本发明涉及半导体光刻的投射曝光系统，其包括在操作期间经受热应力的反射镜布置。反射镜布置包括具有光学活动表面(25)的反射镜载体(23)，该光学活动表面(25)布置在反射镜载体(23)的覆盖表面(24)上。为了冷却，提供了冷却系统(30)...

本发明涉及一种装置，该装置在光刻设备(100)的第一结构(10)处布置的第一接口元件(11)和在光刻设备(100)的第二结构(20)处布置的第二接口元件(21)之间传输电信号，其中电导体(30)连接了第一接口元件(11)和所述第二接口元...

干涉确定测试件(14)的光学表面(12)的形状的测量装置(10)包括：产生照明波(34)的照明模块(16)，干涉仪(18)，该干涉仪(18)配置为将照明波分裂成参考波(52)和被指引到光学表面上的测试波(50)，两束波关于彼此倾斜使得当...

出于测量微光刻掩模(1)的结构(7)的目的，一种捕获在掩模(1)上的结构的绝对位置的方法和一种确定对将要成像的结构(7)的像的位置、或限定该结构的边缘的位置的取决于结构和/或取决于照明的贡献的方法彼此组合。因此，确立与晶片的曝光相关的边...

本发明涉及具有多个传感器(32i)和/或致动器(33i)的组装件(30)的控制装置(31)，该控制装置(31)包括至少一个第一控制单元(34)，该至少一个第一控制单元(34)设计为适合真空的，并且该至少一个第一控制单元(34)具有分裂和...

一种用于光刻设备(100A，100B)的光学系统(200)，其具有第一部件(402)、第二部件(404)和光学元件(300)，其中光学元件(300)以力配合接合的方式保持于第一部件(402)与第二部件(404)之间并为此目的而受到夹持力...

本发明涉及校正半导体光刻的光掩模(2)的临界尺寸均匀性(CDU)的方法，包括以下步骤：‑确定转换系数作为校准参数，‑通过写入像素场(5)校正所述光掩模(2)，‑验证因此校正的光掩模(2)，其特征在于，转换系数用于验证校正的光掩模(2)，...

本发明关于光学模块，其具有第一及第二组件(108，109)、支撑结构(112)以及防撞装置(114)。第一组件(108)由支撑结构(112)支撑且配置为邻近第二组件(109)并与第二组件(109)相距一距离以形成间隙。支撑结构(112)...

本发明涉及一种在掩模度量设备中检查极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模的方法。在该方法中，选择掩模的至少一个结构化区域，确定在光刻生产运行中提供给掩模的极紫外(EUV)波长范围中的扫描仪光子数，并且确定进行测量的极紫外(EUV)波长范围中...

一种用于EUV投射光刻的投射光学单元(7)，具有用于以照明光(3)将物场(4)成像至像场(8)的多个反射镜(M1至M10)。反射镜中的至少一个反射镜(M1，M9，M10)实施为NI反射镜且反射镜中的至少一个反射镜(M2至M8)实施为GI...

构造一种用于干涉地测量光学成像系统的成像质量的测量方法及测量系统，通过相关联结构载体的测量结构的适配的设计，来在成像系统上执行波前测量，成像系统在第一方向上具有第一成像比例β1且在与该第一方向垂直的第二方向上具有第二成像比例β2，该第二...

本发明关于光学系统，其包含扫描单元、至少包含第一透镜元件的第一透镜元件组，设计以将光束聚焦至焦点的聚焦单元，其中聚焦单元包含第二透镜元件组，其至少包含第二透镜元件，以及成像镜头。成像镜头更包含光瞳平面及波前操纵器。光学系统的波前操纵器配...

本发明关于用于预测当光刻工艺进行时使用掩模而获得的成像结果的方法及设备，其中掩模包含待成像的掩模结构且掩模注定将在光刻工艺中在投射曝光装置中以预先确定的照明设定照明，用于曝光包含光刻胶的晶片。根据本发明的一个方面，根据本发明的方法包含以...

根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，其包括投射系统(PS)，该投射系统(PS)包括多个光学元件(505‑535；605‑640)，该多个光学元件(505‑535；605‑640)配置为将辐射束(B，26)投射到辐射敏感基板(W)上。光...

提供一种将光学成像配置(101)的组件(111)、特别是光学组件连接至支撑结构(102.1)的支撑单元(112)的连接配置(109)，其包含连接元件单元(110)。连接元件单元(110)具有包含支撑接口区(110.3)的支撑接口端(11...

本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第...

本发明涉及通过电子辐射改变光学元件(14)的表面(12)的形状的装置(10)。装置(10)包括电子辐射单元(16)，该电子辐射单元(16)以局部分辨的能量剂量分布(36)将电子辐射到表面(12)上，以便于在光学元件(14)中产生局部材料...

微光刻投射曝光设备具有反射镜阵列，反射镜阵列具有基体和多个反射镜单元，每个反射镜单元包括反射镜和固态关节，固态关节至少具有一个关节部件，该至少一个关节部件将反射镜连接到基体。控制装置使得可以改变各反射镜相对于基体的排列。反射镜与基体或连...

本发明涉及一种制造EUV系统的照明系统的方法，该方法包括以下步骤：将照明系统的反射镜模块安装在提供给反射镜模块的安装位置处，以便确立从源位置引导到照明场的照明束路径，其中该反射镜模块包括第一安装位置处具有第一分面反射镜的第一反射镜模块和...

微光刻投射曝光设备(100)，具有将物平面(155)成像至像平面(156)的投射镜头(150)，其中在投射曝光设备(100)的操作期间至少暂时地提供浸没液体于投射镜头(150)与像平面(156)之间，其中测量结构(121)配置于浸没液体...