本发明提供一种分散液，是包含无机氧化物粒子和氰尿酸锌粒子的分散质粒子分散于液态介质中而得到的，所述无机氧化物粒子是无机氧化物粉体，所述无机氧化物粉体的比表面积为1～800m2/g且松装体积密度为0.03～3.0g/cm3。。

一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板、支承基板、以及设于上述半导体基板与上述支承基板之间的粘接层和剥离层，上述剥离层是由包含有机树脂、支链状聚硅烷、和溶剂的剥离剂组合物得到的膜。剂组合物得到的膜。

本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含反应产物、及有机溶剂，所述反应产物是(A)具有2个环氧基的含乙...

制造方法，是具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、和该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，该方法包括：用喷墨法在隔壁内涂布包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨的工序；和通过减压从涂布于隔壁内的有机功能...

本申请涉及单链寡核苷酸。本发明提供能高效地控制靶基因、并且能容易地制造的单链寡核苷酸。其为由式X

提供在半导体基板加工时具有针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、低干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性和埋入性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、带有抗蚀剂图案的基板...

提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合...

提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元...

本发明的课题是提供处于抵换关系的耐擦伤性、耐磨损性等耐久特性和滑动性都优异的硬涂层的形成材料。解决手段是一种固化性组合物，其包含：(a)活性能量射线固化性多官能单体；(b)在包含聚(氧基全氟亚烷基)基的分子链的末端具有活性能量射线聚合性...

本发明的课题是提供作为作为除草剂有用的杂环酰胺化合物的前体有用的1,3,4

提供在半导体装置制造工序中用于将形成在基板上的异物除去的简便的方法，并提供那样的方法所使用的异物除去用涂膜形成用组合物。一种组合物，是包含聚合物和溶剂、能够形成溶解于显影液的涂膜的异物除去用涂膜形成用组合物，上述聚合物选自苯酚酚醛清漆、...

本发明提供一种液晶取向剂，其含有聚合物(P)，所述聚合物(P)包含选自由使用包含下述式(1)所示的二胺(1)的二胺成分而得到的聚酰亚胺前体以及聚酰亚胺构成的组中的至少一种。(Ar表示亚苯基，Q表示包含至少一个萘环的二价有机基团，Q与两个...

一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分...

提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进...

本发明提供取向材用固化膜形成用组合物，其能够以比较低温和短时间的条件形成作为取向材使用、并在其上配置聚合性液晶的层时显示出优异的液晶取向性、光透过性和耐溶剂性的固化膜。本发明是一种取向材用固化膜形成用组合物，含有作为(A)成分的具有麦克...

本发明提供一种包含在大气压下是难以加热、相对于基板垂直诱发了微相分离结构的嵌段共聚物的层、其制造方法以及使用了垂直相分离的嵌段共聚物层的半导体装置的制造方法。所述嵌段共聚物层是在低于大气压的压力下用能够引起诱导自组装的温度进行加热而形成...

本发明提供一种液晶取向膜、以及用于得到该液晶取向膜的液晶取向剂和使用了该液晶取向膜的液晶显示元件，所述液晶取向膜能通过照射光后进行烧成的工序来制造，其液晶取向性良好，并且液晶取向膜面内的液晶取向性的不均(不均匀性)得到了抑制。本发明的液...

本发明提供抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合能够形成显示出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对于所谓的高低差基板也具有良好的被覆性、埋入后的膜厚差小、并且平坦的膜。此外，还提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法...

本发明中，以具有导电性的碳材料为原料，得到保持和/或提高其导电性的稳定的形态，在用于燃料电池的催化剂层时，提高发电特性。本发明为具有酚羟基的芳香族化合物与具有导电性的碳材料的混合物的烧成体等。性的碳材料的混合物的烧成体等。

本发明提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、以及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)表示的化合物、聚合物和有机溶剂。(...