EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤光器的照明系统技术方案

本发明专利技术涉及一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面垂直限定的厚度，其中吸收体层的厚度在光学有效表面上变化，以及由其粗糙度在表面上变化的反射镜的至少一个粗糙表面形成的反射镜。本发明专利技术还涉及EUV投射曝光设备的照明系统，涉及产生对应强度适配滤光器的方法，以及涉及对应滤光器的用途。

Intensity-adapted filters for EUV microlithography, methods for generating them and lighting systems with corresponding filters

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤光器的照明系统优先申请的交叉引用本申请要求2016年12月5日提交的德国专利申请DE102016224113.3的优先权，其中所述申请的公开通过引用全部并入本文中。专利技术背景
本专利技术涉及EUV微光刻的强度适配滤光器、涉及包括强度适配滤光器的EUV投射曝光设备的照明系统、涉及产生强度适配滤光器的方法以及涉及对应的强度适配滤光器的用途。
技术介绍
为了产生附属于微电子和微系统工程的微结构和纳米结构部件，使用微光刻投射曝光设备，其中掩模母版由照明系统被照明并通过投射镜头被成像在晶片上，使得将包含在掩模母版上的结构以缩小的方式成像在晶片上，因此以便于通过光刻工艺在晶片上形成对应的结构。因为要成像的结构尺寸变得越来越小，还必须对应地增加投射曝光设备的分辨率能力。为此，在投射曝光设备中，可以使用具有越来越短波长的光，例如在具有5nm至15nm的波长的极紫外(EUV)波长光谱的范围中，或者在20pm至250pm的软X射线辐射的范围中。为了能够微光刻地产生小结构，必须确保以指定方式照明掩模母版。对应地，由光源提供的工作光必须在照明系统中调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学系统的光学元件，所述光学系统用极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，所述光学元件包括EUV或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于所述光学有效表面横向限定的厚度，其中所述吸收体层(12)被施加到基板上并且所述基板实施为反射镜(21)，其特征在于，所述吸收体层的厚度在所述光学有效表面上变化并且所述反射镜包括布拉格反射器形式的反射层(21)，所述反射层沿着所述光学有效表面延伸并在所述光学有效表面之上适配于所述工作光的不同入射角。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.05 DE 102016224113.31.一种光学系统的光学元件，所述光学系统用极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，所述光学元件包括EUV或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于所述光学有效表面横向限定的厚度，其中所述吸收体层(12)被施加到基板上并且所述基板实施为反射镜(21)，其特征在于，所述吸收体层的厚度在所述光学有效表面上变化并且所述反射镜包括布拉格反射器形式的反射层(21)，所述反射层沿着所述光学有效表面延伸并在所述光学有效表面之上适配于所述工作光的不同入射角。2.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，所述吸收体层(12)由多个部分层(22、23)构成，其特别地在吸收效应方面不同，其中优选地面向要过滤的辐射的入射侧的一个或多个所述吸收体部分层(23)比背离所述要过滤的辐射的入射侧的侧面的一个或多个所述吸收体部分层(22)具有更小的吸收。3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述光学元件包括覆盖层(23)，其特别是所述吸收体层(12)的部分。4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述吸收体层(12)包括来自包含Mo、Ru、Si、Si3N4、ZrN、SiC、B4C和Ni的组的一个或多个成分。5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述基板被结构化或者结构化层(20)布置为担当扩散器，其中特别是提供与结构化组合的平滑层。6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述反射层(21)实施为使得波长的带宽能够由所述反射层来反射，其中所述带宽在所述光学有效表面上变化。7.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有微结构，其中所述微结构的特征高度大于或等于所述工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。8.根据权利要求1至6中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有限定的粗糙度，其中所述限定的粗糙度大于或等于所述工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。9.根据权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述吸收体层是由与所述布拉格反射器的最外层的材料相同或不同的材料来制造的层，并且除了所述布拉格反射器的最外层...

【专利技术属性】
技术研发人员：H恩基施，U米勒，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE