高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构制造技术

本申请提出了一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构，通过设置具有变截面的导电柱实现高密度线路结构与低密度线路结构的电性连接，取代目前先激光钻孔后电镀形成的导通孔结构，由于导电柱结构具有电性更佳，可靠性更高等优点，因而可以解决以激光钻孔制程电性连接扇出层与基板造成的电性损失的问题。失的问题。失的问题。

【技术实现步骤摘要】
高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构


[0001]本申请涉及半导体封装
，具体涉及一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构。

技术介绍

[0002]目前的半导体封装中，倒装芯片球栅格阵列(Flip Chip Ball Grid Array，FCBGA)基板(substrate)要先透过扇出(Fan out)层再接裸芯片(Die)，并且在扇出层激光钻孔后进行电镀制程形成导通孔(Through via)，使用导通孔让裸芯片与扇出层及基板进行电连接。
[0003]然而，扇出层的成本居高不下，且扇出层与基板层叠贴附后，所进行的激光钻孔制程其高深宽比(或者说深径比)的特性，使后续的电镀制程无法匹配，孔的底部无法得到有效电镀，且电镀制程会有气泡问题(void issue)，因而会造成电性损失，影响结构效能。

技术实现思路

[0004]本申请提出了一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构。
[0005]第一方面，本申请提供一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构，包括：导电柱，具有变截面，用于实现所述高密度线路结构与所述低密度线路结构的电性连接。
[0006]在一些可选的实施方式中，所述导电柱位于所述高密度线路结构内。
[0007]在一些可选的实施方式中，所述导电柱穿越所述高密度线路结构中的至少两层线路层。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述导电柱的侧面包括呈现内凹曲面状的曲面部分。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述导电柱的至少一端的宽度小于中间部位的宽度。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述导电柱从一端至另一端依次包括第一端部、第一过渡部、中间部位、第二过渡部和第二端部，其中，所述第一过渡部和/或所述第二过渡部的表面呈现内凹曲面状。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述高密度线路结构为高级方形扁平无引脚封装aQFN结构，所述低密度线路结构为基板。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述aQFN结构包括：第一表面，设置有第一导电焊盘，用于对接电子元件；第二表面，与所述第一表面相对，设置有第二导电焊盘，用于对接所述基板；所述导电柱，用于电性连接所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘。
[0013]在一些可选的实施方式中，所述aQFN结构与所述基板之间填充有底部填充材料。
[0014]在一些可选的实施方式中，所述基板包括以下基板中的一种：BT树脂基板和无芯基板。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述导电柱的一部分伸出所述高密度线路结构的一侧表面之外。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述高密度线路结构包括位于内部的线路层和位于表面的导电焊盘，所述线路层、所述导电焊盘与所述导电柱的金相不同。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述线路层为压延铜，所述导电焊盘为电镀铜，所述导电柱为块铜。
[0018]为了解决以激光钻孔制程电性连接扇出层与基板会造成电性损失的问题，本申请提出了高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构，通过设置具有变截面的导电柱实现高密度线路结构与低密度线路结构的电性连接，取代目前先激光钻孔后电镀形成的导通孔结构，由于导电柱结构具有电性更佳和可靠性更高等优点，因而可以解决以激光钻孔制程电性连接扇出层与基板造成的电性损失的问题。
附图说明
[0019]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0020]图1是根据本申请的多层线路结构的一个实施例1a的纵向截面结构示意图；
[0021]图2是根据本申请的一个实施例的导电柱的纵向截面结构示意图；
[0022]图3是根据本申请的多层线路结构的一个实施例3a的纵向截面结构示意图；
[0023]图4A
‑
4F分别是根据本申请的制造多层线路结构的方法的一个实施例在各个阶段制造的多层线路结构的剖视示意图；
[0024]图5A
‑
5B分别是根据本申请的制造多层线路结构的方法的另一个实施例在各个阶段制造的多层线路结构的剖视示意图。
[0025]附图标记/符号说明：
[0026]10
‑
导电柱(Pillar)；11
‑
曲面部分；12
‑
第一端部；13
‑
第一过渡部；14
‑
中间部位；15
‑
第二过渡部；16
‑
第二端部；20
‑
高密度线路结构；201
‑
第一表面；202第二表面；21
‑
线路层；22
‑
介电层；23
‑
导通孔；24
‑
第一导电焊盘；25
‑
第二导电焊盘；26
‑
第一导电端子；27
‑
第二导电端子；30
‑
低密度线路结构；40
‑
芯片；50
‑
底部填充材料；60
‑
引线框架(Lead frame)；601
‑
第一面；602
‑
第二面；603
‑
上凸柱；604
‑
下凸柱。
具体实施方式
[0027]下面结合附图和实施例对说明本申请的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本申请所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。
[0028]应容易理解，本申请中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0029]此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本文中使用的空间
相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0030]本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板(substrate)可以是一层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高密度线路结构与低密度线路结构组成的多层线路结构，其特征在于，包括：导电柱，具有变截面，用于实现所述高密度线路结构与所述低密度线路结构的电性连接。2.根据权利要求1所述的多层线路结构，其特征在于，所述导电柱位于所述高密度线路结构内。3.根据权利要求2所述的多层线路结构，其特征在于，所述导电柱穿越所述高密度线路结构中的至少两层线路层。4.根据权利要求1所述的多层线路结构，其特征在于，所述导电柱的侧面包括呈现内凹曲面状的曲面部分。5.根据权利要求4所述的多层线路结构，其特征在于，所述导电柱的至少一端的宽度小于中间部位的宽度。6.根据权利要求5所述的多层线路结构，其特征在于，所述导电柱从一端至另一端依次包括第一端部、第一过渡部、中间部位、第二过渡部和第二端部，其中，所述第一过渡部和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：石立节，黄文宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：