【技术实现步骤摘要】
硬掩模组合物、硬掩模层以及形成图案的方法
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求2021年9月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2021
‑
0119383号的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
[0003]公开一种硬掩模组合物、一种包含硬掩模组合物的固化产物的硬掩模层以及一种使用硬掩模组合物形成图案的方法。
技术介绍
[0004]近来，半导体行业已发展到具有几纳米到几十纳米大小的图案的超精细技术。此类超精细技术主要需要有效的光刻技术。
[0005]典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光刻胶层；曝光且显影所述光刻胶层以提供光刻胶图案；以及使用光刻胶图案作为掩模来蚀刻材料层。
[0006]当今，根据待形成的图案的较小大小，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有极佳轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光刻胶层之间形成称为硬掩模层的辅助层来提供精细图案。
技术实现思路
[...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硬掩模组合物，包括聚合物，包含由化学式1表示的结构单元和由化学式2表示的结构单元，以及溶剂：[化学式1]其中，在化学式1中，A为含有杂环的连接基团，B为经一或多个羟基或C1到C10烷氧基取代的C6到C30芳香族烃环，X1到X4各自独立地为氘、羟基、卤素、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的C2到C30不饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基或经取代或未经取代的C2到C30杂芳香族烃基，y1到y4各自独立地为0到4的整数，以及*为连接点，[化学式2]其中，在化学式2中，L1和L2各自独立地为单键、经取代或未经取代的二价C1到C15饱和脂肪族烃基或经取代或未经取代的二价C2到C15不饱和脂肪族烃基，M为
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
SO2‑
或
‑
C(＝O)
‑
，Z1和Z2各自独立地为氘、羟基、卤素、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C1到C30饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的C2到C30不饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基、经取代或未经取代的C1到C30杂烷基或经取代或未经取代的C2到C30杂芳香族烃基，k、l以及q各自独立地为0到4的整数，p为0或1，以及*为连接点。2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的A由化学式3表示：[化学式3]
其中，在化学式3中，Z'为N、O或S，Q1和Q2各自独立地为经取代或未经取代的C4到C30饱和或不饱和脂环族烃基或经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基，R为氢、经取代或未经取代的单价C1到C30饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的单价C2到C30不饱和脂肪族烃基或经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基，d和e各自独立地为0到5的整数，f为0到2的整数，以及*为连接点。3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的A由化学式3
‑
1表示：[化学式3
‑
1]其中，在化学式3
‑
1中，Z'为N、O或S，R为氢、经取代或未经取代的单价C1到C30饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的单价C2到C30不饱和脂肪族烃基或经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基，d和e各自独立地为0到5的整数，f为0到2的整数，以及*为连接点。4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的A为由群组1中选出的任何一种：[群组1]
其中，在群组1中，Z'为O或S，R为氢、经取代或未经取代的单价C1到C30饱和脂肪族烃基、经取代或未经取代的单价C2到C30不饱和脂肪族烃基或经取代或未经取代的C6到C30芳香族烃基。5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的B为由经一或多个羟基或C1到C10烷氧基取代的群组2中选出的任何一种：[群组2]6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中在化学式2中，L1和L2各自独立地为单键或经取代或未经取代的C1到C10亚烷基，
M为
‑
O
‑
，Z1和Z2各自独立地为氘、羟基、卤素、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基或经取代或未经取代的C1到C30饱和脂肪族烃基，k和l各自独立地为0到2的整数中的一者，且p和q各自独立地为0或1。7.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中化学式1中的A为由群组1
‑
1中选出的任何一种：[群组1
‑
1]其中，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：金有那，金惠廷，梁善暎，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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