本实用新型涉及一种电子元件。该电子元件包括：第一载板，具有在第一方向上延伸的第一连接件，第一连接件具有第一侧面；第二载板，具有在第一方向上延伸的第二连接件，第二连接件与第一连接件相对；以及回流连接件，由可回流材料形成并且将第一连接件连接...

本实用新型涉及一种电子器件。该电子器件包括：第一芯片；第二芯片，在横向方向上与第一芯片相邻；第一线路层，位于第一芯片和第二芯片下方，第一线路层包括连接第一芯片与第二芯片的第一线路以及连接第一芯片与第二芯片的第二线路，第一线路的线宽/线距...

本申请提供了一种半导体封装结构，包括电子元件和第一线路层，其中，电子元件包括第一面以及与第一面在垂直方向上相对的第二面；第一线路层邻近第一面，第一线路层包括彼此电性不接触的重分布线和第一散热图案。本申请至少可以解决半导体封装结构内部的电...

本实用新型实施例提供了一种电镀框架，包括母框和固定件，其中，母框具有开口，母框与固定件组合形成电镀框架，固定件位于母框的一侧，并且母框的开口的至少部分是暴露的。本实用新型实施例提供的电镀框架至少解决了电镀框架和被镀物的连接处密合度不佳的...

本申请提出一种半导体元件，通过将保护层设置在导通孔处，使保护层与电极上方的焊垫间隔开，从而电极上方的焊垫不受保护层的影响而相对较薄，可以缩短外/内导电路径，减少传输损耗，而且焊垫表面不受开孔太深的影响而造成凹陷，在对外连接时可以提高键合...

本实用新型的实施例提供了一种半导体结构，包括：载板；第一半导体管芯，设置在载板上，第一半导体管芯的有源面朝向载板；模制化合物，包覆载板和第一半导体管芯，第一半导体管芯的无源面相对于模制化合物暴露，无源面用于供环境信号通过。本实用新型的目...

本申请提供的半导体封装结构，在内埋元件基板结构中的电子元件高度大于基板厚度时，将电子元件凸出于基板的球侧而不凸出于基板的芯片侧，从而使位于芯片侧的重布线层与基板间的间距减小，进而使导通孔的高度降低，提高了电性良率。电性良率。电性良率。

本发明的实施例提供了一种天线封装结构，包括：第一基板以及位于第一基板上的第一天线；第二基板以及位于第二基板上的第二天线，第一基板位于第二基板上，第一天线和第二天线的操作频率不同。本发明提供了一种天线封装结构及其形成方法，增加了天线的增益...

本公开实施例涉及一种用于半导体封装结构的检测系统，包括：加热炉；光学系统，位于加热炉外部，加热炉的侧面开设有透视窗，光学系统经由透视窗获取加热炉内的待测物的影像。本实用新型的目的在于提供一种用于半导体封装结构的检测系统，以观察半导体封装...

本实用新型涉及一种电子装置，该电子装置包括：载板，配置有第一磁性元件；天线板，位于所述载板上，配置有第一天线，所述第一天线的一端连接于所述天线板，所述第一天线的另一端为自由端。所述第一天线配置有用于与所述第一磁性元件发生相斥或相吸的第一...

本申请提供了一种半导体封装件及其形成方法，该半导体封装件包括管芯以及基板，其中，基板包括层状堆叠的多个层，管芯设置于基板上，基板中内埋有管状结构，管状结构的截面形状是封闭的，并且管状结构具有在水平平面中的接合面。本申请提供的半导体封装件...

本发明涉及一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：第一管芯；第一散热结构，设置在第一管芯的表面上；第二管芯；位于第一管芯下方；第二散热结构，设置在第二管芯的表面上；散热路径，与第一散热结构的表面和第二散热结构的表面接触。表面接触。表面接触。

本发明提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；光集成电路，位于第二基板上方；电集成电路，光集成电路通过第一基板和第二基板电性连接至电集成电路。本发明的上述技术方案，能够改善封装结构的电性连接性...

本发明提供了一种封装结构及其形成方法。封装结构包括：基板；电集成电路，位于基板上方；中介层，位于基板与电集成电路之间。其中，电集成电路通过具有贯通孔的中介层与基板电性连接。本发明的上述技术方案，能够使得EIC与基板的电性连接路径缩短，改...

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：芯片，芯片的主动表面和侧面设置有绝缘层；基板，基板的表面与芯片的主动表面的绝缘层贴合，并且基板与芯片电连接。该半导体封装装置增大了芯片和基板之间的接触面积，能够有效分担混合键合...

本公开提供了半导体结构及其制造方法，通过设置第一底部介电层露出部分第一有源组件的方式，减薄了第一底部介电层的厚度，进而可以在第一底部介电层上按照该方式进行其他电子组件的堆栈，以此缩减半导体结构的整体厚度，实现半导体封装产品的小型化与轻薄...

本揭露提供了一种电镀装置及制造封装结构的方法。根据本公开的一些实施例，电镀装置包括:一第一总线；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，...

本发明提供了一种电容器结构，包括：第一电容器，具有第一电极和第二电极；第二电容器，具有第一电极和第二电极，第一电容器的第一电极、第二电极、第二电容器的第二电极和第一电极在第一方向上依次重叠，并且第二电容器的第二电极与第一电容器的第二电极...

本发明提供了一种半导体结构，包括：第一基板；第二基板，位于第一基板上方；中介结构，设置于第一基板和第二基板之间，用于连接第一基板和第二基板，中介结构具有暴露于半导体结构的侧面的外部端子。本发明的目的在于提供一种半导体结构，以增大结构的利...

本申请提出了一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构，通过设置具有变截面的导电柱实现高密度线路结构与低密度线路结构的电性连接，取代目前先激光钻孔后电镀形成的导通孔结构，由于导电柱结构具有电性更佳，可靠性更高等优点，因而可以解...