本发明公开了一种半导体装置，包括：一物理参数感应电路，用以感应一物理参数的一变化；一施加参数产生电路，耦接至该物理参数感应电路，用以根据一转移函数，从该物理参数的该变化来调整一施加参数，该转移函数定义该物理参数与该施加参数之间的关系；以...

本发明公开了一种具有多个存储单元的存储器元件及其制作方法。该存储器元件包括由多个由导电条带所构成的多个叠层结构。其中，这些导电条带是被多个绝缘条带所分隔。包含浮置栅极的数据储存结构是沿着叠层结构中的导电条带设置。垂直通道膜设置于叠层结构...

一种存储单元写入方法及其应用，此方法包括下述步骤：获取存储阵列中至少一个存储单元的第一临界电压。识别存储单元的目标临界电压，并根据第一临界电压来决定用来使存储单元达到目标临界电压所需要的写入射击的数目。将存储单元所需数目的写入射击施加至...

本发明公开了一种存储器装置，其包括多条字线、多条位线及存储单元阵列。其中，所述位线分别与所述字线交叉，且位线与字线之间的夹角不等于直角。存储单元阵列包括分别配置于字线与位线的交叉点处的多个存储单元，其中每一列的存储单元与其中一条字线电性...

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一下电极、一上绝缘层、一材料层、一共享开口、一介电膜、与一上电极。上绝缘层位于下电极上。材料层位于上绝缘层上。上绝缘层与材料层具有一共享开口以露出该下电极的一部分。介电膜位于下电极露...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括：包含第一导电层和第一介电层的一叠层、形成于叠层上的一第二导电层、穿过第二导电层和叠层的多个开口、及分别形成于开口中的多个贯穿结构。贯穿结构分别包括一存储器层、一栅介电层、一通道...

本发明公开了一种具有梯度注入区的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括具有第一导电型的基板、设置于基板中并具有第二导电型的高压阱、设置于高压阱中并具有第一导电型的源极阱、设置于高压阱中并与源极阱分隔的漂移区，以及设置于高压阱中并介于源...

本发明公开了一种三维存储器元件，包括多层叠层结构，多层叠层结构包括多个导电条带及多条沟道，以定义出第一、第二、第三和第四脊状叠层；位于第一脊状叠层上的第一串行选择线开关；位于第二脊状叠层上的第一接地选择线开关；第一U形存储单元串行，串接...

本发明公开了一种三维半导体元件，包括多条接地选择线区段分隔开地形成于一基板上，且这些接地选择线区段是彼此电性绝缘和相互平行地延伸，接地选择线区段是沿第一方向延伸；多个叠层结构垂直形成于接地选择线区段上，且各叠层结构包括交替叠层的半导体层...

本发明公开了一种存储装置，包括：一可编程电阻式存储单元阵列；一差动放大器，耦接至可编程电阻式存储单元阵列，其中差动放大器感测一位线上的一第一电压及一参考电压之间的一电压差，并响应于电压差提供一反馈信号，其中位线耦接至一存储单元。控制电路...

本发明公开了一种具有输出补偿的半导体装置，该半导体装置包括放大器、通过晶体管、补偿电路与偏压产生电路。放大器具有输出端。通过晶体管具有栅极与输出端，栅极耦接至放大器的输出端，通过晶体管的输出端耦接至负载。补偿电路耦接于放大器的输出端与通...

本发明公开了一种数据配置方法，包括以下步骤：判断欲写入一实体存储区块的一数据为热数据或冷数据；若该数据为热数据，依据一热数据配置顺序自该实体存储区块中搜寻至少一第一空白子区块以配置该数据；若该数据为冷数据，依据一冷数据配置顺序自该实体存...

本发明提供一种存储器装置的抹除方法。其中，存储器装置包含多个存储器区块，每一存储器区块包含n个子区块。本发明抹除方法包含以下步骤：从多个存储器区块中的一第一存储器区块中选择一第一抹除区域，第一抹除区域包含至少一个子区块；对第一存储器区块...

本发明提供了一种改良式半导体存储器元件，以及制造此改良式半导体存储器元件的方法。此方法可在垂直存储单元中形成栅极时包括二个以上的氮化物移除步骤。此二个以上的氮化物移除步骤可允许产生较宽的栅极层以提升栅极填充、降低空穴的出现机率，从而改善...

一种将数据自内存写回储存装置的方法，内存包括多个数据单元以储存数据，该方法包括：针对各数据单元，计算将数据写回储存装置所对应的写回能量；依据各数据单元所对应的写回能量，将这些数据单元分类成多个群组，这些群组各自对应一写回能量等级；自这些...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括一存取装置、一介电层、一势垒层、一第一层间导体、一第一势垒衬层、一第二层间导体、一第二势垒衬层、一存储元件及一顶电极层。存取装置具有二个端子。介电层覆盖存取装置。势垒层设置在介电...

本发明公开了一种嵌入式系统，包含将被执行的一程序。程序被分割为多个重叠区段。嵌入式系统包括一处理器，用以请求多个重叠区段其中之一。请求的重叠区段包括即将被处理器执行的程序的一区段。嵌入式系统也包括一第一层级存储器，耦接至处理器。第一层级...

本发明提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基板、具有第一导电型且位于基板中的阱区、具有第二导电型且具有多个分支设置于阱区中的第一掺杂区、具有第一导电型且具有多个分支的第二掺杂区、以及具有第一导电型且设置于阱区中的第三掺杂区...

本发明公开了一种垂直通道结构，包括基底、多个叠层结构、电荷储存结构、通道结构与介电结构。叠层结构设置于基底上。在叠层结构之间具有开口。电荷储存结构设置于开口的侧壁上。通道结构设置于电荷储存结构上与开口底部的基底上。介电结构包括第一介电层...

本发明提供了一种立体存储器元件及其制造方法。该立体存储元件包括：半导体基材、源极线、栅极线以及多个串接存储单元。半导体基材具有一凸出部。源极线位于半导体基材之中并且延伸于凸出部的下方。栅极线包围且覆盖于凸出部上，并与凸出部和源极线电性隔...