根据本发明构思的一个方面，提供了一种FeFET存储器设备，其被配置为使得FeFET的铁电存储器区域可通过在跨铁电区域的栅极结构与源极和漏极区域之间施加电场来编程。

本发明涉及一种通过光刻和蚀刻在基板上产生特征图案的方法。在涂覆到基板的抗蚀剂层(2、11)上执行两个曝光步骤，然后执行单个蚀刻步骤。在两次曝光中，使用包括相同的掩模特征(4、12、18)图案的掩模，可能因应用于特征的尺寸的比例因子而不同...

一种用于在基材(10)中的外露介电位置(130)上选择性地形成低k介电膜(140)的方法(200)，所述方法(200)包括：利用区域选择性沉积法使用一个或更多个沉积循环在所述外露介电位置(130)上选择性地沉积(210)含金属膜(110...

一种用于制造包括氮化硅光波导的光子电路的方法，包括：在基板上沉积(102)氮化硅以在基板上形成包括氮化硅光波导(302)的结构；对该结构进行处理(104)以形成光子电路；其中，对该结构的处理(104)包括将该结构暴露于电磁辐射，该电磁辐...

用于有源矩阵显示器的驱动系统电路系统，包括：数据驱动器模块，用于接收表示要由有源矩阵显示器的各像素显示的图像的数字数据比特流；一个或多个电源线，用于对多个像素供电，每个像素包括至少一个发光元件；电压源，连接到该一个或多个电源线；以及校准...

一种用于感测生物的参数的系统，该系统包括：薄膜晶体管TFT单元(110；310)，该TFT单元(110；310)被配置用于附连到生物的身体部位，并且所述TFT单元(110；310)包括至少一个传感器(112)以及相关联的传感器电路系统(...

一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括：‑提供单晶基材，其上表面覆盖有掩模层，该掩模层包括暴露上表面的至少一个开口，‑通过在开口中外延生长包含第一III族氮化物的第一层来填充开口，‑通过外延横向过生长，第一层进一步生长到开口上方和掩...

根据本发明构思的一个方面，提供了一种形成用于III‑N半导体沟道器件的半导体结构的方法，该方法包括：在Si基材上形成缓冲结构，其中形成缓冲结构包括：形成包括至少一个超晶格块的超晶格，每个超晶格块包括超晶格单元的重复序列，每个超晶格单元包...

用于经衰减的相移掩模类型的极UV光刻的掩模包括基板(1)、反射结构(2)以及衰减和相移部分(3)。附加覆盖层(4)至少覆盖各部分(3)的侧壁(SW)。这允许减少各部分的侧壁上的极UV入射光束的反射，使得每个衰减和相移部分的相对侧上的反射...

光学激发系统，包括基板(105)，该基板(105)包括:用于将分析物(109)递送到至少一个感兴趣区域(103)中的至少一个递送装置(104)，用于将来自至少一个辐射载体(101)的至少一个辐射光束引导到至少一个感兴趣区域(103)中的...

一种相对于第二特征件选择性去除第一特征件的方法，所述第一特征件包含含Sn的第一IV族材料，所述第二特征件包含第二IV族材料，所述方法包括：‑在加工室中提供具有上表面的基板，其中第一特征件和第二特征件设置在上表面上，其中，含Sn的第一IV...

在第一方面，本发明涉及一种用于在半导体结构中形成源极接触和漏极接触(700)的方法，包括：‑掩模源极区(221s)和漏极区(221d)，‑用电介质层(450)代替未掩模的牺牲材料(440)，‑去除掩模结构(550；520m，510m)，...

本发明涉及一种制造用于光刻工艺的掩模结构的方法，该方法包括：‑提供在其一侧上覆盖有吸收层的基材，‑在吸收层上方提供包括至少一个开口的图案化层，‑在至少一个开口中形成至少一个辅助掩模特征；其中，至少一个辅助掩模特征通过进行定向自组装(DS...

一种用于聚集流中的颗粒或细胞的聚集装置(100)。该聚集装置包括用于引导流的至少一个通道(110)和至少一个声学限制结构(120)，该通道(110)包括包含颗粒流边界(112)至少一个颗粒限制结构，该至少一个声学限制结构(120)包括被...

在第一方面，本发明涉及一种集成电路，包括：i.主衬底(100)；ii.可任选地，覆盖主衬底(100)的第一层(200)，该第一层(200)可任选地包括第一晶体管(210)；iii.覆盖主衬底(100)和第一层(200)(若存在)的第二层...

本发明构思提供了用于磁隧道结(MTJ)器件的磁性结构、磁隧道结器件和磁性随机存取存储器，其中所述磁性结构包含：自由层，隧道势垒层，参考层，硬磁层，以及设置在硬磁层与参考层之间的中间层堆叠体，该中间层堆叠体包含第一铁磁亚层、第二铁磁亚层和...

公开了一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和对应的系统。图案被形成在包括多个管芯区域(110)的半导体晶片(100)上，其中管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI(200)，其包括形成光刻图案的多个特征(201‑209)。该方法包括以下步骤...

一种制造极紫外掩模版的方法，其包括：a.提供一种组件，该组件包括：(i)极紫外镜(2)；和(ii)至少覆盖极紫外镜的底部的腔；b.通过在腔中相对于不形成腔的部分的任何表面选择性地形成极紫外吸收结构来使腔被极紫外吸收结构填充。

第一方面中，本发明涉及包含如下的合金：i.在以下第一列表和第二列表中的一个列表中选择的一种或多种第一元素：‑由Ag、Ni、Co和Fe组成的第一列表，以及‑由Ru、Rh、Pd、Os、Ir、和Pt组成的第二列表，ii.在以下第一列表和第三列...

依据本发明概念的一个方面，提供一种形成垂直通道器件的方法，该方法包括：在基材(101)上形成包括第一柱部分(110)、第二柱部分(120)和第三柱部分(130)的垂直半导体柱(108)，其中第二柱部分(120)设置在第一柱部分(110)...