用于处理光刻掩模的多余材料的方法与设备技术

本发明专利技术关于用于处理光刻掩模(500)的多余材料(590，595)的方法，其中方法包含以下步骤：(a)扩大多余材料(590，595)的表面；(b)使用扫描探针显微镜(300、400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)在光刻掩模(500)上位移扩大的多余材料(590、595)；以及(c)从光刻掩模(500)移除位移的扩大的多余材料(590、595)。

Method and equipment for processing surplus material of lithographic mask

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于处理光刻掩模的多余材料的方法与设备
本专利技术关于用于处理光刻掩模的多余材料的方法与设备。
技术介绍
由于半导体工业中集成密度的增加，光刻掩模必须在晶片上成像越来越小的结构。就光刻而言，通过将光刻系统的曝光波长转移到更短的波长来解决集成密度增加的趋势。目前在光刻系统中经常作为光源的是ArF(氟化氩)准分子激光器，其发射约为193nm的波长。目前正在开发使用在EUV(极紫外光)波长范围(较佳在10nm至15nm的范围内)的电磁辐射的光刻系统。该EUV光刻系统基于全新的光束导引概念，其较佳使用反射光学元件，因为目前在所述的EUV范围内没有具有光学透明性的材料。发展EUV系统所面临的技术挑战是巨大的，且需要大量的开发工作才能将该系统提升到可用于工业应用的水平。对配置于晶片上的光刻胶中的更小结构的成像的重要贡献是由于光刻掩模、曝光掩模、光学掩模或仅掩模。曝光掩模具有吸收和/或相移结构元件的图案，其将待从掩模转印到晶片的图案成像至配置在晶片上的光刻胶上。随着集成密度的进一步增加，减少曝光掩模的最小结构尺寸变得越来越重要。因此，光学光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理光刻掩模(500)的多余材料(590，595)的方法，包含以下步骤：/na.扩大该多余材料(590，595)的表面；/nb.使用扫描探针显微镜(300，400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)在该光刻掩模(500)上位移该扩大的多余材料(590，595)；以及/nc.从该光刻掩模(500)移除该位移的扩大的多余材料(590，595)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170721 DE 102017212567.51.一种用于处理光刻掩模(500)的多余材料(590，595)的方法，包含以下步骤：
a.扩大该多余材料(590，595)的表面；
b.使用扫描探针显微镜(300，400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)在该光刻掩模(500)上位移该扩大的多余材料(590，595)；以及
c.从该光刻掩模(500)移除该位移的扩大的多余材料(590，595)。


2.如权利要求1所述的方法，其中扩大该多余材料(590，595)的表面通过粒子束诱导过程来进行。


3.如权利要求1或2所述的方法，其中位移该扩大的多余材料(590，595)包含使该扫描探针显微镜(300，400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)与该扩大的多余材料(590，595)相互作用和/或在该至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)和该光刻掩模(500)之间进行至少一个相对运动。


4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中位移该扩大的多余材料(590，595)包含将该扩大的多余材料(590，595)从该光刻掩模的透射或反射区域(585)位移到该光刻掩模(600)的吸收图案元件(560)的一区域(580)中。


5.如前述权利要求中任一项所述的方法，更包含以下步骤：产生一临时辅助结构(1350)并将该扩大的多余材料(590，595)位移到该临时辅助结构(1350)上。


6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在不使用该扫描探针显微镜(300，400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)的情况下，将该位移的扩大的多余材料(590，595)从该光刻掩模(500)移除。


7.如权利要求1到5中任一项所述的方法，其中通过使用该扫描探针显微镜(300，400)的至少一个第一探针(100，150，190，212，222，232，242)将该位移的扩大的多余材料(590，595)从该光刻掩模(500)移除。


8.如权利要求7所述的方法，其中该至少一个第一探针(100，190，212，222，232，242)与该位移的扩大的多余材料(590，595)静电地相互作用，以移除该位移的扩大的多余材料(590，595)。


9.如权利要求7或8所述的方法，其中移除该位移的扩大的多余材料(590，595)更包含以下步骤：通过沉积材料于该至少一个第一探针(100，190，212，222，232，242)和/或该位移的扩大的多余材料(590，595)上，在该至少一个第一探针(100，190，212，222，232，242)和该位移的扩大的多余材料(590，595)之间建立一机械连接。


10.如权利要求9所述的方法，其中移除该位移的扩大的多余材料(590，595)更包含以下步骤：通过一粒子束诱导蚀刻过程分离该至少一个第一探针(100，190，212，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M布达赫，C鲍尔，K埃丁格，T布雷特，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE