卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术

卡尔蔡司SMT有限责任公司共有574项专利

  • 用于微光刻投射曝光的设备以及用于检查基底表面的设备
    本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)、用于检查基底(20)的表面的设备(110)及其相关方法。一种用于微光刻投射曝光的设备(10),包括:光学系统(18),用于通过利用成像辐射(15)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16...
  • EUV光刻的光学布置
    本发明涉及一种光学布置,尤其是用于微光刻的投射镜头,包括:至少一个光学元件(21),其包括光学表面(31a)和基板(32),其中,所述基板(32)由一材料形成,所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度Tref有关的零交叉温度ΔTZC...
  • 反射镜的布置
    一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20),包含总反射表面(24),该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区,其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开,所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22),所述第一...
  • 在EUV反射镜上制造由氧化硅构成的覆盖层的方法、EUV反射镜和EUV光刻设备
    本发明涉及一种在反射镜(13)的涂层(16)上制造由氧化硅SiOx构成的覆盖层(18)自勺方法,所述涂层反射例如用于EUV光刻设备或EUV掩模度量系统的EUV辐射(6),该方法包含:照射由氮化硅SiNX构成或由氮氧化硅SiNxOy构成的...
  • 确定层厚度和/或确定带的污染程度的设备
    本发明涉及一种确定沿着供给方向移动的带(8)的层厚度(d)的设备(1a),包含:移动单元(9),沿着所述供给方向移动带(8);发光单元(2a至2c),产生光束(3);光束成形单元(4),布置在发光单元(2a至2c)下游,用于成形至少一个...
  • 本发明涉及一种曝光设备(5),包含:基板(6),具有光敏层(1);发生装置(7),产生具有曝光波长(λB)的多个曝光光线(3),其中,各个曝光光线(3)分配给所述光敏层(1)的部分区域,所述发生装置(7)设计为产生具有大于用于使所述光敏...
  • 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射光学元件39,包括施加在基板的表面上的层布置,其中,层布置包括由单独层的至少一个周期的周期序列构成的至少一个层子系统37,其中,所述周期包括在EUV波长范围中具有不同折射率的两个单独层,其中,基板至...
  • 包括具有稳定组成的氮氧化物覆盖层的EUV反射镜、EUV光刻设备和操作方法
    本发明涉及一种用在例如EUV光刻设备或EUV掩模度量系统中的反射镜(13),包括:基板(15)和反射EUV辐射(6)的涂层(16),所述反射涂层具有由氮氧化物构成,尤其由SiNXOY构成的覆盖层(18),其中,氮氧化物NXOY中的氮比例...
  • 本发明涉及在微光刻投射曝光设备中热致动反射镜的布置,其中反射镜(901)具有光学有效表面(901a)和至少一个进入通道(910、910’),至少一个进入通道(910、910’)在所述有效表面的方向上从该反射镜的不对应于光学有效表面的表面...
  • 本发明提供一种光学成像布置,其包含光学投射单元和控制装置。该光学投射单元包含支撑结构和光学元件单元组,该光学元件单元组适于在沿着曝光光路利用曝光光的曝光过程中,将掩模单元的图案的像转印于基板单元的基板上。该光学元件单元组包含第一光学元件...
  • 一种用于微光刻的照明光学部件,该照明光学部件包括用于将照明光引导到物平面中要照明的物场的光学组件。根据本发明的第一方面,照明光学部件(26)将照明光辐射束(3)分成多个辐射子束(28至30),该多个辐射子束被分配物场照明的不同照明角。照...
  • 制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法
    为了减少存在活性氢时多层系统的最上层中的起泡和分裂以及碎裂的趋势,提出了一种制造用于EUV光刻的反射光学元件(50)的方法,该元件在位于5nm至20nm范围内的工作波长下具有最大反射率,该方法包括以下步骤:将多层系统(51)施加至基板(...
  • 成像光学单元
    一种成像光学单元(50),用于将物场(4)成像至像场(8)中。物场(4)和像场(8)之间的成像光路(AS)被细分为多个部分成像光路(TAS)。成像光学单元(50)实施为使得部分成像光路(TAS)以彼此完全分离且由成像光学单元(50)的光...
  • 一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1),包含:光学元件(2),其至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)。涂层(14)包含连续区域(100),该连续区域不具有遮挡投射光的元件。在该情况下,取决于温度变化,层材料和/或光学元件(2)...
  • 一种用于投射曝光设备(1)的物镜(27),包含布置在物镜框架(28)上的度量台(30)。
  • 光学元件
    本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备的光学元件,包括光学作用表面(9)和用于冷却光学元件的至少一个冷却部件,其中,所述冷却部件连接到至少两个分离的冷却回路,并实施为使得所述光学作用表面(9)可以在至少一个部分区域中比在另一部分区域...
  • 一种微光刻投射曝光设备,包括用来照明物平面中的物场的数个物场点的照明光学部件。就该物场的每一物场点而言,该照明光学部件具有与该物点相关的出射光瞳,其中sin(γ)为该出射光瞳的最大边缘角值,且其中该照明光学部件包括多镜阵列,其包括用来调...
  • 照明光学单元
    一种用于EUV投射曝光设备的照明光学单元(4),具有光阑(23),光阑包括具有离散对称组的辐射透射区域。光阑(23)的形状适配于光瞳分面反射镜(18)的分面形状或辐射源(3)的形状。光阑(23)优选地布置在中间焦平面的区域中。
  • 本发明涉及用于致动微光刻投影曝光设备中的元件的装置。按照本发明的一方面,一种用于致动微光刻投影曝光设备中的元件的装置具有:至少两个致动器(620,630,720,730,820,830),其经由机械耦合(621,631,721,731,...
  • 一种具有垂直于表面法线(41)延伸的总表面的反射镜阵列(22),包含多个反射镜元件(23),反射镜元件各具有反射表面(36)和至少一个位移自由度,其中反射镜元件(23)的全部形成反射镜阵列(22)的总反射表面的拼接部分,并且其中反射镜阵...