使用二芳基甲烷衍生物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合能够形成显示出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对于所谓的高低差基板也具有良好的被覆性、埋入后的膜厚差小、并且平坦的膜。此外，还提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含碳原子数为6～120的芳香族化合物(A)与下述式(1)表示的化合物的反应产物、和溶剂。式(1)中，Z表示

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用二芳基甲烷衍生物的抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述组合物能够形成显示出高耐蚀刻性及良好的光学常数、即使对所谓高低差基板也具有良好的被覆性、对微细图案具有高埋入性的膜、适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对于多层抗蚀剂工艺用的抗蚀剂下层膜材料，要求特别是对于短波长的曝光发挥作为防反射膜的功能，在具有适当光学常数的同时还兼具基板加工中的耐蚀刻性，已提出了利用具有包含苯环的重复单元的聚合物(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2004
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354554号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]随着抗蚀剂图案的微细化，要求抗蚀剂层达到薄膜化，为此目的所已知的光刻工艺是形成至少2层抗蚀剂下层膜，并使用该抗蚀剂下层膜作为掩模材料。这是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含碳原子数为6～120的芳香族化合物(A)与下述式(1)表示的化合物的反应产物、和溶剂；式(1)中，Z表示
‑
(C＝O)
‑
或
‑
C(
‑
OH)
‑
，Ar1和Ar2各自独立地表示可以被取代的苯基、萘基、蒽基或芘基，环Y表示可以被取代的脂肪族环、可以被取代的芳香族环、或可以被取代的脂肪族环和芳香族环的稠环。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述反应产物中，环Y中的1个碳原子与1个所述芳香族化合物(A)连结，Ar1或Ar2中的1个碳原子与其它所述芳香族化合物(A)连结。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)表示的化合物由下述式(1a)表示；式(1a)中，Z表示
‑
(C＝O)
‑
，Ar1和Ar2各自独立地表示可以被取代的苯基、萘基、蒽基或芘基，环Y表示可以被取代的脂肪族环、或可以被取代的脂肪族环和芳香族环的稠环。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述反应产物的环Y中的1个碳原子与2个所述芳香族化合物(A)连结。5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1a)中的环Y为包含环己烯环的稠环结构。6.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1a)中，环Y表示脂肪族环和芳香族环的稠环。7.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)表示的化合物由下述式(1b)表示；
式(1b)中，Z表示
‑
C(
‑
OH)
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【专利技术属性】
技术研发人员：德永光，中岛诚，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：