在光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种在特别是微光刻的光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量的装置，该装置包括：光学元件(110、510、610)；衍射结构(120、420、450、460、520、620)，具有局部变化的光栅周期；以及强度传感器布置；其中在光学系统的操作期间、以至少一级衍射在衍射结构(120、420、450、460、520、620)处衍射的电磁辐射通过光学元件(110、510、610)内实现的全内反射被指引到强度传感器布置。

A device for determining exposure energy during exposure of elements in an optical system

【技术实现步骤摘要】
在光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量的装置本申请要求2018年10月2日提交的德国专利申请DE102018124314.6的优先权。该申请的内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及在特别是微光刻的光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量的装置。本专利技术可用在例如掩模检验设备中，而且还用在其他显微术应用和微光刻投射曝光设备中。
技术介绍
微光刻用于制造诸如集成电路或LCD的微结构部件。在包括照明装置和投射镜头的称为投射曝光设备中实行微光刻工艺。在这种情况下，通过投射镜头将通过照明装置所照明的掩模(＝掩模母版)的像投射到涂有感光层(光刻胶)且在投射镜头的像平面中布置的基板(例如硅晶片)上，以便于将掩模结构转印至基板的感光涂层。在光刻工艺中，掩模上的不期望的缺陷具有特别不利的影响，因为它们在每次曝光步骤下重现。对可能的缺陷位置的成像效应的直接分析因此是可期望的，以便最小化掩模缺陷并且以便实现成功的掩模修复。因此，存在对快速且简易地测量掩模或使掩模具有资格的需求，以在诸如投射曝光设备中实际出现的相同条件下尽可能精确。为此，已知的是，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，在光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量，所述装置包括：/n光学元件(110、510、610)；/n衍射结构(120、420、450、460、520、620)，所述衍射结构具有局部变化的光栅周期；以及/n强度传感器布置；/n其中在所述光学系统的操作期间、以至少一级衍射在所述衍射结构(120、420、450、460、520、620)处衍射的电磁辐射通过所述光学元件(110、510、610)中实现的全内反射被指引到所述强度传感器布置。/n

【技术特征摘要】
20181002 DE 102018124314.61.一种装置，在光学系统中的元件的曝光期间确定曝光能量，所述装置包括：
光学元件(110、510、610)；
衍射结构(120、420、450、460、520、620)，所述衍射结构具有局部变化的光栅周期；以及
强度传感器布置；
其中在所述光学系统的操作期间、以至少一级衍射在所述衍射结构(120、420、450、460、520、620)处衍射的电磁辐射通过所述光学元件(110、510、610)中实现的全内反射被指引到所述强度传感器布置。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光学系统具有光学系统轴线(OA)，其中所述光栅周期随距所述光学系统轴线(OA)的距离增加而减小。


3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述衍射结构(120、420、450、460、620)被实施在所述光学元件(110、610)的光入射表面上。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述衍射结构(120、420、450、460、620)仅被实施...

【专利技术属性】
技术研发人员：T弗兰克，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE