用于极紫外光刻的反射镜的基底制造技术

适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。

【技术实现步骤摘要】
用于极紫外光刻的反射镜的基底本申请是申请日为2012年1月14日且专利技术名称为“用于极紫外光刻的反射镜的基底”的中国专利申请No.201510870929.4的分案申请。
本专利技术涉及包含用于EUV光刻的反射镜的基础体的基底；并且本专利技术还涉及包含该基底的用于EUV投射曝光设备的反射镜。
技术介绍
为了使得能够在半导体组件的制造期间使用光刻方法来制造更加精细的结构，例如利用具有更加短的波长的光。如果使用在极紫外(EUV)波长范围内的光，例如在大约5nm和20nm之间的波长的光，则不再能够以透射方式使用透镜式元件，而是替代地，照明和投射物镜由反射元件构成，该反射镜元件具有适合于相应工作波长的高反射涂层。与在可见和紫外波长范围内的反射镜相比，理论上还是以下情况：每个反射镜仅可实现小于80％的最大反射率。因为EUV投射装置一般具有多个反射镜，所以必须使这些反射镜的每一个都具有最高可能的反射率，以便确保足够高的总反射率。为了保持由杂散光导致的强度损失尽可能低，以及避免像差，反射镜基底或通过将高反射层施加至反射镜基底而制造的反射镜应具有最低可能的微粗糙度。从表面上的测量点关于中心区域的偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于所述基础体(2)由合金制成，所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。

【技术特征摘要】
2011.01.21 DE 102011002953.2;2011.01.21 US 61/434,1.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于所述基础体(2)由合金制成，所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成。2.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，所述合金为具有替代晶格的合金。3.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，所述合金是沉淀硬化的。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金为铜或铝合金。5.一种用于EUV光刻的反射镜的包含基础体的基底，其特征在于，所述基础体(2)由合金系的金属间相制成。6.根据权利要求5所述的基底，其特征在于，所述基础体(2)由其中观察到化学计量标准组成的金属间相制成。7.根据权利要求5或6所述的基底，其特征在于，所述基础体(2)由具有对应于所述合金系的相图中的相稳定线的组成的金属间相制成。8.根据权利要求5至7中任一项所述的基底，其特征在于，所述合金具有在相应的合金系的相图中位于由相稳定线定界的区域中的组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：C埃克斯坦，H马尔特，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE