适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。

本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法，该反射光学元件包括基板上的多层系统，该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤：测量所述...

本发明关于光学配置，例如光刻系统，其包含：第一部件(19)，特别是承载框；第二部件(13)，其可相对第一部件(19)移动，特别是反射镜；以及至少一个止挡件(20)，其具有至少一个止挡面(20a、20b)用于限制第二部件(13)相对第一部...

本发明涉及一种柱塞线圈致动器(1)，其至少包括一个第一线圈(15)和一个第二线圈(16)及磁体布置(10)，其中线圈(15、16)与磁体布置(10)相互作用使得磁体布置(10)能够在移动区域(17)内偏转。如果磁体布置(10)位于不由线...

本发明涉及一种方法，用于将极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模(300)的测量数据(640)从第一环境(150)变换到第二环境(350)。该方法包括以下步骤：(a)确定在第一环境(150)中的光刻掩模(300)的测量数据(640)，其中测...

本发明涉及一种光刻设备(100B)，其具有光学元件(202)，与所述光学元件(202)耦连的接口(204)，与所述接口(204)分开的构件(208)，所述构件直接地以形状配合和/或力配合方式与所述光学元件(202)连接，其中，所述光学元...

本发明涉及一种半导体光刻的投射光系统，其包括将系统的部件(22)连接到支撑冷却结构(23)的连接元件(21)。连接元件(21)具有接收部件(22)的接收区域(24)和将连接元件(21)连接到投射光系统的支撑冷却结构(23)的足部区域(2...

本发明涉及一种控制装置(10)，用于致动致动器单元(11)以设定光刻设备(100A、100B)的光学元件(20)的位置(P)，所述控制装置具有：放大器单元(30)，通过电压信号(41)和PWM信号(42)提供致动器单元(11)的控制信号...

本发明涉及一种系统(100)，其具有：产生辐射的辐射源(106A)；在系统(100)中引导辐射的多个光学元件(110、112、114、116、118)；N1个阵列(210‑260)，其中N1≥1，其中N1个阵列(210‑260)中的每一...

用于投射曝光装置(1)的部件(40)包含：配置在封装壳体(60)中且具有电子零件(61)的印刷电路板(63)，以及用于将热从电子零件(61)散逸到壳体(60)的外侧的导热结构(68)。

本发明提供具有投射镜头(104)的光刻系统(200)，其包含：第一光学元件(208)、第一传感器副框(212)、配置为检测第一光学元件(208)相对于第一传感器副框(212)的位置的第一传感器(218)以及配置为检测晶片(124)相对于...

对于测量光刻掩模确定成像光学单元的成像像差贡献包含：首先焦点相关地测量成像光学单元的3D空间像，按照通过成像光学单元对物体成像的像面的区域中以及与该像面平行的不同测量平面中的2D强度分布的序列。然后由具有散斑图案的测量的2D强度分布的傅...

为了确定光刻掩模(5)对线宽的波动的与结构无关的贡献，以空间分辨的方式评估光刻掩模(5)的非结构化测量区域的记录的2D强度分布(15zi)。

为了确定光刻掩模(5)的焦点位置，记录不含将要成像结构的测量区域的焦点堆叠体并且评估记录的图像的散斑图案。

本发明涉及一种EUV投射光刻的照明系统，包含：光束成形光学单元(6)，用于从基于同步加速器辐射的光源(2)的EUV原始光束(4)产生EUV聚集输出光束(7)。解耦光学单元(8)用于从所述EUV聚集输出光束(7)产生多个EUV单独输出光束...

本发明涉及一种修复EUV光刻的反射光学元件的经济有效的方法。所述元件具有基板(61)以及在5nm和20nm之间的范围中的工作波长处反射的涂层(62)，并且由于形成氢气泡而被损坏。该方法包括以下步骤：在涂层(62)中定位损坏区域(63、6...

本发明涉及一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有...

本发明涉及延长时间期限直到改变扫描探针显微镜的测量尖端的方法和装置。特别地，本发明涉及一种在扫描探针显微镜(100)中硬化测量尖端(120、127、130)的方法，该方法包含以下步骤：用能量束源(152)的束(160)处理测量尖端(12...

本发明涉及投射曝光方法，该方法用于以在投射镜头的物平面的区域中布置的掩模图案的至少一个图像来曝光在投射镜头的像平面的区域中布置的基板。用辐射敏感的多层系统(MS)涂覆基板(SUB)，该辐射敏感的多层系统(MS)包括由第一光刻胶材料制成的...

本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光系统(1)，包括至少一个部件(22)和支撑装置，该支撑装置具有在部件(22)的至少一个支撑点(27)上作用的至少一个支撑致动器(23)，使得部件(22)的形变减小，其中支撑装置具有致动至少一个支撑致动器...