功率源电路及其驱动方法技术

本发明专利技术提供了一种功率源电路及其驱动方法。该功率源电路，包括：一功率供应输入管脚，接收一芯片外供应电压，该芯片外供应电压具有一可变电流；一芯片上功率源，由该芯片外供应电压供电，并提供一调控电流；一存储器阵列；以及一组一个或多个电路，耦接至该存储器阵列，并由来自该芯片上功率源的该调控电流供电。集成电路可包含控制电路，以于该存储器阵列执行存储器操作，控制电路由至少来自功率供应输入管脚的芯片外供应电压供电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器电路的功率源，存储器电路例如充电泵(chargepump)。
技术介绍
随着非易失性存储器例如闪存的工艺尺寸持续缩小，存储器电路的低耗电变得更加重要了。存储器电路的耗能由消耗电流所决定的，因为功率＝电压×电流＝电流2×电阻。某些型式的存储器电路所依赖的供应电压，可能高于提供至集成电路(包含存储器阵列)输入的供应电压。此种电路的范例包含充电泵和输出驱动器。充电泵及输出驱动器也汲取相对较高的峰值电流。升压电路及多相时钟为汲取相对较高峰值电流的其他型式存储器电路，此种电路可能需要或可不需要依赖较高的供应电压。所依赖的供应电压高于供应至集成电路电压的这些电路，及/或汲取相对较高峰值电流的这些电路，消耗不同的功率量。峰值功率可破坏集成电路(包含存储器阵列)的功率源。因此有需要控制集成电路消耗的峰值功率。
技术实现思路
此技术的一方面为功率源电路，包括功率供应输入管脚、芯片上(on-chip)功率源、存储器阵列、及一组一个或多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率源电路，其特征在于，包括：一功率供应输入管脚，接收一芯片外供应电压，该芯片外供应电压具有一可变电流；一芯片上功率源，由该芯片外供应电压供电，该芯片上功率源提供一调控电流；一存储器阵列；以及一组一个或多个电路，耦接至该存储器阵列，并由来自该芯片上功率源的该调控电流供电。

【技术特征摘要】
2015.01.14 US 62/103,285;2015.10.07 US 14/877,7231.一种功率源电路，其特征在于，包括：
一功率供应输入管脚，接收一芯片外供应电压，该芯片外供应电压具有一可变电流；
一芯片上功率源，由该芯片外供应电压供电，该芯片上功率源提供一调控电流；
一存储器阵列；以及
一组一个或多个电路，耦接至该存储器阵列，并由来自该芯片上功率源的该调控电流
供电。
2.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该组一个或多个电路包含以下至少一个：一
充电泵、一电容性升压电路、一输出驱动器、以及一时钟电路。
3.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该组一个或多个电路包含一充电泵，该充电
泵包括：
多个串联耦接的充电泵级，配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级；
其中，该多个充电泵级包含：一输入节点；一输出节点；一通道晶体管，电性耦接至该输
入节点及该输出节点；一第一升压电容器，耦接至该输出节点；及一第二升压电容器，耦接
至该通道晶体管的一栅极。
4.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该组一个或多个电路包含一充电泵，该充电
泵包括：
多个串联耦接的充电泵级，配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级；
其中，该多个充电泵级包含：一输入节点；一输出节点；一通道晶体管，电性耦接至该输
入节点及该输出节点；一第一升压电容器，耦接至该输出节点；及一第二升压电容器，耦接
至该通道晶体管的一栅极；
其中，该芯片上功率源提供该调控电流至下列至少一个：(i)该第一升压电容器；(ii)
该第二升压电容器；及(iii)该第一级的该输入节点。
5.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该组一个或多个电路包含一充电泵，该充电
泵包括：
多个串联耦接的充电泵级，配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级，其
中该些充电泵级的一特定级包含：
一第一晶体管，选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点；
一第二晶体管，选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极；
其中该特定级位于一阱中，该阱被多个阱接点所围绕；及
其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义，该输出节点由该阱中的一第二区域所
定义，该第一区域及该第二区域位于该第一晶体管的该栅极的不同侧，该第一区域沿着该
第一区域的一第一周长与该多个阱接点的一最近者的平均距离为一第一距离，该第二区域
沿着该第一区域的一第二周长与该多个阱接点的一另一最近者的平均距离为一第二距离，
该第二距离短于该第一距离。
6.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该组一个或多个电路包含一充电泵，该充电
泵包括：
多个串联耦接的充电泵级，配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级，其
中该些充电泵级的一特定级包含：
一第一晶体管，选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点；
一第二晶体管，选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极；
其中该特定级位于一阱中，该阱被多个阱接点所围绕；及
其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义，该输出节点由该阱中的多个第二区域
所定义，该第一区域位于该多个第二区域之间。
7.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该芯片上功率源包含多个平行电流源，该些
平行电流源组合提供该芯片上功率源所提供的该调控电流。
8.根据权利要求1所述的功率源电路，其中该芯片上功率源包含：
一参考电流源；
多个晶体管，具有至少两不同宽度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭武钦，李俊毅，陈耕晖，张坤龙，洪俊雄，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71