抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物。(在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数。)。)。)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、作为由该组合物形成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、使用了该组合物的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对用于在制造半导体装置的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物，要求可以形成不发生与上层的混合，可获得优异的抗蚀剂图案，与上层(硬掩模：涂布膜或蒸镀膜)、半导体基板相比具有小的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜，提出了具有包含苯环或萘环的重复单元的聚合物的利用(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：WO 2013/047516 A1

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]然而，以往的抗蚀剂下层膜形成用组合物对于污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善这样的要求，仍然有不令人满意的方面。此外，在半导体制造工艺中，有时采用药液进行处理，有时与此相伴要求对也被用于抗蚀剂下层膜的药液显示充分的耐性。
>[0008]用于解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物，在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，Ar1和Ar2可以经由单键结合，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，选自卤基、硝基、氨基、氰基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，并且，该烷基、该烯基、该炔基、和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，并且，该芳基和该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、氰基、三氟甲基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、或碳原子数6～40的芳基取代，并且，该烷基、该烯基、该炔基、和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，并且，该芳基和该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、氰基、三氟甲基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、或碳原子数6～40的芳基取代，并且，该烷基、该烯基、该炔基、和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，其中，R4与R5可以与它们所结合的碳原子一起形成环，n1和n2各自为0～3的整数。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1)中，Ar1和Ar2为苯环。3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)的R5为氢原子，R4为碳原子数6～40的芳基，并且该芳基可以被卤基、硝基、氨基、氰基、三氟甲基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、或碳原子数6～40的芳基取代。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)的R5为氢原子，R4为碳原子数6～40的芳基，并且该芳基可以被碳原子数6～40的芳基取代。5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(1)的R5为氢原子，R4为可以被取代的、由苯环的组合构成的基团。6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联剂。7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含酸和/或产酸剂。8.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述溶剂的沸点为160℃以上。
9.一种抗蚀剂下层膜，其是由权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永光，中岛诚，西卷裕和，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：