半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其制造方法。方法可包括以自对准四重图案化步骤图案化阵列和周边区、并提供以此结合的图案化步骤制作而成的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例是有关于一种半导体装置及制作此半导体装置的方法。
技术介绍
制作集成电路的工艺大体而言可分类为沉积、图案化及掺杂。经由使用此些不同的工艺所制作的具有多个元件的多种复杂结构，而可以制作出一个半导体装置。光刻工艺是形成一基板上的三维图案化以形成基板上的图案。可进行多个光刻工艺结构刻蚀和/或研磨抛光以制作出最终的半导体装置。光光刻工艺(photolithography)或光学光刻工艺(opticallithography)包括使用光敏感性高分子或光刻胶曝光并显影以形成基板上的三维图案化。基板被光刻胶覆盖的部分会受到保护而不受到后续的刻蚀、离子掺杂或其他特定工艺的影响。光光刻的工艺一般可包括以下步骤：准备基板、提供光刻胶、预烘烤(prebaking)、曝光、曝光后的烘烤、显影、后烘烤(post-baking)。光刻胶可以经由任意数目的工艺施加于基板上。一般来说，使光刻胶横跨基板具有均匀的厚度是重要的。选择性地，可以在施加光刻胶层之前，施加一层底抗反射涂布层(bottomantireflectivitycoating，BARC)于基板上。典型地，可以在施加光刻胶之前施加黏着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一基板；一第一字线垫(word line pad)，形成于该基板上；以及一第二字线垫，形成于该基板上；其中该第一字线垫包括一第一垫宽(pad width)及一第二垫宽，该第一垫宽与一字线相邻，该第二垫宽相对于该字线，该第一垫宽不等同于该第二垫宽。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一字线垫(wordlinepad)，形成于该基板上；以及一第二字线垫，形成于该基板上；其中该第一字线垫包括一第一垫宽(padwidth)及一第二垫宽，该第一垫宽与一字线相邻，该第二垫宽相对于该字线，该第一垫宽不等同于该第二垫宽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中一间距(space)位于该第一字线垫和该第二字线垫之间，该间距包括一第一间距宽度，该第一间距宽度是以a表示。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一垫宽小于该第二垫宽。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该第一垫宽小于该第二垫宽0.05至1.5倍的该第一间距宽度a。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该第一垫宽小于该第二垫宽0.05倍的该第一间距宽度a。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该第一垫宽小于该第二垫宽1.5倍的该第一间距宽度a。7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该第二字线垫包括一第一宽度和一第二宽度，其中该第二字线垫的该第一宽度小于该第二字线垫的该第二宽度1.5倍的该第一间距宽度a。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一字线垫是该第二字线垫的一镜像(mirrorimage)。9.一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基板；沿该基板形成一膜叠层(filmstack)；以及刻蚀该膜叠层以形成一第一字线垫和一第二字线垫，其中该第一字线垫包括一第一垫宽及一第二垫宽，该第一垫宽与一字线相邻，该第二垫宽
\t相对于该字线，该第一垫宽不等同于该第二垫宽。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，更包括：沿该膜叠层形成一第一芯部(core)材料；沿该膜叠层形成一第二芯部材料；图案化该第二芯部材料以形成一图案化第二芯部层；沿该图案化第二芯部层的多个侧壁形成多个第二芯部间隔物；移除该图案化第二芯部层；图案化该第一芯部材料以形成一图案化第一芯部层；沿该图案化第一芯部层的多个侧壁形成多个第一芯部间隔物；以及移除该图案化第一芯部...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪钰珉，韩宗廷，徐妙枝，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71