【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于模块组件的防撞装置的光学模块相关申请的交叉引用本专利申请案依据35U.S.C.119主张2016年8月9日申请的德国专利申请案DE102016214785.4的优先权,其全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术关于光学模块,特别是关于具有许多组件的分面反射镜(facetmirror),其在操作期间的碰撞通过防撞装置(anticollisiondevice)来避免。本专利技术还关于用于此光学模块的相应组件、关于具有此光学模块的光学成像装置、关于用以支撑此光学模块的组件的方法以及关于相应的光学成像方法。本专利技术可结合任何想要的光学成像方法使用。本专利技术可特别有利地用于制造或检查用于此目的的微电子电路及光学组件(例如光学掩模)。
技术介绍
所述类型的光学模块(特别是分面反射镜)用于操作波长在UV范围(例如在193nm的范围)以及操作波长在5nm到20nm之间(典型在13nm的范围)的所谓极UV范围(EUV)的半导体光刻,用以制造微结构或纳米结构组件。光学模块在这种情况下用以确保掩模平面或掩模母版平面尽可能均匀地被照射。光学模块也可用以在掩模平面或掩模母版平面的区域中获得不同的照明设定(照明角度分布)。在投射曝光设备中的此处所讨论类型的光学模块(特别是分面反射镜)的配置及功能性已揭露于例如DE10053587A1及DE102010003169A1,其全部内容以引用的方式分别并入本文。这类分面反射镜通常包含具有一个或多个反射光学表面的多个分面元件。分面元件由支撑结构支撑且通常配置于多个分面组中。个别分面元件或其光学表面的倾斜角可通过支撑结构的相应致动器 ...
【技术保护点】
1.一种光学模块,特别是分面反射镜,包含:第一组件(108),第二组件(109,112.4),支撑结构(112),以及防撞装置(114;214;314),其中该第一组件(108)由该支撑结构(112)支撑且配置为邻近该第二组件(109,112.4),该第一组件(108)配置在与该第二组件(109,112.4)相距一距离处以形成间隙,该支撑结构(112)定义该第一组件(108)的相对运动路径,该第一组件(108)在定义的机械干扰,特别是冲击的影响下沿相对该第二组件(109,112.4)的接近方向在该相对运动路径上移动,其中若该防撞装置(114;214;314)不存在或不起作用,则发生该第一组件(108)的第一碰撞区域(108.1)与该第二组件(109,112.4)的第二碰撞区域(109.1)之间的碰撞,该防撞装置(114;214;314)包含第一防撞单元(114.1),其配置在该第一组件(108)上并产生第一场,该防撞装置(114;214;314)包含第二防撞单元,其配置在该第二组件(109,112.4)上、被指派给该第一防撞单元(114.1)并产生第二场,以及该第一防撞单元(114.1 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.09 DE 102016214785.41.一种光学模块,特别是分面反射镜,包含:第一组件(108),第二组件(109,112.4),支撑结构(112),以及防撞装置(114;214;314),其中该第一组件(108)由该支撑结构(112)支撑且配置为邻近该第二组件(109,112.4),该第一组件(108)配置在与该第二组件(109,112.4)相距一距离处以形成间隙,该支撑结构(112)定义该第一组件(108)的相对运动路径,该第一组件(108)在定义的机械干扰,特别是冲击的影响下沿相对该第二组件(109,112.4)的接近方向在该相对运动路径上移动,其中若该防撞装置(114;214;314)不存在或不起作用,则发生该第一组件(108)的第一碰撞区域(108.1)与该第二组件(109,112.4)的第二碰撞区域(109.1)之间的碰撞,该防撞装置(114;214;314)包含第一防撞单元(114.1),其配置在该第一组件(108)上并产生第一场,该防撞装置(114;214;314)包含第二防撞单元,其配置在该第二组件(109,112.4)上、被指派给该第一防撞单元(114.1)并产生第二场,以及该第一防撞单元(114.1)及该第二防撞单元(114.2)设计成使得当该第一组件(108)及该第二组件(109,112.4)沿该相对运动路径逐渐地接近彼此时,该第一场及该第二场在该第一组件(108)上产生抵消该接近的增加的反作用力,其特征在于:该第一防撞单元(114.1)和/或该第二防撞单元(114.2)包含产生部分场的多个防撞元件,其中该防撞元件(115.1,115.2)被指派给彼此,使得该防撞元件的部分场的叠加产生该防撞单元(114.1,114.2)的场,该场的场线密度随着沿该相对运动路径离该防撞单元(114.1,114.2)的距离增加而比该部分场中的一个的场线密度降低地更为急剧。2.