本发明涉及一种方法，包括形成用于接触形成在半导体晶圆上的纳米级半导体晶体管的栅电极(1)和源电极或漏电极(2)的触点通孔(15,23)。电极(1,2)相互平行，并在电极的顶部上设有介电栅极和S/D塞(4,5)，并且相互平行的电极/塞组合...

一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：提供(110)具有至少一个鳍(1)或纳米线的基材；形成伪栅极(3、4)；在至少一个鳍(1)或纳米线和伪栅极(3、4)上提供(120)间隔物(5)；实施(130)第一RMG模块，其中，...

在第一方面，本发明涉及一种方法，该方法包括：(a)提供Si

取得同一管芯区域的图像的数据集作为方法的起始点。该数据集之中的图像对应于一个或多个工艺参数的不同设置。来自该数据集的一个或多个图像被用作无监督生成式机器学习算法的训练图像。该算法创建特征向量空间，其包括允许该算法合成大量合成图像的特征向...

一种用于在纳米线中至少一个位置上电隔离垂直纳米线(210)的方法(100)。该方法包括设置(110)基材(200)，在基材(200)上形成(120)垂直纳米线堆叠。该堆叠包括至少一个第一材料纳米线段(211)。在垂直纳米线堆叠中的至少一...

提供了一种电接触光伏电池的方法，该光伏电池在其表面上包括至少一个金属接触，该方法包括：使包括电绝缘封装材料、多个导电导线和纤维材料的接触片与该光伏电池的该表面物理接触；在该接触片与该光伏电池的该表面接触的那侧相对的一侧用载体覆盖该接触片...

一种用于在腔室内的硅基材(310)上生长至少一个III/V纳米脊(200)的方法(100)。所述方法包括：使硅基材(310)上的区域图案化(110)，由此在硅基材上形成沟槽(320)；通过如下过程来生长III/V纳米脊(200)：引发沟...

在第一方面，本发明涉及一种形成用于半导体器件的触件隔离体(900)的方法，该方法包括：(a)提供半导体结构，该半导体结构包括暴露其下方触件(600)的沟槽(400)，(b)用牺牲材料(700)填充沟槽(400)的底部，(c)用陶瓷材料(...

一种方法，包括以下步骤：a.通过自对准多重图案化来在要被图案化的层(3)上形成规则地间隔开的芯模(4)的第一图案，b.随后，在所述芯模(4)的侧壁上形成硬掩模间隔物(5)，由此形成第二图案，所述第二图案由包括芯模(4)和其侧壁上的硬掩模...

本公开的固体电解质(10)具备：具有相互连接的多个孔(12)的多孔质电介质(11)、含有选自离子性化合物和偶极性化合物的至少一种以及金属盐且至少部分地充满多个孔(12)内部的电解质(13)、以及吸附于多个孔(12)内表面并引起极化的表面...

本发明涉及一种极紫外光刻EUVL设备(20)，包括：掩模版(220)，其包括要被成像在目标晶片(250)上的光刻图案；安装在掩模版(220)之前并与之平行的透光式防护膜(232)，其中该防护膜(232)使透射光沿着优先散射轴(214)散...

一种用于分发数据以供3D光场投影的系统和方法。该系统包括可连接到显示器的像素元件(110)的输入端子(102)和输出端子(103)。适合于传输接收到的输入数据(101)流的数据路径在输入端子(102)与输出端子(103)之间被建立，并经...

根据本发明构思的一个方面，提供一种形成垂直场效应晶体管器件的方法。该方法包括：在基材上形成垂直半导体结构，该垂直半导体结构在基材上方突出并且包括下源极/漏极部分、上源极/漏极部分以及设置在所述下源极/漏极部分和所述上源极/漏极部分之间的...

一种用于显示三维图像的装置，包括：光场生成单元(110)，该光场生成单元(110)被配置成用于接收入射光束(112)并生成三维光场；以及图像显影介质(120)，该图像显影介质(120)被布置成接收由该光场生成单元(110)生成的该三维光...

根据本发明构思的一个方面，提供了一种包括层堆栈的MTJ器件，包括：SOT层和第一自由层，第二自由层、参考层和布置在第二自由层和参考层之间的隧道势垒层，以及布置为在第一自由层和第二自由层之间的界面层的间隔层，其中SOT层被适配成通过SOT...

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成包括垂直通道场效应晶体管(FET)器件的半导体器件的方法，该方法包括：在基材上形成从基材的下源极/漏极半导体层垂直突出的多个半导体结构，将半导体结构设置在具有多个行和列的阵列中；至少在行的子集之...

公开了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括：在垂直沟道场效应晶体管FET器件区域(10)中形成包括第一半导体结构(110)的垂直沟道场效应晶体管FET器件(11)，该第一半导体结构(110)包括较低源极/漏极部分(12)、较高源极/...

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：提供一种半导体基材，所述半导体基材包括：在垂直通道场效应晶体管(FET)器件区域中的第一层结构，所述第一层结构包括：下半导体层、在下半导体层上的中间半导体层和在中间...

公开了在半导体鳍结构(100)上形成掩模层(190)的方法。所述方法包括：形成第一组间隔物和设置在第一组间隔物侧表面处的第二组间隔物(131、132、133、134)，在第二组间隔物之间提供第一填料材料(140)，蚀刻第一填料材料的顶部...

本发明涉及无抗蚀剂图案化掩模以及一种在待图案化层(100)上形成图案化掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在待图案化层(100)上提供碳基层(200)；(b)用含卤素基团(400)使碳基层(200)的顶表面(300)官能化；(c)通...