半导体元件及其制造方法技术

技术编号:13396988 阅读:38 留言:0更新日期:2016-07-23 17:13
本发明专利技术公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括多个叠层结构以及介电层。所述叠层结构配置于基底上。所述介电层配置于所述基底上,覆盖所述叠层结构。相邻两个所述叠层结构之间具有空气间隙,所述空气间隙的顶端高度高于所述叠层结构的顶端。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体元件,包括:多个叠层结构,配置于基底上;以及介电层,配置于所述基底上,覆盖所述叠层结构,其中,相邻两个所述叠层结构之间具有空气间隙,所述空气间隙的顶端高于所述叠层结构的顶端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑嘉文
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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