如权利要求1所述的光学模块,其中:该防撞单元(114.1,114.2)的场的场线密度随着离该防撞单元(114.1,114.2)的距离而指数地减少,和/或该防撞单元(114.1,114.2)的场的场线密度随着离该防撞单元(114.1,114.2)的距离而降低5次方到21次方、较佳为降低7次方到21次方、更佳为降低9次方到21次方,和/或该防撞单元(114.1,114.2)的部分场的叠加产生与预定义反向场相互作用的实际场,该实际场仅在该第一碰撞区域(108.1)与该第二碰撞区域(109.1)之间的距离小于在理论参考状态下于该第一组件(108)上产生预定义反作用力,为此将在无该部分场的叠加的情况下从各个部分场在该接近方向上所获得的理论分力的量相加在一起。3.如权利要求1或2所述的光学模块,其中:该第一防撞单元(114.1)包含N个第一防撞元件(115.1)且该第二防撞单元(114.2)包含M个第二防撞元件(115.1),其中特别地,N等于M,和/或N和/或M为偶数,和/或N等于2至20,较佳为N等于4至16,更佳为N等于4至12,和/或M等于2至20,较佳为M等于4至16,更佳为M等于4至12。4.如权利要求1至3中任一项所述的光学模块,其中:该防撞单元(114.1,114.2)中至少一个的防撞元件(115.1,115.2)在其内部定义具有内部极性的部分场的内部场方向,其中该至少一个防撞单元(114.1,114.2)的防撞元件(115.1,115.2)在横向于、特别是垂直于该反作用力而延伸的平面中以实质环形配置来配置,和/或该至少一个防撞单元(114.1,114.2)的防撞元件(115.1,115.2)在垂直于该防撞元件(115.1,115.2)中的一个的内部场方向的平面中以实质环形配置来配置。5.如权利要求4所述的光学模块,其中:该至少一个防撞单元(114.1,114.2)的至少两个防撞元件(115.1,115.2)沿该环形配置的圆周方向配置,使得其具有实质相反的内部极性,和/或该至少一个防撞单元(114.1,114.2)的防撞元件(115.1,115.2)沿该环形配置的圆周方向至少逐段地以该内部场方向的交替极性来配置,和/或该至少一个防撞单元(114.1,114.2)的至少两个防撞元件(115.1,115.2)、特别是所有的防撞元件(115.1,115.2)的内部场方向实质上平行。6.如权利要求1至5中任一项所述的光学模块,其中:在没有该机械干扰的任何影响的静止状态中,该第一碰撞区域(108.1)及该第二碰撞区域(109.1)位于沿该接近方向的静止距离处,其中该第一防撞单元(114.1)及该第二防撞单元(114.2)在该第一组件(108)上产生可忽略的第一反作用力,针对该第一碰撞区域(108.1)及该第二碰撞区域(109.1),沿该接近方向存在预定义最小距离,在该预定义最小距离之下,该接近在受到该机械干扰的影响下必需不进行,且该第一防撞单元(114.1)及该第二防撞单元(114.2)在该预定义最小距离处于该第一组件(108)上产生第二反作用力,以及针对该第一碰撞区域(108.1)及该第二碰撞区域(109.1),在该机械干扰的影响下沿该接近方向存在中间距离,该中间距离位于该静止距离与该最小距离之间,且该第一防撞单元(114.1)及该第二防撞单元(114.2)在该中间距离处产生第三反作用力于该第一组件(108)上,该第三反作用力是不可忽略的且具有在该第一反作用力与该第二反作用力之间的大小。7.如权利要求6所述的光学模块,其中:该最小距离为该静止距离的3%到20%、较佳为4%到10%、更佳为4%到6%,和/或该中间距离为该静止距离的20%到70%、较佳为30%到50%、更佳为30%到40%,和/或该静止距离为0.2mm到1.0mm、较佳为0.3mm到0.8mm、更佳为0.4mm到0.6mm,和/或该最小距离为0.015mm到0.1mm、较佳为0.02mm到0.08mm、更佳为0.02mm到0.04mm,和/或该中间距离为0.2mm到0.02mm、较佳为0.15mm到0.04mm、更佳为0.1mm到0.06mm。8.如权利要求6或7所述的光学模块,其中:该第一反作用力小于该第二反作用力的3%到20%、较佳为4%到10%、更佳为4%到6%,和/或该第三反作用力小于该第二反作用力的20%到70%、较佳为30%到50%、更佳为30%到40%,和/或该第三反作用力为该第一反作用力的350%到750%、较佳为500%到750%、更佳为650%到750%。9.如权利要求1至8中任一项所述的光学模块,其中:该相对运动路径在每一点处定义该第一碰撞区域(108.1)及该第二碰撞区域(109.1)之间沿该接近方向的距离,针对该第一组件(108)及该第二组件(109,112.4),预定义该第一碰撞区域(108.1)及该第...
【专利技术属性】
技术研发人员:J哈特耶斯,A沃尔夫,T格鲁纳,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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