含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]成分：聚硅氧烷，以及[C]成分：溶剂，所述聚硅氧烷包含来自水解性硅烷(A)的结构单元，所述水解性硅烷(A)具备具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基磺酰基和具有与芳香族环直接键合的碘原子的芳基硫酯基中的至少任一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物。

技术介绍

1、以往，在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻来进行微细加工。微细加工是如下的加工法：在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上隔着描绘有半导体器件的图案的掩模图案照射紫外线等活性光线，并进行显影，将得到的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，由此在基板表面形成与图案对应的微细凹凸。

2、近年来，半导体器件的高集成度化发展，使用的活性光线也存在从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化的趋势。随着活性光线的短波长化，活性光线从半导体基板的反射的影响正在成为大问题，其中，广泛应用在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置被称为防反射膜(bottom anti-reflective coating，barc)的抗蚀剂下层膜的方法。

3、作为尖端的微细加工技术，通过arf浸液光刻的双重图案化进行10nm节点的器件的量产。作为下一代的技术，正在进行通过arf浸液光刻的双重图案化的7nm节点的量产的准备。作为下下一代的技术，即5nm节点的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有：

2.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有：

3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述水解性硅烷(A)为下述式(A-1)所示的化合物，

4.根据权利要求3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(A-1)中的R1由下述式(A-1-1)或下述式(A-1-2)表示，

5.根据权利要求4所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(A-1-1)和(A-1-2)中，所述Ar表示苯环，m表示1～5的整数。

6.根据权利要求1或2所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有：

2.一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有：

3.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述水解性硅烷(a)为下述式(a-1)所示的化合物，

4.根据权利要求3所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(a-1)中的r1由下述式(a-1-1)或下述式(a-1-2)表示，

5.根据权利要求4所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述式(a-1-1)和(a-1-2)中，所述ar表示苯环，m表示1～5的整数。

6.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述c成分含有醇系溶剂。

7.根据权利要求6所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述c成分含有丙二醇单烷基醚。

8.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步含有d成分：固化催化剂。

9.根据权利要求1或2所述的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步含有e成分：硝酸。

【专利技术属性】
技术研发人员：西条太规，柴山亘，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：