电镀装置及制造封装结构的方法制造方法及图纸

本揭露提供了一种电镀装置及制造封装结构的方法。根据本公开的一些实施例，电镀装置包括:一第一总线；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中所述第一总线的所述第一端部的阴极的间隙大于所述第一部分的阴极的间隙。一部分的阴极的间隙。一部分的阴极的间隙。

【技术实现步骤摘要】
电镀装置及制造封装结构的方法


[0001]本公开涉及一种电镀装置，并且更具体地涉及使用此电镀装置形成封装结构的方法。

技术介绍

[0002]为了增加产率，四边形的基板及应用于四边形基板的电镀装置开始被广泛地使用于各种半导体制造及/或封装之制程，例如电镀制程。在方形的基板上执行电镀制程时，会使用排列成对应基板形状的电极。由于在基板的夹角(corner)处容易累积电荷，使得夹角处的电场大于其他区域的电场，造成夹角处金属离子沉积的速度会大于其他区域，形成的电镀层会有均匀度不佳的问题。因此，需要寻求一种新的电镀装置及方法以改善上述的问题。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例，一种电镀装置包括:一第一总线(bus line)；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中所述第一总线的所述第一端部的阴极的间隙大于所述第一部分的阴极的间隙。
[0004]根据本公开的一些实施例，一种制造封装结构的方法包括：提供一电镀装置，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一电镀装置，包括：一第一总线；以及一第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述第一总线包括一第一端部靠近所述第二总线，以及远离所述第二总线的一第一部分，其中所述第一总线的所述第一端部的阴极的间隙大于所述第一部分的阴极的间隙。2.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一部分是所述第一总线的相对于所述第一端部的一第二端部。3.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第二总线包括靠近所述第一总线的一第三端部，以及远离所述第一总线的一第二部分，其中所述第二总线的所述第三端部的阴极的间隙小于所述第二部分的阴极的间隙。4.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一部分是所述第一总线的一第一非端部，所述第一总线进一步包括相对于所述第一端部的一第二端部，所述第一总线的所述第二端部的阴极的间隙大于所述第一非端部的阴极的间隙。5.根据权利要求4所述的电镀装置，其中所述第二总线包括一第三端部靠近所述第一总线、一第二非端部，以及一相对于所述第三端部的第四端部，其中所述第二非端部的阴极的间隙小于所述第二总线的所述第三端部的阴极的间隙，且所述第二非端部的阴极的间隙小于所述第二总线的所述第四端部的阴极的间隙。6.根据权利要求3所述的电镀装置，其中所述第二部分是所述第二总线的相对于所述第三端部的一第四端部。7.根据权利要求2所述的电镀装置，其中所述第二总线包括靠近所述第一总线的一第三端部，所述第三端部的阴极的间隙小于所述第一端部的阴极的间隙。8.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一总线的所述第一端部不包括阴极。9.根据权利要求1所述的电镀装置，其中所述第一总线连接所述第二总线。10.一种制造封装结构的方法，包括：提供一电镀装置，其包括第一总线，以及第二总线，其中所述第一总线及所述第二总线之间具有一夹角，所述电镀装置进一步包括靠近所述夹角的一第一区块及远离所述夹角的一第二区块；以及提供位于所述第一区块内的第一总线的电场小于位于第二区块内的第一总线的电场。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一区块包括所述第一总线的靠近所述夹角的一第一端部及所述第二总线靠近所述夹角的一第二端部，所述第二区块包括所述第一总线的远离所述夹角的一第一部分或所述第二总线的远离所述夹角的一第二部分，且位于所述第一区块内的电场会与位于所述第二区块内的所述第一总线的电场或位于所述第二区块内的所述第二总线的电场实质上相同。12.根据权利要求11所述的方法，其中提供位于所述第一区块内的所述第一总线的电场小于位于所述第二区块内的所述第一总线的电场包括：提供所述第一区块的阴极的间隙大于所述第二区块的阴极的间隙的所述电镀装置。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二区块是所述第一总线的相对于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉峻，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：