一种用于执行物体的同轴无透镜数字全息术的装置，包括：·‑被适配用于发射相干光的单个点光源(2)；·‑被适配和排列用于记录干涉图案的图像感测设备(5)；其中·‑点光源包括宽波长光谱光源和针孔结构；·‑图像感测设备被适配用于通过相应的多个不...

一种芯片尺寸封装及其制造方法。芯片尺寸封装包括基片、挠性互连结构和粘结结构。基片在主表面处具有接触垫。挠性互连结构包括：在基片的主表面上的第一介电层；第一通路，电气接触接触垫并从接触垫延伸至第一介电层的第一上部主表面；平面金属弹簧，该弹...

描述一种用于形成接触通孔的方法，所述方法包括：提供基材，所述基材包含包埋于第一介电层中的多个接触件结构，所述接触件毗连所述第一介电层的上表面；在所述第一介电层的所述上表面上提供第二介电层；通过至少在对应于所述接触结构的位置处使所述第二介...

本发明涉及一种直接数字射频调制器(10)，包括：安排成被馈送有多位数字信号(D)的多个输入端(11)；多个转换器电路(CCi)，每一转换器电路被安排成在输入端处接收所述多位数字信号的一个位并根据所述一个位在转换器电路输出端(OUTi)处...

本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地...

提供一种用于制造晶体半导体光伏电池的方法,其中所述方法包括在半导体基片的表面上的第一预定的位置处沉积介电层和在半导体基片表面上的第二预定的位置处生长掺杂的外延层,所述第二预定的位置不同于第一预定的位置也不与第一预定的位置重叠。将介电层保...

一种形成用于NMOS晶体管装置的锗通道层的方法，该方法包括：a.提供具有侧壁的沟槽，所述侧壁由介电材料结构限定并邻接硅基材的表面；b.在所述表面上的所述沟槽中种植晶种层，所述晶种层具有前表面，所述前表面包含具有(111)取向的分面；c....

本发明涉及一种基板，该基板具有至少一个主表面，所述主表面包括被封盖层覆盖的至少一个非贵金属接合搭接垫，从而将非贵金属接合搭接垫从环境掩蔽开来。该封盖层包括合金，合金是NiB或CoB并且含有原子浓度百分率为10-50％的硼。

本发明涉及一种用于实时操作中的带运动伪像减少的生物电势信号获取的系统和方法。本发明涉及一种生物电势信号获取系统(100)，包括：模拟读出单元(10)，其被配置成接收模拟生物电势信号(BS1)并提取模拟测得生物电势信号(BS2)和模拟基准...

用于驱动包括被逻辑地组织成多个行和多个列的多个像素的有源矩阵显示器(210)的数字驱动电路，每个像素包括发光元件(101)，数字驱动电路包括针对所述多个列中的每一个列的电流驱动器(203)，用于驱动预定电流通过对应的列，所述预定电流与该...

描述了一种用于以预定帧速率来数字地驱动有源矩阵显示器(55)的方法所述显示器包含多个组织成多个行和多个列的像素。该方法包括通过一n位的数字图像编码来表示一帧内待显示的图像的多个像素中的每一像素；该方法还包括将图像帧划分为多个子帧，其中每...

在第一方面，本发明涉及用于分析流体样本的器件。所述器件包括：流控衬底，包括：嵌入在流控衬底中的配置用于通过毛细力将流体样本传播通过该器件的微流控组件；连接到该微流控组件的用于提供流体样本的装置；附连到该流控衬底至少部分覆盖该流控衬底并至...

一种用于制作底栅顶接触金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，该方法包括：-在基板上形成栅电极；-提供覆盖栅电极的栅介电层；-在栅介电层上沉积金属氧化物半导体层；-在金属氧化物半导体层上沉积金属层；-对所述金属层进行图案化以形成源极和漏极接触...

公开了一种用于制造光伏电池的方法，该方法包括：提供具有接触图案的镀金属接触，该接触图案包括多个指和在该多个指中的每一个指的自由端处的至少一个第一锁定元件；以及提供相关联的光伏电池。

一种制造晶体硅光伏电池的方法，所述方法包括：在硅基板的正表面上提供介电层；在要形成用于各光伏电池的正面触点的预定位置形成穿过介电层的开孔；其后；在基板的正面上提供第一金属层；在硅基板的背面上提供第二金属层；其后，在峰值退火温度下退火，第...

一种用于增加预定位置处金属氧化物半导体层电导率的方法，其中该方法包括：在预定位置处提供与金属氧化物半导体层物理接触的还原剂，并诱导还原剂和金属氧化物半导体层之间的化学还原反应，藉此影响预定位置处金属氧化物半导体层的化学组份；以及该方法的...

一种用于制造具有半导体基板的表面上的金属触点图案的光伏电池的方法，所述方法包括：根据所述金属触点图案在预定位置处通过第一激光在局部平滑所述半导体基板的所述表面；在所述半导体基板的所述表面处形成发射极区；在所述半导体基板的所述表面上提供介...