晶片处理方法技术

提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。质的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片处理方法


[0001]本申请涉及半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法等晶片处理方法。

技术介绍

[0002]由半导体制造所使用的硅等材料制作的晶片无限地要求表面异物等杂质减少。
[0003]在专利文献1中记载了使用在硅基板等半导体基板上形成了光致抗蚀剂涂膜的反射型的被检体，可以以高可靠性检测埋到该光致抗蚀剂涂膜的内部的异物的异物检测方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014
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20961号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]提供通过以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]本专利技术包含以下方案。
[0011][1]一种半导体制造用晶片表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。2.根据权利要求1所述的杂质检测方法，所述杂质包含氟原子。3.根据权利要求1或2所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物包含树脂。4.根据权利要求1～3中任一项所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物为光刻用涂布膜形成用组合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物为抗蚀剂下层膜形成用组合物。6.一种除去了晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法，其包含下述工序(A)、工序(B)和工序(C)，工序(A)：将粗半导体制造用晶片(I)加热到100℃～500℃的工序和/或用超纯水进行洗涤的工序；工序(B)：将经过了所述工序(A)的半导体制造用晶片(II)用权利要求1～5中任一项所述的杂质检测方法进行检查的工序；工序(C)：从经过了所述工序(B)的半导体制造用晶片(III)中，选择其表面上存在的缺陷个数与粗半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥智也，佐佐卓，藤谷德昌，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：