本发明涉及一种EUV辐射的光学布置(1)，其包括：至少一个反射式光学元件(16)，具有带有反射EUV辐射(33)的涂层(31)的主体(30)。至少一个屏蔽件(36)被装配到主体(30)的至少一个表面区域(35)，并且在光学布置(1)的操...

本发明涉及一种反射镜，特别是微光刻投射曝光系统的反射镜，其包括反射镜基板(12、32、52)。该反射镜具有：反射层堆叠体(21、41、61)，用于将照射光学有效表面(11、31、51)的工作波长的电磁辐射反射；以及至少一个压电层(16、...

本发明涉及一种折射投射镜头(PO)，该折射投射镜头(PO)使用汞蒸气灯(LS)的电磁辐射将布置在投射镜头的物平面(OS)中的图案再现到投射镜头的像平面(IS)中，所述折射投射镜头具有：多个透镜元件，该多个透镜元件沿光轴(AX)安装在物平...

本发明涉及一种在特别是微光刻的光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量的装置，该装置包括：光学元件(110、510、610)；衍射结构(120、420、450、460、520、620)，具有局部变化的光栅周期；以及强度传感器布置；其中在光...

本发明涉及一种确定可移动物体(12)在空间中的位置的系统，该系统包括要附接到物体(12)上的标记物(16)，所述标记物具有被细分成多个单独场(32)的表面(30)，其中场(32)各自包括统计噪声图案(34)。该系统还包括：图像捕获单元(...

一种用于投射光刻中的成像光的光束引导的光学元件(M)。光学元件(M)包含一主体(18)和由主体(18)所承载的至少一个光学表面(19)。附接于主体(18)的至少一个补偿重量元件(20、23)用于由重力所引起的光学表面(19)的图形变形的...

本发明涉及一种微光刻的光学系统，光学系统设计为用电磁辐射进行操作，该电磁辐射沿着所使用的光束路径通行穿过光学系统，该光学系统具有：至少一个部件(105)，具有位于所使用的光束路径外部的区域；所述区域具有催化或化学活性层(110)，并且该...

本发明关于用于处理光刻掩模(500)的多余材料(590，595)的方法，其中方法包含以下步骤：(a)扩大多余材料(590，595)的表面；(b)使用扫描探针显微镜(300、400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，22...

提出了一种用于从1nm到12nm范围内的工作波长的反射式光学元件(50)，其在基板(51)上具有由至少两个交替材料(56、57)构成的多层系统(54)，该至少两个交替材料在工作波长处具有不同的折射率实部，其中多层系统(54)包括来自由钍...

在用以在投射曝光装置的操作控制系统的控制下以掩模的图案的至少一个像曝光辐射敏感基板的投射曝光方法中，在投射镜头的协助下将位于照明区域中的图案的一部分投射至在基板上的像场上，其中有助于像场中的像产生的投射辐射的所有射线形成投射光束路径。通...

在检测光刻掩模的结构中，在至少一个优选的照明方向上用至少部分相干的光源的照明光来照明光刻掩模的部分。然后通过在检测平面中空间分辨地检测从照明的部分所衍射的照明光的衍射强度来记录照明的部分的衍射图像。然后对光刻掩模的其他部分重复“照明”和...

本发明涉及一种分析光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的方法，该方法具有下列步骤：(a)获得该光刻掩模(200、700)的至少一个缺陷位置(230、730)的测量数据；(b)从该光刻掩模(200、700)的计算...

本发明关于在微光刻投射曝光装置中的组件，其具有光学元件(100、200)、至少一个重量补偿装置以及具有多个线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)的线...

本发明关于用于分析光刻工艺的元件(470)的装置(500)，该装置包含：(a)用于记录元件(470)的第一数据(230)的第一测量装置(500、510、560)；以及(b)用于将第一数据(230)转换为第二非测量数据(250)的构件，该...

本发明涉及一种光刻机(100A、100B)的光学系统(200)，该光学系统(200)包括主反射镜元件(206)、操纵器装置(400)、光学有效表面(306、306′)和致动器矩阵(308)，该操纵器装置(400)用于定位和/或取向主反射...

一种光学组件(13)，用以将自由电子激光器(FEL、2)的输出束(2a)引导至EUV投射曝光装置的下游照明光学组件(15)。光学组件(13)具有第一及第二GI反射镜(23、25)，其每一个具有将由输出束(2a)撞击的结构化反射表面(24...

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射照明系统的反射镜，其中反射镜具有光学操作表面，包括基板(11、61、71、81、91)；反射层系统(16、66、76、86、96)，反射在光学操作表面(10a、60a、70a、80a、90a)上入射的电...

本发明涉及计量靶。本发明还涉及表征晶片、掩模或CGH的形式的结构化元件的方法和装置。根据一个方面，计量靶具有周期性结构或准周期性结构，其中所述结构由多个参数来表征，其中所述参数中的至少一个局部单调地变化，其中在5μm的距离之上该变化的最...

本发明关于用于确定用于处理光刻掩模(100)的至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的方法，其包含以下步骤：(a)决定至少一个缺陷(140)的修复形状(195)的至少一个校正值(185)，其中校正值(185)考虑光刻掩模(100)的...

本发明涉及光学布置，特别是光刻系统(1)，其包括：特别是反射镜(3)的可移动部件，移动部件(3)的至少一个致动器(4)，以及具有限制部件(3)的移动的邻接表面(12)的至少一个邻接件(6)。光学布置包括在邻接件(6)上或多个邻接件上，以...