【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过电子辐射改变光学元件的表面形状的装置相关申请的交叉引用本申请要求2016年3月4日的德国专利申请102016203591.6的优先权。该专利申请的全部公开内容通过引用并入本申请中。
本专利技术涉及通过电子辐射改变光学元件的表面形状的装置及方法。此外，本专利技术涉及微光刻的投射镜头以及检查微光刻的基板的检查单元(诸如掩模母版检查单元或晶片检查单元)，其各包括通过上述提及的方法制造的光学元件。
技术介绍
从现有技术已知，由于电子辐射，在非晶材料的情况下会发生材料致密化。就此而言，一种方法在于由于电子束的能量输入使表面附近的电子键重新分布，因此发生材料的压缩。该效应可以用于处理光学元件。作为示例，WO2011/020655A1描述了通过电子辐射，均匀压缩反射镜的基板的或者已经提供有反射涂层的基板的整个表面。在表面的附近的均匀致密化带来表面的一致的凹陷而不会显著改变光学表面形状。该措施可以防止在使用期间由高能辐射进一步压缩反射镜中的部分区域，例如用EUV辐射(极紫外波长范围中的辐射)的微光刻的投射镜头。DE102012212199A1还公开了通过电子辐射来进行由玻璃或...
【技术保护点】
1.一种通过电子辐射改变光学元件的表面的形状的装置，包括：‑电子辐射单元，配置为出于在所述光学元件中产生局部材料致密化的目的以局部分辨的能量剂量分布将电子辐射到所述表面上，以及‑控制单元，配置为由通过优值函数的最小化的优化，从所述光学元件的表面形状的预先定义的期望变化确定所述局部分辨的能量剂量分布的预先定义，以控制所述电子辐射，使得将所述光学元件的表面形状的期望变化和实际变化之间的差异最小化，所述实际变化是由于所确定的预先定义而带来，其中所述优值函数包含将局部压缩转换为所述光学元件的表面的产生的形状变化的转换项，所述局部压缩描述在所述表面的面积元素的区域中的材料致密化，其中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.04 DE 102016203591.61.一种通过电子辐射改变光学元件的表面的形状的装置，包括：-电子辐射单元，配置为出于在所述光学元件中产生局部材料致密化的目的以局部分辨的能量剂量分布将电子辐射到所述表面上，以及-控制单元，配置为由通过优值函数的最小化的优化，从所述光学元件的表面形状的预先定义的期望变化确定所述局部分辨的能量剂量分布的预先定义，以控制所述电子辐射，使得将所述光学元件的表面形状的期望变化和实际变化之间的差异最小化，所述实际变化是由于所确定的预先定义而带来，其中所述优值函数包含将局部压缩转换为所述光学元件的表面的产生的形状变化的转换项，所述局部压缩描述在所述表面的面积元素的区域中的材料致密化，其中所述转换项配置为考虑由所述面积元素的区域中的所述局部压缩引起的表面凹陷和所述表面的至少一个区段的变形二者，所述至少一个区段的面积是所述面积元素的面积的倍数，由于平行于所述表面作用的力由所述局部压缩引起所述变形。2.根据权利要求1所述的装置，其中在所述优值函数中，所述局部压缩被描述为所述能量剂量分布的函数，并且所述控制单元配置为出于通过所述优值函数优化的目的改变所述能量剂量分布。3.根据权利要求2所述的装置，其中在所述优值函数中通过幂级数展开描述所述局部压缩，其中所述能量剂量分布在至少两个不同的幂次中起到作为基系统的功能。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制单元配置为出于通过所述优值函数优化的目的改变所述局部压缩。5.根据权利要求3或4所述的装置，其中所述转换项是积分运算符。6.根据权利要求5所述的装置，还包括配置为通过所述有限元方法确定所述转换项的确定单元。7.根据权利要求6所述的装置，其中所述确定单元配置为考虑所述光学元件的几何形状和/或所述光学元件的在光学布置中的使用的位置来确定所述转换项。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述确定单元配置为基于在所述光学元件的表面之上以局部分辨的方式描述所述压缩的压缩分布来执行所述转换项的确定，其中所述压缩分布通过多项式基来表示。9.根据权利要求1或8所述的装置，还包括配置为通过以下确定所述转换项的确定单元：-基于在所述光学元件的表面之上以局部分辨的方式描述所述压缩的压缩分布来确定所述光学元件的表面的产生的形状变化，所述压缩分布通过多项式基...
【专利技术属性】
技术研发人员：W保尔斯，F阿勒斯，M韦泽，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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