一种用于形成三维光场分布的光学器件(100)，包括：单位晶格(104)的阵列(102)，单位晶格(104)可单独寻址以用于在第一状况和第二状况之间切换单位晶格(104)的光学特性；其中单位晶格(104)被配置为选择性地活跃或不活跃，并且...

一种用于形成三维光场分布的光学器件，包括：可单独寻址的单位晶格的阵列；该单位晶格的阵列中的每一个单位晶格包括堆叠，该堆叠包括：至少一个电极；以及共振限定层，包括至少相变材料(PCM)层，其中该共振限定层被图案化以限定几何结构，该几何结构...

提供一种将钝化电触件形成到晶体半导体基材的方法，所述方法包括：在晶体硅基材的表面上沉积含本征非晶硅初始层；在含本征非晶硅初始层上沉积第一金属层；在70℃至200℃范围内的温度下进行退火工艺，从而在至少一部分第一金属层和一部分含本征非晶硅...

一种用于检测、分选、提纯和/或表征液体样本中的感兴趣对象的方法(1)。该方法包括在微流体路由系统(100)的准备模块(120)中准备(3)液体样本以供处理，其中所述准备包括将所述液体样运送通过微流体通道，以及将所准备的样本从所述准备模块...

一种用于路由微流体流中的感兴趣对象(2)的微流体路由设备(1)，该设备包括衬底(3)；在所述衬底(3)上提供的第一层(4)，其中第一层(4)形成微流体通道(6)的底壁，其中穿过第一层(4)的至少两个孔分别形成微流体通道(6)的入口(11...

一种用于照亮粒子的设备(110)，包括：被布置在衬底(114)上的光波导(112；412a、412b；512a、512b)；被配置成输出形成片状形状的光束(150；450a、450b；550a、550b)的输出耦合器(118)，该片状形...

描述了用于区分细胞的细胞区分系统。一种区分系统包括用于接收处于悬浮状态的微观颗粒的全息图像数据的输入装置，用于通过执行该全息图像数据的傅立叶变换来将该全息图像数据转换到频域的全息图像数据处理装置，以及用于在频域中确定该微观颗粒的该全息图...

提供了一种在晶体硅双面太阳能电池的后侧(112)处产生掺杂层的方法，所述方法包括：至少使太阳能电池的硅基材(110)的后侧(114)纹理化以产生棱锥图案(120)，从而产生后侧的棱锥形拓扑结构；通过使用外延生长在棱锥上生长至少一个掺杂的...

公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底，其包括在源极区与漏极区之间的沟道区；布置成与该沟道区相互作用的栅极结构；以及布置在该沟道区与该栅极结构之间的介电结构。介电结构包括高k介电层或高k铁电层以及与该高k介电层或该高k铁电层直接接触的至...

本发明涉及一种EUVL扫描仪(10)。该EUVL扫描仪包括：EUV光源(110)；掩膜版(120)；安装在掩膜版(120)的前面并包括EUV透射膜(132)的薄膜(130)，在使用中，该透射膜将透射光散射成具有主轴(114)的椭圆散射图...

在第一方面中，本发明涉及形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及(b)通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的...

本发明涉及一种蚀刻半导体结构上一个或多个实体的方法，各个实体由选自金属和金属氮化物的材料制成，所述方法包括如下步骤：(a)通过在至少0.1A的电流下电解使含有浓度为0.01mol/l至1.0mol/l氯阴离子的前体溶液氧化，由此形成蚀刻...

一种用于减少在数字地驱动的包括组织成行和列的多个显示像素的有源矩阵显示器上显示的运动图像序列中的运动伪像的方法被公开。该方法包括通过n比特数字图像代码表示将在场内被显示的图像的点。该场被划分为各子场，并且每个子场被进一步划分为第一和第二...

提供了一种有源矩阵薄膜发射器LED类型的显示器(100)，包括基板(110)、在该基板上彼此分开布置的薄膜发射器LED类型的多个像素(120)、被布置在诸像素之间的多个薄膜光电检测器(130)、覆盖诸像素和光电检测器的封装层(140)、...

一种保护光掩模(210)的方法(100)。该方法包括：提供(110)光掩模(210)，提供(120)边框(220)，在边框(220)上沉积(130)至少两个电触头(230)，将包含碳纳米管的膜(240)安装(140)在边框(220)上，...

本公开涉及用于检测各个体发光粒子的光谱传感器。传感器包括用于检测由所述各个体发光粒子发出的光的光敏检测器阵列和包括多个不同带阻滤光器的滤光器阵列。滤光器阵列被配置成将可检测波长区中的波长透射到光敏检测器阵列，并且其中每一带阻滤光器与一个...

本发明涉及发光二极管(LED)器件，尤其是微型LED(μLED)器件的技术领域。在该领域中，本发明具体提出了一种用于获得在载体基板上重构的一个或多个LED器件的方法。该方法包括：提供硅基半导体基板作为载体基板，为一个或多个LED器件的每...

本发明涉及光学器件的技术领域。本发明具体提出了一种用于制造光学器件的方法。光学器件可以是发光二极管(LED)器件，例如微型LED(μLED)器件或光电二极管(PD)器件，例如成像器。该方法包括在第一半导体晶片上处理包括多个化合物半导体L...

本发明提出了一种发光二极管(LED)器件，特别是微型LED(μLED)器件，其适用于μLED显示器。该LED器件包括带多个LED 12的LED阵列。该LED器件还包括被电连接到该LED阵列的至少一个顶部触点和底部触点。此外，该LED器件...

p通道金属氧化物半导体(pMOS)晶体管包括栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括：基材上的含有硅氧化物的介电中间层，其中，介电中间层的厚度小于1nm；介电常数高于介电中间层的高k介电层；在介电中间层和高k介电层之间并且与介电中间层直接接触的第...