晶片处理方法技术

提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。质的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片处理方法


[0001]本申请涉及半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法等晶片处理方法。

技术介绍

[0002]由半导体制造所使用的硅等材料制作的晶片无限地要求表面异物等杂质减少。
[0003]在专利文献1中记载了使用在硅基板等半导体基板上形成了光致抗蚀剂涂膜的反射型的被检体，可以以高可靠性检测埋到该光致抗蚀剂涂膜的内部的异物的异物检测方法。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014
‑
20961号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]提供通过以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]本专利技术包含以下方案。
[0011][1]一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：
[0012]在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。
[0013][2]根据[1]所述的杂质检测方法，上述杂质包含氟原子。
[0014][3]根据[1]或[2]所述的杂质检测方法，上述膜形成用组合物包含树脂。
[0015][4]根据[1]～[3]中任一项所述的杂质检测方法，上述膜形成用组合物为光刻用涂布膜形成用组合物。
[0016][5]根据[1]～[4]中任一项所述的杂质检测方法，上述膜形成用组合物为抗蚀剂下层膜形成用组合物。
[0017][6]一种除去了晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法，其包含下述工序(A)、工序(B)和工序(C)，
[0018]工序(A)：将粗半导体制造用晶片(I)加热到100℃～500℃的工序和/或用超纯水进行洗涤的工序；
[0019]工序(B)：将经过了上述工序(A)的半导体制造用晶片(II)用[1]～[5]中任一项所述的杂质检测方法进行检查的工序；
[0020]工序(C)：从经过了上述工序(B)的半导体制造用晶片(III)中，选择其表面上存在
的缺陷个数与粗半导体制造用晶片(I)相比减少了80％以上的半导体制造用晶片(IV)的工序。
[0021][7]一种半导体制造用晶片的分选方法，其包含下述(A)、工序(B)和工序(C)，
[0022]工序(A)：将粗半导体制造用晶片(I)加热到100℃～500℃的工序和/或用超纯水进行洗涤的工序；
[0023]工序(B)：将经过了上述工序(A)的半导体制造用晶片用[1]～[5]中任一项所述的杂质检测方法进行检查的工序；
[0024]工序(C)：从经过了上述工序(B)的半导体制造用晶片(III)中，选择其表面上存在的缺陷个数与粗半导体制造用晶片相比减少了80％以上的半导体制造用晶片(IV)的工序，
[0025]上述工序(C)包含：将经过了上述工序(B)的半导体制造用晶片(III)分成半导体制造用晶片(IV)和半导体制造用晶片(V)，并且选择半导体制造用晶片(IV)，所述半导体制造用晶片(IV)在其表面上存在的缺陷个数与粗半导体制造用晶片(I)相比减少了80％以上，所述半导体制造用晶片(V)在其表面上存在的缺陷个数与粗半导体制造用晶片(I)相比减少了小于80％。
[0026]专利技术的效果
[0027]通过本申请的方法，能够检测在半导体制造用晶片表面存在的、通过进行加热和/或超纯水洗涤处理而被除去的杂质的存在。该杂质有时包含氟原子。能够制造和分选除去了如果不利用该检测方法则不能检测那样的杂质的、半导体制造用晶片(所谓裸晶片)。
附图说明
[0028]图1为在实施例1和2、参考例1～5中获得的硅晶片内的缺陷分布的示意图。
[0029]图2为显示实施例1的缺陷形状的SEM照片和表示组成分析的结果的图。
[0030]图3为显示实施例2的缺陷形状的SEM照片和表示组成分析的结果的图。
[0031]图4为在实施例3～5、比较例1和2中获得的硅晶片内的缺陷分布的示意图。
具体实施方式
[0032]＜半导体制造用晶片表面的杂质检测方法＞
[0033]本申请的半导体制造用晶片表面的杂质检测方法包含下述工序：
[0034]在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。
[0035]上述杂质有时包含氟原子。
[0036]半导体制造用晶片是为了制造半导体元件等而被使用的晶片，除了一般被使用的硅晶片、锗晶片以外，还可举出砷化镓、磷化铟、氮化镓、氮化铟、氮化铝等2种以上元素结合而形成的化合物半导体晶片。通常为圆盘状，大小例如为4、6、8、12英寸等。可以使用市售品。
[0037]在上述半导体制造用晶片上，通过旋涂器、涂布机等适当的涂布方法，涂布下述说明的膜形成用组合物(有机膜形成用组合物、无机膜形成用组合物)。然后，通过使用电热板等加热手段进行烘烤从而形成膜(有机膜、无机膜)。作为烘烤条件，从烘烤温度100℃～400℃、烘烤时间0.3分钟～60分钟中适当选择。优选为烘烤温度120℃～400℃、烘烤温度120℃
～350℃、烘烤时间0.5分钟～30分钟，更优选为烘烤温度150℃～300℃、烘烤时间0.8分钟～10分钟。作为所形成的膜的膜厚，为0.01μm(10nm)～2μm(2,000nm)、0.02μm(20nm)～1μm(1,000nm)、0.025μm(25nm)～1μm(1,000nm)、0.02μm(20nm)～0.9μm(900nm)、0.025μm(25nm)～0.9μm(900nm)、0.02μm(20nm)～0.8μm(800nm)、或0.025μm(25nm)～0.8μm(800nm)。该膜厚优选在晶片面内为均匀的(例如膜厚中间值
±
20％以内、
±
10％以内、
±
5％以内、
±
3％以内、
±
1％以内)。
[0038]晶片检查装置可以使用市售品。作为具体例，可举出
ケーエルエー
·
テンコール
株式会社制的晶片检查系统Surfscan系列。
[0039]＜膜形成用组合物＞
[0040]本申请中使用的膜形成用组合物只要是可以均匀地形成上述膜厚的组合物，就没有特别限定。有机膜形成用组合物、无机膜形成用组合物都可以，但优选使用膜含有的杂质少到本申请的杂质检测方法、半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法能够进行的程度，且能够在晶片面内进行一定膜厚的膜形成、在半导体装置制造时的光刻工序中被使用的光刻用涂布膜形成用组合物。
[0041]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。2.根据权利要求1所述的杂质检测方法，所述杂质包含氟原子。3.根据权利要求1或2所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物包含树脂。4.根据权利要求1～3中任一项所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物为光刻用涂布膜形成用组合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的杂质检测方法，所述膜形成用组合物为抗蚀剂下层膜形成用组合物。6.一种除去了晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法，其包含下述工序(A)、工序(B)和工序(C)，工序(A)：将粗半导体制造用晶片(I)加热到100℃～500℃的工序和/或用超纯水进行洗涤的工序；工序(B)：将经过了所述工序(A)的半导体制造用晶片(II)用权利要求1～5中任一项所述的杂质检测方法进行检查的工序；工序(C)：从经过了所述工序(B)的半导体制造用晶片(III)中，选择其表面上存在的缺陷个数与粗半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥智也，佐佐卓，藤谷德昌，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：