本发明为一种用于实现动态装置修复的存储装置及相应的写入方法，存储装置包括一存储阵列、一冗余阵列(redundancy array)以及一冗余映像存储器(redundancy mapping store)。存储阵列包括多个存储单元，冗余阵...

本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括：一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一...

本发明公开了一种用以管理具有实体地址空间的存储器使用率的方法及装置，该方法包括将数据对象的逻辑地址与实体地址空间内的位置进行对应，以及定义一个活动窗口为实体地址空间内的一个多个地址区段；该方法包含允许数据对象的写入，该数据对象的逻辑地址...

本发明提供了一种存储器元件。该存储器件具有横向划分为多个字线的多个导电层的多层堆叠结构。垂直方向的柱状体各包含多个串连存储单元，位于柱状体与导电层的交叉点上。串列选择线位于导电层上方，并定义出柱状体的选择栅极。多条位线位于串列选择线上方...

本发明公开了一种具有镜像落着区的多层三维结构及一种集成电路，集成电路包括区块以及位于区块之上的全局线。区块包括多个阶层，阶层包括存储单元的二维阵列，二维阵列包括与耦接于对应的多个存储单元的垂直线交错的水平线，阶层包括与给定区块中的水平线...

本发明提供一种存储器系统，其具有以离散及共享端口的配置与集线器耦接的多个存储器装置。多个总线线路将多个存储器装置连接至集线器，其中包含以点对点的配置连接于集线器与特定存储器装置之间的总线线路的第一子集，以及连接至包含特定存储器装置的多个...

本发明提出用以控制对应于一非易失性存储装置的电压阀值分布的方法及关联的装置，该非易失性存储装置的存储单元执行一功能。在一实施例中，提出一种方法。该方法可包括提供该非易失性存储装置。该装置包括一或多个串，各串包括多个存储单元，该些存储单元...

本发明公开了一种存储器结构。此种存储器结构包括一第一芯片。第一芯片具有一阵列区及一周边区。第一芯片包括一第一叠层及多个贯穿结构。第一叠层设置在周边区中。第一叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。贯穿结构分别包括一开口、一介电层及一通...

本发明公开了一种芯片对数据库的接触窗检测方法，包括取得晶片中数个接触窗的实际影像，并对所述实际影像的位置进行译码，以得到图形文件。将图形文件与芯片的设计数据库(design database)对准。然后，对所述实际影像进行影像萃取，以得...

本发明公开了一种线路布局以及线路布局的间隙壁自对准四重图案化的方法，该方法包括：形成i个核心层，每一核心层包括：主体层，沿着第一方向延伸，且具有第一端以及第二端；以及末端层，连接于主体层的第一端，且朝向第二方向凸出；形成第一间隙壁，于核...

本发明公开了一种包括高电压二极管的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基板、配置于基板中的一高电压N型阱(high-voltage N-well，HVNW)、配置于基板中且邻近HVNW是边缘的一大块P型阱、配置于HVNW中的一高...

本发明公开了一种三维叠层半导体结构及其制造方法。三维叠层半导体结构包括多个多层柱体彼此相距地形成于一基板上，多个第一导体形成于相邻的多层柱体之间，多个电荷捕捉层形成于基板上和多层柱体的侧壁处以隔开第一导体和多层柱体，和一第二导体形成于第...

本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。根据一实施例，此种三维存储器包括一薄膜晶体管。此一薄膜晶体管具有分开设置的一源极区及一漏极区。源极区包括一第一源极区及一第二源极区，第二源极区设置于第一源极区与漏极区之间。第一源极区为p型掺杂，第...

本发明提供了一种静电放电保护结构，包括第一导电型基底、基底中的第二导电型阱区、第一导电型的第一与第二掺杂区、第二导电型的第四至第六掺杂区以及第一与第二栅极。第一与第二掺杂区分别在阱区、基底中。第一与第二栅极分别在非阱区的基底表面上。第三...

本发明是有关于一种高深宽比结构，包括基底、多个堆叠结构以及多个支撑结构。堆叠结构位于基底上，相邻两个堆叠结构之间具有沟渠。每一堆叠结构包括多个第一材料层及多个第二材料层。第二材料层与第一材料层相互交替。支撑结构分别位于基底与堆叠结构之间...

本发明公开了一种有源元件及应用其的半导体元件，该半导体元件包括一基板；一第一阱具有一第一导电态并自基板的表面向下延伸；一扩散区域掺杂第一导电态的不纯物并自第一阱的表面向下延伸；和多个有源元件形成于扩散区域内，且这些有源元件彼此相距地设置...

本发明公开了一种适用于集成电路的输入电路与其中的保护电路。上述保护电路包括晶体管、电压选择器、反相器、电阻、以及开关电路。晶体管耦接保护电路的输入端。电压选择器耦接晶体管与保护电路的该输入端，将保护电路的输入端的电压与接地电压其中较低者...

本发明公开了一种读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置。存储器装置包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。此方法包含以下步骤。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一...

本发明提供了一种存储器元件及其制作方法。其中，一种立体NAND闪存，包括偶数和奇数导电条带堆叠结构。导电条带堆叠结构中的一些导电条带件构来作为字线。多个数据存储结构位于偶数和奇数导电条带堆叠结构的侧壁上。多个主动柱状体包括多个偶数和奇数...

本发明提供了一种存储器元件的制造方法，此存储器元件可配置为三维与非闪存。存储器元件包括多个导电条带叠层，导电条带叠层包括具有侧壁的多个偶数叠层与多个奇数叠层。叠层中部分的导电条带可配置来作为字线。多个数据存储结构配置于偶数叠层与奇数叠层...