提供了一种用于检测入射光(126)强度的比例变化的智能接触镜片(400)，包括一个或多个液晶显示器(LCD)类型的优选为同心的环(410‑1，410‑2，......，410‑N)，每个环可在具有较低光衰减的状态和具有较高光衰减的状态之...

一种用于聚合物的电化学合成的系统，包括：a.一个或多个反应腔室，包括入口、出口，以及包括一个或多个可单独寻址电极的多个反应位点，b.多个储液器，c.用于选择流速的至少一个流量控制系统，包括：i.至少一个入口，其中每一个储液器在上游流体耦...

本文提供了一种纳米片器件，包括：第一晶体管结构和第二晶体管结构，每个晶体管结构包括源极区、漏极区和在所述源极区和所述漏极区之间延伸的沟道区，介电壁，栅极结构，以及栅极间隔物，其中所述第一晶体管结构的沟道区包括第一组垂直堆叠的沟道层，并且...

公开了一种用于估计经历性能退化的集成电路(105)的工作年龄的传感器(100)和相关的篡改检测方法。传感器(100)可在常规使用模式或读出模式下操作，并包括对温度应力和电压应力作出响应的性能监测器(101)和对温度压力作出响应的退火监测...

本公开涉及三维(3D)静态随机存取存储器(SRAM)，并提供一种3DSRAM单元和用于加工该3D SRAM的晶体管的方法。SRAM单元包括被布置在第一层级中的两个PU晶体管、被布置在位于第一层级上方或下方的第二层级中的两个PD晶体管、以...

本公开涉及一种CFET器件(100)，其包括：底部FET器件(130)和堆叠在底部FET器件(130)的顶部上的顶部FET器件(140)，底部FET器件(130)包括底部沟道纳米结构(132)以及底部栅电极(134)，该底部栅电极包括沿...

本公开涉及一种互补场效应晶体管(CFET)单元10。该CFET单元(10)包括：布置在该CFET单元(10)的第一层级中的第一晶体管结构(11)；布置在该CFET单元(10)的在第一层级上方的第二层级中的第二晶体管结构(12)；形成在第...

根据本发明，通过电沉积在量子位基板(1)上产生超导焊料凸块(17)。该基板包括量子位区域(4)和连接到量子位区域的超导接触焊盘(5)。首先，在基板上形成保护层(6)，并将其图案化以至少覆盖量子位区域。然后，在经图案化的保护层上共形地沉积...

本公开提供了一种用于MRAM器件的堆叠体，其中该堆叠体包括具有高隧穿磁阻比(TMR)的磁性隧道结(MTJ)。该堆叠体包括基板层、布置在基板层上的第一电极层和布置在第一电极层上的晶种金属层，每一层具有[001]或[010]或[100]平面...

根据一方面，提供了一种EUV防护膜，其包括：防护膜框架；以及防护膜隔膜，该防护膜隔膜安装在该防护膜框架上并且包括CNT束的膜，其中，在该膜的任意2μm×2μm区域内：每束的CNT平均数量为至少5，平均束直径在6至16nm的范围内，平均面...

本公开涉及互补场效应晶体管(CFET)器件，并且关注CFET单元中的晶体管结构的可布线性。本公开提出了一种CFET单元，其包括在第一层级中的第一晶体管结构和在第一层级之上的第二层级中的第二晶体管结构。第一电源轨被布置在第一层级下方并从下...

一种用于形成集成电路器件的方法，包括：a.在基板的正面上形成半导体器件，该半导体器件包括：在该基板的正面上的器件层，该器件层包括第一有源器件，该基板包括：浅沟槽隔离结构，其中相邻的浅沟槽隔离结构通过包括基板材料的分隔部彼此分隔开，由在第...

本公开涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成器件结构，该器件结构包括鳍结构，该鳍结构包括一对源极/漏极体和在该对源极/漏极体之间的沟道区，该沟道区包括至少一个沟道层，并且该器件结构还包括跨该鳍结构的沟道区延伸的栅极结...

本公开涉及一种半导体器件结构。该器件结构包括第一和第二FET，每一者包括相应的S/D结构、相应的沟道结构和相应的栅极结构。每一S/D结构包括S/D主体和从S/D主体横向突出的一组垂直间隔开的S/D叉齿。第一和第二FET的S/D叉齿在相反...

一种方法，包括：提供半导体基板，在基板上形成包括叉片器件的器件层，以及向基板提供叉片器件的介电壁的基板部分、第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离、以及用通孔材料填充的通孔，其中第一浅沟槽隔离的延伸部包括面向第二浅沟槽隔离的延伸部的第二表面的第...

形成互连结构的方法包括：在基板上形成第一介电层图案；用金属覆盖第一介电层图案并将金属平坦化以暴露第一介电层图案的上表面并形成第一金属层图案；在第一介电层图案和第一金属层图案上形成第二介电层图案；用金属覆盖第二介电层图案并将金属平坦化以暴...

本公开涉及一种用于形成集成电路器件的方法，包括：在基板的正面上形成叉片器件，该叉片器件包括由垂直取向的介电壁分隔开的第一晶体管和第二晶体管，其中该叉片器件被形成在基板的基部上，而介电壁延伸到该基部中；在形成叉片器件之后，从基板的背面减薄...

本公开涉及用于波分多路复用(WDM)的滤光器，并且提供了一种马赫‑曾德尔干涉仪(MZI)滤光器和包括该MZI滤光器和至少一个环形谐振器的基于环的WDM器件。MZI滤光器具有第一光学耦合器和第二光学耦合器，所述第一光学耦合器具有以大约90...

一种反馈场效应晶体管(100)，包括源极区(110)、沟道区(120)、漏极区(130)，和栅极(140)。沟道区(120)位于源极区(110)和漏极区(130)之间。源极区(110)、沟道区(120)，和漏极区(130)包括带隙小于0...

本公开涉及用于形成半导体器件的方法，包括：形成第一底部和顶部沟道结构，以及第二底部和顶部沟道结构，以及横跨这些沟道结构延伸的牺牲栅极；在第一顶部沟道结构上方在所述牺牲栅极中形成开口，并形成穿过第一顶沟道结构的切口；在切口和开口中形成介电...