半导体装置与其补偿方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置，包括：一物理参数感应电路，用以感应一物理参数的一变化；一施加参数产生电路，耦接至该物理参数感应电路，用以根据一转移函数，从该物理参数的该变化来调整一施加参数，该转移函数定义该物理参数与该施加参数之间的关系；以及一主电路，耦接至该施加参数产生电路，该施加参数产生电路所产生的该施加参数用以补偿该物理参数的该变化对该主电路的操作所造成的影响。

Semiconductor device and compensation method thereof

The invention discloses a semiconductor device, including: a physical parameter sensing circuit for a change in a physical parameter of induction; an applied parameter generating circuit, coupled to the physical parameters of the induction circuit, according to a transfer function, from the changes of the physical parameter to adjust the parameters applied, transfer the function definition the relationship between the physical parameters and the applied parameters; and a main circuit coupled to the applied circuit parameters, the parameters of the applied parameters generated by the circuit by applying to the changes of the physical parameters of the main circuit of the compensation caused by operation.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其补偿方法
本专利技术涉及半导体装置与其补偿方法。
技术介绍
半导体存储器装置在现代电子装置之中十分重要。半导体存储器装置的种类繁多，阻变存储器装置属于其中一种。阻变存储器装置包括相变形存储器(PhaseChangeMemory，PCM)与过渡金属氧化物电阻存储器(transitionmetaloxideresistivememory，TMOReRAM)。阻变存储器装置的数据储存可通过改变其电阻值而达成。阻变存储器装置的电阻值是温度的函数，亦即，阻变存储器装置的电阻值受到存储器装置温度的影响。通常来说，当装置温度升高时，阻变存储器装置的感应窗口(sensingwindow)变小。如果考虑多个存储器单元的电阻值分布的话，则在高温下，感应窗口甚至可能会消失，导致读取失败(readfail)。图1显示现有技术中，施加固定读取电压所得到的电阻温度关系图，其中，参考电阻水平(referenceresistancelevel)是固定式的。如果所读出的电阻值高于参考电阻水平，则该存储器单元被判断为处于高阻抗状态(highresistancestate)，例如是重设状态(resetsta本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一物理参数感应电路，用以感应一物理参数的一变化；一施加参数产生电路，耦接至该物理参数感应电路，用以根据一转移函数，从该物理参数的该变化来调整一施加参数，该转移函数定义该物理参数与该施加参数之间的关系；以及一主电路，耦接至该施加参数产生电路，该施加参数产生电路所产生的该施加参数用于补偿该物理参数的该变化对该主电路的操作所造成的影响。

【技术特征摘要】
2016.01.18 US 62/279,856;2016.01.22 US 62/281,7561.一种半导体装置，包括：一物理参数感应电路，用以感应一物理参数的一变化；一施加参数产生电路，耦接至该物理参数感应电路，用以根据一转移函数，从该物理参数的该变化来调整一施加参数，该转移函数定义该物理参数与该施加参数之间的关系；以及一主电路，耦接至该施加参数产生电路，该施加参数产生电路所产生的该施加参数用于补偿该物理参数的该变化对该主电路的操作所造成的影响。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该物理参数感应电路包括一温度感应电路，该温度感应电路为一内部半导体温度感应电路或一外部半导体温度感应电路；其中，该温度感应电路的一输出参数是温度的函数，该输出参数包括：一电压参数、一电流参数、一脉冲波形参数或一脉冲时序参数。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该主电路包括多个存储器单元；以及如果各所述存储器单元包括一存储器元件与一开关，该转移函数包括该存储器元件与/或该开关的温度效应。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该主电路包括多个多阶单元，对于所述多阶单元，不同的存储器状态对应至不同的转移函数；当该物理参数感应电路感应到温度改变时，该施加参数产生电路产生不同的读取电压，但产生一固定参考电流。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，判断施加一第二读取电压所得到的一第二读取电流是否大于一第二参考电流，其中，该第二读取电压是一温度函数但该第二参考电流则为固定；如果该第二读取电流大于该第二参考电流，判断施加一第一读取电压所得到的一第一读取电流是否大于一第一参考电流，其中，该第一读取电压是一温度函数但该第一参考电流则为固定；如果该第一读取电流大于一第一参考电流，则决定该多阶单元是一第一状态；以及，反之，决定该多阶单元是一第二状态；如果该第二读取电流小于该第二参考...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明修，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71