本公开涉及用于形成半导体器件的方法，包括：在基板上形成器件结构，该器件结构包括：包括包含至少一个底部沟道层的底部器件子堆叠和包含至少一个顶部沟道层的顶部器件子堆叠的器件层堆叠，延伸穿过器件层堆叠的牺牲栅极结构，以及在至少一个底部沟道层的...

本公开涉及静态随机存取存储器(SRAM)。具体而言，本公开提供了一种堆叠式SRAM单元，以及用于制造该堆叠式SRAM单元的方法。堆叠式SRAM单元包括两个第一晶体管结构和两个第二晶体管结构，它们形成一对交叉耦合的反相器，并且包括一个或两...

本公开涉及用于形成半导体器件的方法，包括：在基板上形成堆叠式晶体管结构，包括：底部沟道结构和堆叠在底部沟道结构的顶部上的顶部沟道结构、延伸跨过底部和顶部沟道结构的栅极结构、在底部沟道结构上的第一和第二底部S/D结构、以及在顶部沟道结构上...

本公开涉及一种波导。本公开提出了一种波导芯，其中该波导芯按照特定曲线或曲线族来弯曲。该波导芯具有平滑曲线作为该波导芯的边缘和/或中心线，其中相对于平滑曲线的弧长，平滑曲线的曲率是连续的，并且平滑曲线的曲率的一阶导数是连续的。平滑曲线包括...

根据本发明的纳米结构包括被配置成通过相反极性的载流子(诸如n和p型载流子)来传导电荷的一对纳米片或纳米线晶体管(1，1’)，其中这两个晶体管中的一者设置有内部间隔物(10)，而另一者没有设置内部间隔物。发明人发现，取决于电荷载流子的类型...

本发明的一个方面涉及用于生产包括适于在扫描探针显微镜(SPM)中使用的多个尖端的基板的方法，其中作为第一步骤，生产或提供包括多个纳米尺寸的尖端的基板，多个纳米尺寸的尖端优选地布置成规则阵列并且以纳米尺寸的间隙分隔开。掩模被施加到该基板，...

本公开涉及用于形成半导体器件的方法，包括：在基板的正面上形成晶体管结构，该晶体管结构包括分别位于第一和第二源极/漏极区中的第一和第二源极/漏极体、以及包含在第一和第二源极/漏极体之间水平延伸的至少一个沟道层的沟道体；在第一源极/漏极区旁...

该方法应用三个硬掩模(4，6，16)的组合和掩模材料(5，15)的沉积，连同两个间隔物(8，18)的使用，来将经图案化特征(3a‑3g)之间的距离限定为低至几纳米。该方法的步骤被配置成在目标层(3)上产生最终硬掩模图案，其中最终硬掩模随...

根据本发明的方法，在至少包括半导体材料的顶层的基板(1)上产生多个相互平行的心轴结构(4，4’)。侧间隔物(5)被形成在心轴结构上，并且心轴结构相对于间隔物被去除。这涉及在基板上形成辅助层，这使得能够选择性地去除心轴的至少顶部部分，然后...

根据本发明构思的一方面，提供了一种用于生产超声系统的超声换能器的方法，其中该方法包括：1)形成第一层结构，包括：(a)在第一基板上形成前板柔性层；(b)形成超声换能器元件的阵列；以及2)提供第二层结构，所述第二层结构至少包括背板层；其中...

根据一方面，提供了一种用于将埋入式接线和源极/漏极体进行互连的方法，该方法包括：在基板上形成鳍结构，鳍结构包括至少一个沟道层；在鳍结构旁边延伸的沟槽中形成埋入式接线，其中埋入式接线由第一绝缘层结构封盖；通过外延在该至少一个沟道层上形成源...

本公开涉及一种过渡金属二硫属化物的沉积方法，该方法包括：通过金属有机化学气相沉积工艺在基底上沉积过渡金属二硫属化物层，包括将所述基底暴露于包含过渡金属前体和硫属前体的反应气体混合物，其中，所述混合物还包括基于气相卤素的反应物，以使沉积在...

根据一方面，提供了一种3D IC，包括：多个垂直堆叠的器件层级，每一器件层级包括SRAM电路，每一SRAM电路包括SRAM位单元，其中位单元堆叠在彼此顶部以限定位单元的堆叠，并且其中每一位单元包括第一传输晶体管和第二传输晶体管、第一上拉...

一种用于确定表示在底层材料(90)上由抗蚀剂材料形成并具有预定尺寸的抗蚀剂结构(91，92)的状态转变温度的值的方法，所述方法包括：接收(104)早先获得的数据，所述数据表示在施加热处理之后多个实体(9，93)中的每一者的至少一个抗蚀剂...

提供了一种用于形成用于集成电路的互连结构的方法，包括：在基板上形成金属层；在金属层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成第一抗蚀剂材料的第一抗蚀剂层，并在第一光刻过程中将第一抗蚀剂层图案化以限定第一抗蚀剂图案；在第一抗蚀剂图案上形成第二抗蚀剂...

一种磁性器件(200)，包括至少两个MTJ柱(100)，每个MTJ柱包括重金属层部分(110a，110b)、第二自由磁性层部分(120a，120b)、间隔物部分(130a，130b)、第一自由磁性层部分(140a，140b)、隧道势垒层...

一种用于生长二维材料晶体(3)的模板(1)，包括：a.平坦表面(2)，用于在其上生长晶体(3)，b.在平坦表面(2)上的第一壁(4a)，以及c.在平坦表面(2)上的第二壁(4b)，其中，第一壁和第二壁(4a、4b)在角(5)处相交以形成...

公开了一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，其中形成纳米片场效应晶体管FET结构和鳍FET结构。该方法包括从垂直堆叠来形成第一鳍结构(110)和第二鳍结构(120)，其中第二鳍结构被布置在第一鳍结构上方，并且其中该垂直堆叠包括布置在第一和...

本公开涉及一种用于形成包括多个包含底部晶体管器件和顶部晶体管器件的堆叠式晶体管器件的半导体器件的方法，包括：在基板上形成多个平行鳍结构；形成跨鳍结构的牺牲栅极；通过外延形成每一底部晶体管器件的底部源极/漏极主体；形成覆盖底部源极/漏极主...

本公开涉及一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，该堆叠式晶体管器件包括下部NSHFET结构和上部FinFET结构，该方法包括：形成鳍结构，该鳍结构包括：包含若干下部沟道纳米片的下部器件子堆叠、中间绝缘层、包含上部沟道层的上部器件子堆叠、以...