根据本发明，确定电子器件中的电流密度分布，该电子器件包括第一和第二电极以及在该第一和第二电极之间延伸的二维导电材料层。当该器件在操作中时测量经过电极的总电流，并且然后将第一电流测量探针放置在尽可能接近该二维材料和第一电极之间的界面的多个...

本公开涉及电光装置领域。具体而言，本公开提供了通过硅上III

本发明涉及一种用于加工激光器件(10)，尤其是III

提供了一种衬底，该衬底在其表面上包括由给定形貌限定的图案化区域。该衬底将被加工以获得该衬底的切片形式的TEM样品。根据本发明的方法，通过在该衬底的与该图案化区域隔开的局部目标区域上沉积对比材料层来在该形貌上沉积对比材料的共形层。该材料是...

本公开涉及一种用于加工具有两个紧密间距的栅极的半导体器件的方法，其中紧密间距意指在临界尺寸(CD)以下。该方法包括形成模板结构，其中该模板结构包括尺寸小于CD的至少一个子结构。该方法进一步包括在模板结构上和围绕模板结构形成栅极层。然后，...

本公开涉及一种用于在绝缘体上硅(SOI)结构中产生底切(UCUT)的方法，具体涉及一种用于300mm SOI平台的方法。为此，本公开提供了一种用于在SOI结构的绝缘体层下的硅基材中制造一个或多个腔室的方法。该方法包括：对硅基材进行第一干...

一种用于在IV族基材(1)上形成III

一种半导体结构，其包括：a.具有顶部层的半导体基材；b.一个或多个半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开一定距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个...

一种半导体结构，其包括：a.具有顶表面的半导体基材，b.一个或多个IV族半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开非零距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在...

在第一方面，本发明涉及一种用于形成半导体结构(10)的方法，包括：(a)提供结构，该结构包括(i)衬底(20)、(ii)该衬底(20)上的层堆叠(30)、以及(iii)穿过该层堆叠(30)的沟槽(40)，该层堆叠(30)包括半导体材料的...

本公开涉及提供底层的图案化以在底层中形成第一组沟槽和第二组沟槽的方法。该方法基于辅以间隔物辅助(SA)技术的两个光刻

本公开涉及提供底层的图案化以在底层中形成第一组沟槽和第二组沟槽的方法。该方法基于辅以间隔物辅助(SA)技术的两个光刻

本公开涉及一种用于处理鳍式场效应晶体管器件、特别是叉片器件的方法。该方法包括：提供基底(21)；在上述基底(21)中形成沟槽(25)，其中，上述沟槽(25)沿第一方向延伸；利用填充材料(11)来填充沟槽(25)；使基底(21)部分地凹陷...

一种用于显示器的发光器/传感器单元，包括：包括具有上侧和下侧被配置成吸收光并将所吸收的光转换成电流的膜的薄膜光电二极管检测器TFPD；包括具有上侧和下侧被配置成将电流转换成光的膜的第一薄膜发光二极管TFLED；包括第一和第二TFPD接触...

本发明提供了一种用于在柔性超声换能装置(2)和待检测的弯曲的物体(3)之间使用的声学联接界面(1)。界面(1)为具有弯曲柔性的片材(4)的形式，这允许片材(4)在柔性超声换能装置(2)的操作期间与所述弯曲的物体(3)形成连续接触。另外，...

一种用于部分填充正在构造的半导体器件中的两个叠加结构之间的空间的方法，包括以下步骤：a.提供在其间具有所述空间的两个叠加结构，b.用热塑材料完全填充所述空间，c.移除存在于该空间中的热塑材料的第一部分，该第一部分包括该热塑材料的顶面的至...

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成EUVL防尘薄膜的方法，该方法包括：对碳纳米管(CNT)膜片进行涂覆；以及将CNT膜片安装到防尘薄膜框架上，其中，对CNT膜片进行涂覆包括：用种子材料对膜片的CNT进行预涂覆；以及在预涂覆的CN...

本公开涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括：提供包含半导体层、覆盖在沟道层上的第一高k介电材料层和覆盖在半导体层上的沟道层的基板，执行图案化处理，使得从用于形成源电极的第一区域和用于形成漏电极的第二区域中移除至少第一高k介电材料层...

在第一方面，本发明涉及一种形成SiGe(:B):Ga层(40)的方法，该方法包括：(a)在含C的Ga前体存在下,在基材(10)上沉积SiGe(:B):Ga，从而形成SiGe(:B):Ga层(40)的第一部分(20)；和(b)在不存在含C...

一种工艺，包括以下步骤：a.提供半导体结构，该半导体结构包括：i.沟道；ii.势垒iii.势垒层上的非导电结构，该非导电结构包括具有被隔开第一距离的各侧壁的空腔，b.在该非导电结构上共形地提供第一非导电层，从而覆盖空腔的侧壁和底表面，c...