述介电层配置于所述基底上，覆盖所述叠层结构。相邻两个所述叠层结构之间具有空气间隙，所述空气间隙的顶端高度高于所述叠层结构的顶端。

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，该存储元件包括基底、多个隧穿介电层、多个隔离结构以及多个顶盖层。隧穿介电层位于基底上。每一隔离结构具有上部与下部。隔离结构的下部位于基底中，且与隧穿介电层沿着第一方向相互交替。隔离结构的上部位于下部...

本发明公开了一种存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括多个导电条叠层，导电条叠层的导电条是与绝缘条交错。导电条叠层包括导电条的至少一底部平面、导电条的多个中间平面、导电条的一顶部平面、及一附加的中间平面。多个垂直结构是被正交地配置于多...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括一基板、一叠层、一开口、一氧化层及一导电体。叠层由交替的导电层和绝缘层构成。叠层形成于基板上。开口贯穿叠层。氧化层形成于开口的侧壁上，导电体填充于开口中。导电体与开口的侧壁只由氧...

本发明公开了一种电荷泵电路与其控制方法，该电荷泵电路包括：并联的多个分枝电路，各这些分枝电路包括串联的多个子方块，且各这些子方块包括一单位泵电路。该电荷泵电路更包括：多个频率传送电路，耦合至这些分枝电路的相关联多个分枝电路，以提供多个频...

本发明公开了一种具有含氧控制层的存储装置及其制造方法，该存储装置，包括一第一金属层及一第二金属层、一金属氧化层以及至少一含氧控制层。金属氧化层是配置于第一金属层与第二金属层之间。至少一含氧控制层是配置于金属氧化层与第一及第二金属层的其一...