【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应晶体管的领域。更具体地，它涉及反馈场效应晶体管。
技术介绍
1、随着每个芯片的半导体器件数量的增加，需要减小器件尺寸。如今，典型的器件尺寸范围从几纳米到几十纳米，这使得追求尺寸缩放变得越来越困难。因此，半导体器件正从平面mos结构发展到3d多栅极晶体管，诸如finfet或纳米线(nw)，并寻求新型材料，如2d材料或碳纳米管(cnt)。在其他问题中，由于每单位面积晶体管的数量不断增加，功耗和散热已成为现代cmos技术中的一个关键考量，并且寻求新的节能开关来取代mosfet概念。
2、在mosfet中，晶体管的亚阈值斜率(ss)或漏极电流-栅极电压特性id(vg)的反斜率的下限是ln(10)×kt/q。换言之，在室温下需要至少60mv的栅极电压变化来将电流改变一个十进位。这对电路的供电电压和功耗的降低设置了实际限制。实现更陡的亚阈值斜率晶体管已经成为进一步cmos缩小规模的关键问题，并且已经提出了克服这一限制的不同概念。这包括使用vg触发的多物理效应的器件，诸如悬浮栅极(sg)-mosfet中的机电运动，或者...
【技术保护点】
1.一种反馈场效应晶体管(100)，所述反馈场效应晶体管包括源极区(110)、沟道区(120)、漏极区(130)，和栅极(140)，其中所述沟道区(120)位于所述源极区(110)和所述漏极区(130)之间，并且其中所述源极区(110)、所述沟道区(120)和/或漏极区(130)包括带隙小于0.9eV的半导体材料，并且其中所述源极区(110)和/或漏极区(130)具有小于5x1019cm-3的掺杂剂浓度，并且其中所述栅极沿着所述沟道被定位并且与所述沟道隔离。
2.根据权利要求1所述的反馈场效应晶体管(100)，其特征在于，所述半导体材料是碳纳米管。
...【技术特征摘要】
1.一种反馈场效应晶体管(100)，所述反馈场效应晶体管包括源极区(110)、沟道区(120)、漏极区(130)，和栅极(140)，其中所述沟道区(120)位于所述源极区(110)和所述漏极区(130)之间，并且其中所述源极区(110)、所述沟道区(120)和/或漏极区(130)包括带隙小于0.9ev的半导体材料，并且其中所述源极区(110)和/或漏极区(130)具有小于5x1019cm-3的掺杂剂浓度，并且其中所述栅极沿着所述沟道被定位并且与所述沟道隔离。
2.根据权利要求1所述的反馈场效应晶体管(100)，其特征在于，所述半导体材料是碳纳米管。
3.根据权利要求1所述的反馈场效应晶体管(100)，其特征在于，所述半导体材料选自锗、iii-v族材料、石墨烯、黑磷。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的反馈场效应晶体管(100)，其特征在于，所述漏极区(130)具有小于5x1019 cm-3的掺杂剂浓度，而其中所述源极区(110)具有大于5x1019cm-3的掺杂剂浓度。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的反馈场效应晶体管(100)，其特征在于，所述源极区(110)的掺杂剂是n型掺杂剂。
6.根据权利要求1到4中的任一项所述的反馈场...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。