抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

提供应对可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，并且，能够发挥对抗蚀剂下层膜所使用的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物。(式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，R3、和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，R4、和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，R5、和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。)))

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂下层膜形成用组合物、作为由该组合物形成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、使用了该组合物的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对用于在半导体装置制造的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物，要求可以形成不发生与上层的混合，获得优异的抗蚀剂图案，与上层(硬掩模：涂布膜或蒸镀膜)、半导体基板相比具有小的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜，提出了具有包含苯环、或萘环的重复单元的聚合物的利用(专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：WO 2013/047516 A1

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]然而，在以往的抗蚀剂下层膜形成用组合物中，对于可以获得显示高的纯水接触角，对上层膜的密合性高，不易剥离的疏水性的下层膜，且涂布性良好这样的要求，仍然具有不令人满意的方面。此外，在半导体制造工艺中，有时进行了采用药液的处理，但与此相伴有时要求对也被使用于抗蚀剂下层膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：溶剂；以及包含下述式(1)、和/或下述式(2)所示的单元结构(A)的聚合物，式中，Ar1和Ar2各自表示苯环、或萘环，Ar1和Ar2可以经由单键而结合，Ar3表示可以包含氮原子的碳原子数6～60的芳香族化合物，R1、和R2各自为取代Ar1、和Ar2的环上的氢原子的基团，选自卤基、硝基、氨基、氰基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，并且，该烷基、该烯基、该烯基和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R3和R8选自碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合，并且，该烷基、该烯基、该炔基和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，该芳基可以被羟基取代了的碳原子数1～10的烷基取代，R4和R6选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，并且，该芳基和该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、氰基、三氟甲基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基取代，并且，该烷基、该烯基、该炔基、和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R5和R7选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基和杂环基，并且，该芳基和该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、氰基、三氟甲基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～10的炔基、碳原子数6～40的芳基取代，并且，该烷基、该烯基、该炔基、和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，进而R4与R5以及R6与R7可以与它们所结合的碳原子一起而形成环；n1和n2各自为0～3的整数，n3为1以上，并且为能够在Ar3上进行取代的取代基数以下的整数，n4为0或1，在n4为0时，R8与Ar3所包含的氮原子结合。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(1)中Ar1和Ar2为苯环。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(2)中Ar3为可以被取代的苯环、萘环、二苯基芴环、或苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永光，中岛诚，西卷裕和，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：